ON安森美BU406G双极功率晶体管

ON安森美半导体（ON Semiconductor）是一家全球领先的半导体制造商，提供各种电子元器件及解决方案。BU406G是其生产的双极功率晶体管（Bipolar Junction Transistor, BJT）中的一个经典型号，主要用于高电压、大电流场合。BU406G属于NPN型功率晶体管，具有高耐压、高电流的特点，适用于开关电源、音频功放等高功率应用。

厂商名称：ON安森美

元件分类：三极管

中文描述： 单晶体管双极，NPN，200 V，7 A，60 W，TO-220，通孔

英文描述： Bipolar Transistors-BJT 7A 200V 60W NPN

数据手册：https://www.iczoom.com/data/k02-24028936-BU406G.html

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BU406G概述

BU406G此双极功率晶体管是一款电压、高速晶体管，用于TV和CRT的水平偏转输出级。

特性

高电压：V CEV=330或400 V

快速开关速度：t f=750 ns(最大值)

低饱和电压：V CE(sat)=1 V(最大值) 5 A

采用紧凑型JEDEC TO-220AB封装

提供无铅封装

BU406G中文参数

晶体管类型 NPN

最大集电极-发射极电压 400 V 直流

封装类型 TO-220

安装类型 通孔

最大功率耗散 60 W

晶体管配置 单

最大发射极-基极电压 6 V

引脚数目 3

每片芯片元件数目 1

BU406G引脚图

型号类型

BU406G为NPN型双极功率晶体管，其主要型号及后续系列包括：

• BU406：基础型号，提供基本的功率开关功能。

• BU406D：带有快速恢复二极管，提高了开关速度和效率。

• BU406G：增强型型号，具有更高的电压和电流承受能力。

这些型号在性能参数上有所区别，以适应不同的应用场景和需求。

工作原理

双极功率晶体管（BJT）的工作原理基于PN结的电子和空穴传导特性。BU406G作为NPN型BJT，其结构包括一个P型基区夹在两个N型区之间，分别为发射极（E）、基极（B）和集电极（C）。

基本原理

当基极B与发射极E之间施加正向偏压（V_BE），P型基区的空穴与N型发射极的电子复合，形成电流流过发射极进入基极。与此同时，由于基极较薄且掺杂浓度低，大部分电子会在基区扩散并通过基区到达集电极形成集电极电流（I_C）。该过程由公式I_C ≈ βI_B描述，其中β是晶体管的电流增益。

当集电极C与发射极E之间施加正向电压（V_CE）时，集电极电流进一步增强，实现电流的放大与控制。基于这一工作原理，BU406G可以在高压大电流环境中高效工作，广泛用于开关和放大电路中。

特点

BU406G晶体管具有以下显著特点：

1. 高电压耐受能力：集电极-发射极击穿电压（V_CEO）高达400V，适合高压应用场合。

2. 大电流处理能力：最大集电极电流（I_C）为7A，能处理大电流负载。

3. 快速开关特性：具有较快的开关速度，适合高频开关电路。

4. 高功率密度：晶体管能够在小封装内处理较高功率，提升电路集成度。

5. 稳健可靠：具有较高的热稳定性和电流增益稳定性，确保长期稳定工作。

应用

由于其优异的电气性能，BU406G广泛应用于以下领域：

1. 开关电源：用于高效DC-DC转换器和AC-DC电源中，提供稳定的电压和电流输出。

2. 音频功放：在音频功率放大器中用于驱动扬声器，提供高质量的音频输出。

3. 电机控制：用于电动机驱动电路，实现电机的精确控制和调速。

4. 逆变器：在太阳能逆变器和不间断电源（UPS）中，用于转换直流电为交流电。

5. 照明控制：在LED驱动电路中，实现高效的电能转换和控制。

参数

BU406G的主要参数如下：

• 最大集电极-发射极电压（V_CEO）：400V

• 最大集电极电流（I_C）：7A

• 最大基极电流（I_B）：3A

• 集电极-发射极饱和电压（V_CE(sat)）：1.5V（典型值）

• 集电极功耗（P_C）：75W

• 电流增益（h_FE）：15-60

• 存储时间（t_s）：1.2μs（典型值）

• 上升时间（t_r）：0.3μs（典型值）

总结

BU406G作为ON安森美推出的高性能NPN型双极功率晶体管，凭借其高电压、大电流、高功率密度和快速开关等特点，在开关电源、音频功放、电机控制等领域得到了广泛应用。其优越的电气性能和稳定性使其成为高功率应用中的理想选择。