安森美（Fairchild Semiconductor）是一家知名的半导体制造商，其BSS123型号的MOS管在电子领域有着广泛的应用。本文将对安森美BSS123 MOS管的型号类型、工作原理、特点、应用和参数等方面进行详细介绍。

中文描述： 功率场效应管，MOSFET，N沟道，100 V，170 mA，1.2 ohm，SOT-23，表面安装

英文描述： Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R

BSS123中文参数

BSS123概述

BSS123为N沟道逻辑电平增强型场效应晶体管，SOT-23封装.这一产品设计以最小化通导电阻，同时提供坚固耐用，可靠并高速的开关性能，因此BSS123适合低电压，低电流应用，如小型伺服电机控制，功率MOSFET栅极驱动器和其它开关应用.

漏极至源极电压:100V

栅-源电压：±20V

低通导电阻:1.2ohm，Vgs 10V

连续漏电流:170mA

最大功率耗散:360mW

工作结温范围:-55°C至150°C

应用

电源管理，工业，便携式器材，消费电子产品

一、型号类型：

 安森美BSS123 MOS管是一种N沟道MOS场效应管，属于低电阻、低压降的场效应管系列。该系列产品包括BSS123、BSS123L等型号，具有不同的封装和特性。

二、工作原理：

 BSS123 MOS管采用MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）结构，其主要构成包括栅极、漏极和源极。当施加正向偏压于栅极时，栅极和漏极之间形成电场，使得漏极-源极通道导电。当施加反向偏压时，栅极和漏极之间的电场被抑制，漏极-源极通道截断，电流无法通过。

三、特点：

1. 低电阻：BSS123 MOS管具有较低的导通电阻，能够提供较小的导通压降，有效降低功耗。

2. 高速开关特性：由于MOS管的栅极电容较小，响应速度快，适用于高频率的开关应用。

3. 低压控制：BSS123 MOS管在低电压下即可实现可靠的开关控制，适用于低电压系统。

4. 封装多样：产品提供多种封装形式，包括SOT-23、SOT-323等，方便不同应用场景的设计和安装。

四、应用：

1. 电源管理：BSS123 MOS管可用于电源管理电路中的开关控制，如DC-DC转换器、充放电管理等。

2. 信号开关：在模拟和数字信号开关电路中，BSS123 MOS管可实现快速的信号开关和放大。

3. LED驱动：作为LED驱动器的关键部件，BSS123 MOS管能够有效控制LED的亮度和开关。

4. 低功耗应用：由于其低导通电阻和低功耗特性，适用于需要长时间待机和低功耗运行的电路。

五、参数：

1. 最大漏极-源极电压（Vdsmax）：通常为30V。

2. 最大栅极-源极电压（Vgsmax）：通常为±20V。

3. 最大漏极电流（Idmax）：通常为200mA。

4. 导通电阻（Rds(on)）：通常在几欧姆至几十欧姆之间，取决于工作条件和封装形式。

5. 开关时间（tON、tOFF）：通常在纳秒级别，与工作频率和负载特性相关。

结论： 通过本文的介绍，我们了解了安森美BSS123 MOS管的型号类型、工作原理、特点、应用和参数等方面的详细信息。这些信息有助于工程师在设计电路时选择合适的器件，并充分发挥其性能优势。