英飞凌IRF4905PBF MOS管中文资料

一、型号类型

英飞凌（Infineon）IRF4905PBF是属于P沟道增强型金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），这类器件广泛用于电源管理、开关电路以及其他需要高效能和低损耗的电路中。IRF4905PBF具体是一个P沟道功率MOSFET，标志着其适用于高侧开关应用，即在电源路径的高电压端进行控制。

P沟道MOSFET与N沟道MOSFET的主要区别在于电流流动方向和控制逻辑。P沟道MOSFET需要负电压相对于源极来开启，而N沟道则需要正电压。因此，P沟道MOSFET在某些电路设计中可以简化高侧开关的驱动逻辑。

厂商名称：英飞凌

元件分类：MOS管

中文描述： 功率场效应管，MOSFET，P沟道，55 V，74 A，0.02 ohm，TO-220AB，通孔

英文描述： Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab)TO-220AB Tube

数据手册：https://www.iczoom.com/data/k02-36758345-IRF4905PBF.html

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IRF4905PBF中文参数

IRF4905PBF概述

International Rectifier公司的IRF4905PBF是一款-55V单P沟道HEXFET功率MOSFET，TO-220AB封装.此MOSFET具有极低的单位面积导通电，额定动态dv/dt，耐用的快速开关以及全雪崩额定，功率MOSFET提供极高的效率和稳定性，用于多种应用.

漏极至源极电压:-55V

栅-源电压：±20V

Vgs=-10V时，导通电阻Rds(on)为20mohm

25°C功率耗散Pd:200W

Vgs 10V 25°C时，连续漏电流Id:-74A

结温范围:-55°C至175°C

应用

电源管理，工业，便携式器材，消费电子产品

二、工作原理

MOSFET的工作原理基于电场效应，即通过电场来控制半导体内电流的流动。在P沟道MOSFET中，当栅极电压低于源极电压（负栅极电压）时，P型沟道会形成，使得电流从源极流向漏极。

具体来说，当栅极与源极之间施加一个足够大的负电压（即栅极电压低于源极电压），MOSFET中的P型半导体材料在栅极和衬底之间形成一个反向偏置电场，吸引电子（负载载流子）进入沟道区域，从而形成一个导电通道。此时，MOSFET处于导通状态，允许电流从源极流向漏极。反之，当栅极电压接近源极电压时，导电通道消失，MOSFET进入截止状态，阻断源极和漏极之间的电流。

三、特点

IRF4905PBF具有以下几个主要特点：

1. 低导通电阻（R_DS(on)）：导通电阻低意味着在导通状态下的功耗小，从而提高了效率。IRF4905PBF的典型R_DS(on)为20mΩ。

2. 高电流能力：该器件能够处理高达74A的连续漏极电流（I_D），适合大电流应用。

3. 高压能力：具备55V的漏源极击穿电压（V_DS），适用于较高电压应用环境。

4. 快速开关速度：MOSFET的开关速度直接影响电路的效率和性能，IRF4905PBF提供快速的开关时间，使其适合高频率的开关电源和转换器应用。

5. 热性能：良好的热性能确保其在高功率应用中的可靠性。具有175°C的最大结温度，使其能在较严苛的环境中稳定工作。

四、应用

IRF4905PBF广泛应用于各种需要高效开关和低功耗的电子电路中，典型的应用领域包括：

1. 电源管理：用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器等高效能电源管理系统。

2. 电机控制：应用于电动车、机器人等需要精确电流控制的电机驱动系统。

3. 电池管理系统（BMS）：在电动汽车和储能系统中，用于电池的充放电控制。

4. 负载开关：用于高侧负载开关应用，如汽车电子、电信设备中。

5. 音频放大器：在高功率音频放大器中，作为功率放大元件。

6. 太阳能逆变器：在光伏系统中，用于能量转换和管理。

五、参数

IRF4905PBF的关键参数如下：

1. 漏源极击穿电压（V_DS）：55V

2. 连续漏极电流（I_D）：74A（在25°C时）

3. 脉冲漏极电流（I_DM）：260A

4. 导通电阻（R_DS(on)）：20mΩ（V_GS = -10V时）

5. 栅极电荷（Q_g）：170nC（典型值）

6. 开关时间：

• 上升时间（t_r）：40ns

• 下降时间（t_f）：29ns

7. 总栅极电荷（Q_g）：170nC

8. 输入电容（C_iss）：3700pF

9. 输出电容（C_oss）：870pF

10. 反向传输电容（C_rss）：540pF

六、封装和引脚配置

IRF4905PBF通常采用TO-220封装，这是一个常见的功率器件封装形式，具有良好的散热性能和机械强度。TO-220封装通常有三个引脚：

1. 栅极（Gate）：用于控制MOSFET的开启和关闭。

2. 漏极（Drain）：与负载相连，主要电流通过此端流出。

3. 源极（Source）：接地或负电压端。

七、使用注意事项

1. 热管理：由于MOSFET在工作过程中会产生热量，因此在高功率应用中必须进行有效的散热设计，如使用散热片或风扇。

2. 过压保护：需要在电路设计中考虑瞬态电压尖峰的影响，通常会使用瞬态抑制二极管（TVS）或RC吸收电路来保护MOSFET免受过压冲击。

3. 驱动电路设计：P沟道MOSFET的栅极驱动电路设计需特别注意，确保栅极电压足够低以实现完全导通，同时避免过大的栅极电荷导致开关损耗增加。

4. 电磁干扰（EMI）：在高频应用中，MOSFET的开关动作可能会产生电磁干扰，需要使用适当的滤波电路或屏蔽措施。

IRF4905PBF作为一款高性能的P沟道MOSFET，在高效电源管理和负载控制应用中表现出色，凭借其低导通电阻、高电流处理能力和良好的热性能，成为各类电子设备设计中的重要元件。