亚德诺半导体ADuM4221/ADuM4221-1/ADuM4221-2半桥门驱动器的介绍、特性、及应用


原标题:亚德诺半导体ADuM4221/ADuM4221-1/ADuM4221-2半桥门驱动器的介绍、特性、及应用
亚德诺半导体(Analog Devices Inc.)的ADuM4221/ADuM4221-1/ADuM4221-2是一系列高性能的4A隔离式半桥栅极驱动器,它们采用ADI公司的iCoupler®技术,提供独立且隔离的高端和低端输出。以下是关于这些半桥门驱动器的详细介绍、特性及应用:
一、介绍
ADuM4221/ADuM4221-1/ADuM4221-2系列驱动器专为需要高隔离、高可靠性和高性能的应用而设计。它们结合了高速CMOS和单片变压器技术,提供了优于传统脉冲变压器和栅极驱动器组合的性能特征。这些驱动器在宽体、16引脚SOIC_IC封装中提供高达5700 Vrms的隔离,适用于各种工业和商业应用。
二、特性
高隔离电压:提供5700 Vrms的隔离电压,确保电气安全。
高电流能力:峰值电流可达4A,适用于驱动大功率负载。
宽输入电压范围:逻辑输入电压范围为2.5V至6.5V,兼容多种低压系统。
可调死区时间:ADuM4221和ADuM4221-1支持可调死区时间,通过死区时间引脚(DT)和GND1引脚之间的单个电阻器设置。ADuM4221-2则无死区时间控制。
内置重叠保护:ADuM4221和ADuM4221-1内置重叠保护,防止高端和低端输出同时导通。
高精度时序:最大传播延迟为44ns,确保快速响应。
高共模瞬态抑制:高达150kV/µs的共模瞬态抑制能力,提高系统稳定性。
高工作结温:支持高达125°C的工作结温,适用于高温环境。
多种UVLO选项:VDD1正向阈值最大为2.5V,VDDA和VDDB正向阈值有多个选项(A级:4.5V;B级:7.5V;C级:11.6V),满足不同应用需求。
三、应用
开关电源:用于驱动开关电源中的IGBT或MOSFET,实现高效、稳定的电能转换。
隔离式IGBT/MOSFET栅极驱动器:在工业自动化、电力电子等领域,用于驱动绝缘栅极双极晶体管(IGBT)或金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),实现精确的开关控制。
工业逆变器:在逆变器中,用于控制电力电子器件的开关,实现交流电到直流电或直流电到交流电的转换。
氮化镓(GaN)/碳化硅(SiC)兼容:支持新型半导体材料氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)的应用,推动电力电子技术的进一步发展。
综上所述,亚德诺半导体的ADuM4221/ADuM4221-1/ADuM4221-2系列半桥栅极驱动器以其高隔离电压、高电流能力、宽输入电压范围、可调死区时间等特性,在开关电源、工业逆变器、电力电子等领域具有广泛的应用前景。
责任编辑:David
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