原标题：应用材料公司在芯片布线领域取得重大突破，驱动逻辑微缩进入3 纳米及以下技术节点

应用材料公司在芯片布线领域确实取得了重大突破，成功驱动逻辑微缩进入3纳米及以下技术节点。以下是关于这一突破的具体介绍：

一、技术背景与挑战

随着芯片制造技术的不断发展，晶体管尺寸的不断缩小带来了性能的提升，但同时也对互连布线提出了更高的挑战。互连布线越细，电阻越大，导致性能降低和功耗增加。因此，如何在保持晶体管性能提升的同时，解决互连布线带来的问题，成为了芯片制造领域的一大难题。

二、技术突破

应用材料公司针对这一难题，开发了一种全新的先进逻辑芯片布线工艺技术——Endura® Copper Barrier Seed IMS™（以下简称Endura IMS）。这一技术在高真空条件下，将七种不同的工艺技术集成到了一个系统中，包括ALD、PVD、CVD、铜回流、表面处理、界面工程和计量等。通过这一整合，Endura IMS实现了以下突破：

1. 电阻降低：Endura IMS采用了选择性ALD沉积技术，取代了原先的共形沉积，从而消除了通过接口的高电阻性障碍。同时，铜回流技术实现了在窄间隙中的无空洞间隙填充，进一步降低了电阻。据应用材料公司介绍，通过这一技术，通孔接触界面的电阻降低了高达50%。

2. 性能与功耗改善：电阻的降低直接带来了芯片性能和功耗的改善。在3纳米及以下技术节点，Endura IMS使得逻辑微缩得以继续，同时保持了芯片的高性能和低功耗。

三、市场应用与前景

Endura IMS技术已经被全球领先的逻辑节点代工厂客户采用，并应用于实际生产中。这一技术的成功应用，不仅推动了芯片制造技术的发展，也为智能手机、数据中心等高性能计算领域带来了更加先进的芯片解决方案。

此外，随着AI时代的到来，对芯片能效的要求越来越高。应用材料公司的这一技术突破，为AI运算的永续增长提供了有力的支持。未来，随着背面供电网络技术（BSPDN）等新技术的发展，应用材料公司在芯片布线领域的商机将进一步扩大。

综上所述，应用材料公司在芯片布线领域取得的重大突破，不仅解决了互连布线带来的挑战，也推动了芯片制造技术的发展和应用。这一技术突破对于提高芯片性能、降低功耗以及推动AI运算的永续增长具有重要意义。