英飞凌IRF640NPBF MOS管

一、型号类型

IRF640NPBF是由英飞凌公司生产的N沟道增强型功率MOSFET。这种类型的MOSFET具有较低的导通电阻和高开关速度，适用于各种电源管理应用。它采用TO-220封装，适合通过焊接或散热器安装。

厂商名称：英飞凌

元件分类：MOS管

中文描述： 英飞凌Infineon MOSFET,HEXFET系列,N沟道,Si,Vds=200 V,18 A,3引脚TO-220AB封装

英文描述： Power Field-Effect Transistor,18A I(D),200V,0.15ohm,1-Element,N-Channel,Silicon,Metal-Oxide Semiconductor FET,TO-220AB,LEAD FREE,PLASTIC PACKAGE-3

数据手册：https://www.iczoom.com/data/k02-24415580-IRF640NPBF.html

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IRF640NPBF中文参数

IRF640NPBF概述

英飞凌公司的IRF640NPBF是一款200V单N沟道HEXFET功率MOSFET,TO-220AB封装.此MOSFET具有极低的单位面积导通电,额定动态dv/dt,耐用的快速开关以及全雪崩额定,功率MOSFET提供极高的效率和稳定性,用于多种应用.

漏极至源极电压:200V

栅-源电压：±20V

导通电阻Rds(on)为150mohm

25°C功率耗散Pd:150W

Vgs 10V 25°C时,连续漏电流Id:18A

工作结温范围:-55°C至175°C

应用范围

电源管理,工业,便携式器材,消费电子产品

IRF640NPBF引脚图

二、工作原理

MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种电压控制器件，通过控制栅极与源极之间的电压来调节漏极与源极之间的电流。IRF640NPBF属于N沟道增强型MOSFET，其基本工作原理如下：

1. 栅极驱动：当栅极电压高于阈值电压时，MOSFET开始导通。这时，栅极电压会在栅极和源极之间形成电场，吸引N型半导体中的电子，形成导电沟道。

2. 电流流动：一旦导电沟道形成，漏极与源极之间的电流可以自由流动。电流的大小取决于栅极电压和漏极电压。

3. 关断过程：当栅极电压低于阈值电压时，导电沟道消失，MOSFET进入截止状态，漏极与源极之间的电流被切断。

三、特点

IRF640NPBF具有以下显著特点：

1. 低导通电阻（R_DS(on)）：导通电阻越低，功耗越小，效率越高。IRF640NPBF的典型R_DS(on)值为0.18欧姆。

2. 高耐压：其漏极-源极最大耐压为200V，适用于高压应用场合。

3. 高电流承载能力：具有18A的最大漏极电流能力。

4. 高开关速度：具有较快的开关特性，有利于提高电路的开关效率和频率。

5. 热稳定性好：采用TO-220封装，有良好的散热性能。

四、应用

IRF640NPBF广泛应用于以下领域：

1. 开关电源（SMPS）：其高效和高耐压特性使其非常适用于开关电源的主开关元件。

2. 电机驱动：适用于直流电机驱动电路中的H桥结构，提供高效率的电流控制。

3. 逆变器和变频器：在逆变器和变频器中作为主要开关元件使用，提供高效的电能转换。

4. 电池管理系统（BMS）：在电池管理系统中用于充放电控制和保护电路。

5. 高频变换器：适用于高频率的变换器电路，提高变换效率和减少损耗。

五、参数

IRF640NPBF的主要参数如下：

1. 电压和电流参数：

• 漏极-源极最大电压（V_DSS）：200V

• 栅极-源极最大电压（V_GS）：±20V

• 最大漏极电流（I_D）：18A

• 脉冲漏极电流（I_DM）：72A

2. 导通特性：

• 导通电阻（R_DS(on)）：0.18Ω（典型值，V_GS=10V）

3. 开关特性：

• 栅极电荷（Q_g）：67nC（V_GS=10V）

• 输入电容（C_iss）：1580pF

• 输出电容（C_oss）：320pF

• 反向传输电容（C_rss）：110pF

4. 时间特性：

• 开通延迟时间（t_d(on)）：10ns

• 上升时间（t_r）：42ns

• 关断延迟时间（t_d(off)）：31ns

• 下降时间（t_f）：27ns

5. 热特性：

• 结点与环境热阻（R_θJA）：62.5°C/W

• 结点与壳热阻（R_θJC）：1.0°C/W

• 工作结温范围：-55°C至175°C

六、总结

IRF640NPBF作为N沟道增强型功率MOSFET，具有低导通电阻、高耐压、高电流承载能力和高开关速度等优点，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器和变频器、电池管理系统等领域。其优异的电气特性和热特性使其成为功率电子领域中的理想选择。