瑞萨电子的新型栅极驱动器IC设计用于驱动高压功率器件，如用于电动汽车逆变器的IGBT和SiC MOSFET。

　　瑞萨电子推出新型栅极驱动器IC，旨在驱动高压功率器件，如用于电动汽车(EV)逆变器的绝缘栅双极晶体管(IGBT)和碳化硅(SiC)MOSFET。

　　栅极驱动器 IC 是 EV 逆变器的基本组件，在逆变器控制 MCU 与为逆变器供电的 IGBT 和 SiC MOSFET 之间提供接口。它们在低压域中接收来自MCU的控制信号，并传输这些信号以在高压域中快速打开和关闭功率器件。

　　为了适应电动汽车电池的更高电压，RAJ2930004AGM内置3.75kVrms隔离器，高于上一代产品中的2.5kVrms隔离器，可以支持耐压高达1200V的功率器件。此外，新型驱动器IC在150V/ns(纳秒)或更高时具有出色的CMTI(共模瞬态抗扰度)性能，可提供可靠的通信和更高的抗噪性，同时满足逆变器系统所需的高电压和快速开关速度。新产品在小型SOIC16封装中提供栅极驱动器的基本功能，使其成为高性价比逆变器系统的理想选择。

　　RAJ2930004AGM 可与瑞萨电子 IGBT 以及其他制造商的 IGBT 和 SiC MOSFET 一起使用。除牵引逆变器外，栅极驱动器IC还非常适合使用功率半导体的各种应用，例如车载充电器和DC/DC转换器。为了帮助开发人员快速将其产品推向市场，瑞萨电子提供了将栅极驱动器IC与MCU、IGBT和电源管理IC相结合的xEV逆变器套件解决方案，并计划在2023年上半年发布包含新栅极驱动器IC的版本。

　　瑞萨电子汽车模拟应用特定业务部副总裁Akira Omichi表示：“瑞萨电子很高兴为汽车应用提供具有高隔离电压和卓越CMTI性能的第二代栅极驱动器IC。我们将继续推动电动汽车的应用开发，提供解决方案，最大限度地减少功率损耗，并满足客户系统中高水平的功能安全性。