原标题：意法半导体高能效功率变换应用，推出新的 45W和150W GaN 产品

意法半导体针对高能效功率变换应用，推出了新的45W和150W GaN（氮化镓）产品，分别是MasterGaN3和MasterGaN5。这两款产品作为集成功率系统封装，为设计开关式电源、充电器、适配器、高压功率因数校正(PFC)和DC/DC变换器的工程师提供了更多的选择和灵活性。以下是关于这两款产品的详细介绍：

一、产品特点

1. 高能效与小型化：

• GaN晶体管能够实现更高的开关频率，这使得新的集成功率系统封装能够使电源尺寸比基于硅的设计缩小80%，同时具有很高的稳健性和可靠性。

2. 集成化设计：

• MasterGaN3和MasterGaN5均集成两个650V功率晶体管、优化的高压栅极驱动器和相关的安全保护电路。这种设计消除了栅极驱动器和电路布局设计挑战，简化了设计流程。

3. 灵活的应用场景：

• MasterGaN3的两个GaN功率晶体管的导通电阻值(Rds(on))不相等，分别为225mΩ和450mΩ，使其适用于软开关和有源整流变换器。

• MasterGaN5中两个晶体管的导通电阻值均为450mΩ，适用于LLC谐振和有源钳位反激变换器等拓扑。

4. 广泛的兼容性：

• 这两款器件都兼容3.3V至15V逻辑信号的输入，简化了与DSP处理器、FPGA或微控制器等主控制器和霍尔传感器等外部设备的连接。

5. 安全保护功能：

• 新产品集成了多种安全保护功能，包括高低边欠压锁定(UVLO)、栅极驱动器互锁、过热保护和关断引脚，提高了系统的整体安全性和可靠性。

二、产品配套

• 每款MasterGaN产品都配有一个专用的原型开发板（如EVALMASTERGAN3和EVALMASTERGAN5），这些开发板包含单端或互补驱动信号发生器电路、可调的死区时间发生器以及相关的设备接口，方便用户采用不同的输入信号或PWM信号进行测试和调试。

三、量产与封装

• MasterGaN3和MasterGaN5现已量产，并采用针对高压应用优化的9mm x 9mm GQFN封装，高低压焊盘间爬电距离为2mm。

四、公司背景

意法半导体（STMicroelectronics）是一家拥有46,000名半导体技术的创造者和创新者的公司，掌握半导体供应链和先进的制造设备。作为一家独立的半导体设备制造商，意法半导体与十万余客户、数千名合作伙伴共同研发产品和解决方案，构建生态系统，以应对各种挑战和新机遇，满足世界对可持续发展的更高需求。

综上所述，意法半导体的MasterGaN3和MasterGaN5产品以其高能效、小型化、集成化设计以及广泛的安全保护功能和兼容性，为高能效功率变换应用提供了理想的解决方案。