CMOS（互补金属氧化物半导体）电路和TTL（晶体管-晶体管逻辑）电路在多个方面存在显著的区别，具体如下：

1. 构成原理：CMOS电路是由N沟道和P沟道MOS场效应晶体管对管构成，属于单极性电路；而TTL电路则是由双极晶体管构成，属于双极性电路。

2. 逻辑电平与工作电压：CMOS电路的逻辑电平范围比较大（5～15V），能在较广泛的电源电压范围内工作；而TTL电路则主要在5V下工作。

3. 抗干扰性与噪声容限：CMOS的高低电平之间相差比较大，抗干扰性强，直流噪声容限达逻辑摆幅的35%左右；而TTL的高低电平之间相差小，抗干扰能力差。

1. 功耗：CMOS电路的功耗很小，每门功耗为纳瓦级；而TTL电路的功耗相对较大（1～5mA/门），尤其在工作状态下，尤其是当输出翻转时，TTL逻辑门消耗功率较大。

2. 速度与延迟：虽然早期的CMOS门电路速度稍慢，延迟可能在25至50纳秒，但高速CMOS技术已经大大改善了这一特性，使得某些高速CMOS器件与TTL的速度相当或更快。TTL电路由于其内部结构，逻辑门具有相对较快的开关速度，典型传输延迟在5至10纳秒。

3. 稳定性与可靠性：TTL电路具有较高的稳定性、可靠性和长寿命等特点，而CMOS电路在某些情况下可能受到“自锁效应”的影响，影响电路正常工作。

总的来说，CMOS和TTL电路各有其特点和应用场景。CMOS电路以其低功耗、高抗干扰性和宽电源电压范围等特点，在模拟电路和某些数字电路中得到广泛应用；而TTL电路则以其高速、低功耗和高可靠性等特点，在计算机、通信等领域得到广泛应用。在选择电路类型时，需要根据具体的应用需求和环境条件进行综合考虑。