超级结MOS(Super Junction MOSFET)在微型储能、家用电器、汽车电子和工业控制等应用广泛，但什么样标准的超级结MOS能够为应用场景有效保驾护航，超级结MOS的选型要求及标准主要包括以下几个方面：

　　电流和电压额定值

　　电压额定值(VDS)：

　　MOSFET的漏源电压必须高于电路中的最大工作电压。常见电压等级如600V、650V、700V等应根据具体应用的工作电压来选择。例如，对于微型储能、家用电器设备，650V的MOSFET通常是合适的选择。

　　电流额定值(ID)：

　　需要根据应用中的最大负载电流来确定MOSFET的额定电流，确保其能够在最大负载下安全运行。对于微型储能、家用电器，高电流额定值通常能更好地满足大功率需求。

　　导通电阻(Rds(on))

　　低导通电阻：

　　低导通电阻能够减少导通损耗，提高效率。需要在特定的栅极电压和漏极电流条件下选择具有尽可能低的RDS(on)的MOSFET。例如，时科的SKJ40N65-T7在VGS=10V、ID=20A时的RDS(on)不超过99mΩ，是一个低导通电阻的优秀选择

　　开关性能

　　开关速度：

　　需要选择具有快速开关速度的MOSFET，以适应高频应用。超结eiMOS通常具有较短的上升时间、下降时间和开关延迟时间，适合高频操作。

　　栅极电荷(Qg)：

　　低栅极电荷能够降低驱动损耗，提升整体效率。

　　热管理

　　热阻(RθJA, RθJC)：

　　MOSFET的热阻参数决定其散热能力，低热阻能更好地将热量传导出去，防止过热。

　　封装类型：

　　选择合适的封装类型(如TO-220、D2PAK、TO-247等)以满足散热和空间要求。例如，SKJ40N65-T7采用TO-247-3封装，具有良好的散热性能。

　　安全裕度

　　雪崩能量(EAS)：

　　确保MOSFET具有足够的雪崩能量能力，以应对意外的过电压情况。

　　SOA(安全工作区)：

　　需要在各种工作条件下都能安全运行。

　　其他关键参数

　　其他关键参数：

　　输入电容(Ciss)、输出电容(Coss)和反向恢复时间(trr)：这些参数影响MOSFET的动态性能，选择时需要综合考虑电路的具体要求。超高速体二极管的反向恢复时间快，可以提高整体效率。

　　超结MOS的选型需要综合考虑电压和电流额定值、导通电阻、开关速度、热管理、安全裕度、寄生参数以及应用的具体需求，选择合适的产品以确保最佳性能和可靠性。通过对上述的认知了解，我们对超级结MOS选型有了标准，那時科又有怎样的超级结MOS能够 安全、低功耗、高性能的为应用场景服务。

　　SKJ40N65-T7 超级结MOSFET 主要特性

　　漏源电压(VDS): 650V

　　连续漏极电流(ID): 40A

　　封装类型: TO-247-3

　　阈值电压(VGS(th): 2~4V

　　导通电阻(RDS(on)): 在VGS=10V、ID=20A的条件下不超过99mΩ

　　超高速体二极管: 反向恢复时间更快，提高工作效率

　　技术优势

　　低导通电阻: 超级结构技术专门用于最小化导通状态电阻，在高电压下也能保持低导通电阻，有效减少开关损耗。

　　高开关性能: 优秀的开关性能使其能够在高频应用中表现出色，减少开关损耗，提高整体效率。

　　高能量耐受: 在雪崩和换相模式下能够承受高能量脉冲，提高器件的可靠性。

　　超高速体二极管: 反向恢复时间快，进一步提高工作效率，特别适合高频开关电路。

　　典型应用

　　01：家用电器

　　高效率电源管理：低导通电阻和高开关速度减少热量生成，提高整体系统效率。

　　EMI性能良好：低噪声开关特性有助于减少电磁干扰，适应高标准的显示设备要求。

　　02：微型储能

　　高效率和低待机功耗：低RDS(on)和低Qg特性提高充电器效率，减少能耗。

　　封装和散热能力：TO-247-3封装具有良好的散热性能，适用于高频、高功率输出的产品领域。

　　03：工业电源

　　高耐压低阻抗：高耐压和低导通电阻的特性使其能够在电力供应应用中稳定运行，提供可靠的电力传输。

　　关于時科

　　時科是全球知名的半导体分立元器件厂商之一，主要为工程师与设计人员提供各种半导体产品与软件。

　　应用行业：汽车、通信、计算机、消费电子、工业、LED照明、医疗、航空、储能、快充、电源；

　　应用场景：信号检测和整流、电流调节和开关电路、电源管理和保护电路、高效电源转换和充电系统、电池管理系统、防静电保护电机控制、开关电源和放大器；

　　产品类目：二极管、三极管、肖特基、碳化硅肖特基、氮化镓IC、锂电池保护IC、IGBT、ESD保护管、整流管、MOSFET等40多个细分品类，超过5000款单品；