产品分类
onsemi NVHL060N065SC1单n沟道MOSFET的介绍、特性、及应用
8
拍明芯城
onsemi NVHL060N065SC1 EliteSiC MOSFET是一款650V, 60毫欧(类型)和47A单n沟道MOSFET，采用紧凑高效的设计，具有高热性能。与硅相比，该MOSFET采用了一种全新的技术，提供了卓越的开关性能和高可靠性。此外，低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保低电容和栅极电荷。NVHL060N065SC1功率MOSFET具有高效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的EMI和更小的系统尺寸。该MOSFET通过AEC-Q101认证，具有ppap能力。典型的应用包括汽车车载充电器和电动汽车(EV)的汽车DC/DC转换器。
特性
650V (V(DSS))漏极到源电压
低电容高速开关(C(OSS) = 133pF)
典型R(DS(on))=44毫欧 @ V(GS)=18V
典型R(DS(on))=60毫欧 @ V(GS)=15V
超低栅极电荷(Q(G(t))=74nC)
通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力
无铅，符合rohs标准
100%雪崩测试
应用程序
车载充电器
用于EV/HEV的汽车DC/DC变换器
包的尺寸
责任编辑：David
【免责声明】
1、本文内容、数据、图表等来源于网络引用或其他公开资料，版权归属原作者、原发表出处。若版权所有方对本文的引用持有异议，请联系拍明芯城（marketing@iczoom.com），本方将及时处理。
2、本文的引用仅供读者交流学习使用，不涉及商业目的。
3、本文内容仅代表作者观点，拍明芯城不对内容的准确性、可靠性或完整性提供明示或暗示的保证。读者阅读本文后做出的决定或行为，是基于自主意愿和独立判断做出的，请读者明确相关结果。
4、如需转载本方拥有版权的文章，请联系拍明芯城（marketing@iczoom.com）注明“转载原因”。未经允许私自转载拍明芯城将保留追究其法律责任的权利。
拍明芯城拥有对此声明的最终解释权。
相关资讯
：
BAT剑指科大讯飞，能否让其重蹈Nuance覆辙?
三星在中国一面撤资，一面增资是为何?
半导体激光治疗仪是骗局吗?
2016全球十大电子元器件分销商排行榜
2016年10大全球电子元器件代理商排行一览表
STM32学习笔记：通用定时器基本定时功能
2012- 2022 拍明芯城ICZOOM.com 版权所有 客服热线：400-693-8369 (9:00-18:00)
