Transphorm TP65H300G4JSGB SuperGaN 氮化镓(GaN)场效应管结合了最先进的高压GaN HEMT和低压硅MOSFET，具有卓越的可靠性和性能。SuperGaN GaN FET是一种正常关闭的器件，使用Transphorm的Gen IV平台。第四代SuperGaN平台采用先进的epi和专利设计技术，简化了可制造性。TP65H300G4JSGB GaN场效应管具有650V漏源电压和41.6W的最大功耗，当t (C)=25°C时。典型应用包括消费类电源适配器、低功耗SMPS和照明。

特性

• 第四代科技

• 通过jedec认证的GaN技术

• 动态R(DS(on)eff)生产测试

• 稳健设计，定义为

• 宽栅极安全裕度

• 瞬态过电压能力

• 非常低的Q(RR)

• 降低交叉损耗

• 提高了硬开关和软开关电路的效率

• 提高功率密度

• 减小系统尺寸和重量

• 整体较低的系统成本

• 符合rohs标准和无卤素包装

规范

• 650V漏源电压V(DSS)

• 800V瞬态漏源电压V(DSS(TR))

• ±10V栅源电压V(GSS)

• 41.6W最大功耗(P(D)) @T(C)=25℃

• 连续漏极电流I(D):

• @T 9.2 (C) = 25°C

• @T 5.8 (C) = 100°C

• 30A脉冲漏极电流I(DM)(脉冲宽度:10µs)

• 2V ~ 2.8V栅极阈值电压V(GS)范围

• 漏源极导通电阻:

• 240毫欧 ~ 312毫欧 (V(GS)=6V, I(D)=6.5A, T(J)=25℃)

• 492毫欧 (V(GS)=6V, I(D)=6.5A, T(J)=150℃)

• 典型电容(V(GS)=0V, V(DS)=400V, f=1MHz):

• 400 pf输入

• 16 pf输出

• 0.8pF反向转移

• 充电(V(DS)=400V, V(GS)=0V ~ 10V, I(D)=6.5A):

• 3.5nC总栅极电荷

• 1.4nC栅源电荷

• 0.64nC栅漏电荷

• 19nC输出电荷(V(GS)=0V, V(DS)=0V ~ 400V)

应用程序

• 消费者

• 电源适配器

• 低功耗smp

• 照明