首先，从结构和工作原理上看，NPN晶体管放大器主要由三个端子组成：发射极、收集极和基极，以基极为控制中心，通过控制基极电压来控制发射极和收集极之间的电流流动，实现信号的放大。而CMOS则是一种集成电路的设计工艺，它利用N型金属氧化物半导体场效应晶体管（NMOS）和P型金属氧化物半导体场效应晶体管（PMOS）的互补性，在硅质晶圆模板上制作出基本的元件。CMOS的特点是只有在晶体管需要切换启动与关闭时才需消耗能量，因此非常节省电力且发热量少。

其次，从应用角度来看，NPN晶体管放大器由于其高增益、快速响应等特性，广泛用于电子产品的调节、监控和输出，是基础电路中不可或缺的元件。而CMOS则因其低功耗、高集成度等特性，在图像传感器、数字摄像头等领域得到了广泛的应用。此外，由于CMOS的工艺简单、成本低廉，因此在现代电子系统中得到了广泛的应用。

最后，从发展趋势来看，随着电子技术的不断发展，NPN晶体管放大器和CMOS都在不断地进行改进和优化。例如，通过改进晶体管的材料和结构，可以进一步提高其性能；同时，随着集成电路技术的不断发展，CMOS的集成度和性能也在不断提高。

综上所述，NPN晶体管放大器和CMOS在结构、工作原理、应用和发展趋势等方面都存在显著的区别。选择使用哪种类型的器件取决于具体的应用需求和技术要求。