原标题：英飞凌OptiMOS源极底置功率MOSFET系列新添PQFN封装的40 V装置

英飞凌科技股份公司（Infineon Technologies AG）近日推出了新一代OptiMOS™源极底置（Source-Down，简称SD）功率MOSFET，为解决终端应用中的设计挑战提供了创新解决方案。此次新推出的PQFN封装的40V装置，进一步丰富了OptiMOS系列的产品阵容，为市场带来了更多选择。

产品特点

1. 源极底置（SD）封装技术
   该装置采用源极底置PQFN封装，尺寸为3.3mm×3.3mm，与现有技术相比，可使导通电阻（RDS(on)）降低25%，同时接面与外壳间的热阻（RthJC）也获得大幅改善。这种封装设计不仅提高了功率密度，还优化了散热性能，使得器件在高功率应用中表现更加出色。

2. 高功率密度与低导通电阻
   新装置提供两种版本：标准版和中央栅极版。其中，中央栅极版针对多部装置并联作业进行了优化，进一步提升了电流能力和系统效率。该装置的导通电阻（RDS(on)）在10V栅极电压下可低至1.35mΩ，满足了市场对低损耗、高效率功率器件的需求。

3. 高电流能力与热性能
   SD OptiMOS可承受高达194A的高连续电流，且在高温环境下仍能保持稳定的性能。其出色的热性能得益于优化的封装设计和材料选择，使得器件在散热方面表现卓越，延长了使用寿命并提高了可靠性。

应用领域

新推出的40V SD MOSFET适用于多种高要求应用，包括但不限于：

• 服务器电源供应单元（SMPS）
  在服务器中，SMPS需要高效、稳定的功率转换，以确保数据中心的可靠运行。OptiMOS 40V SD MOSFET凭借其低导通电阻和高功率密度，成为SMPS设计的理想选择。

• 电信设备与OR-ing应用
  在电信设备中，高可靠性的功率器件是保障通信畅通的关键。OptiMOS 40V SD MOSFET的出色性能使其能够满足电信设备对功率转换和保护的高要求。

• 电池保护
  随着电动汽车和便携式电子设备的普及，电池保护电路对功率器件的需求日益增长。OptiMOS 40V SD MOSFET的高电流能力和低导通电阻，使其成为电池保护电路中的优选器件。

• 电动工具与充电器
  在电动工具和充电器中，功率器件需要承受高负载和高温环境。OptiMOS 40V SD MOSFET的优异热性能和可靠性，使其能够满足这些应用对功率器件的严苛要求。

市场影响与前景

英飞凌此次推出的OptiMOS 40V SD MOSFET，不仅丰富了其功率MOSFET产品线，还进一步巩固了英飞凌在功率半导体市场的领先地位。随着电动汽车、数据中心、5G通信等市场的快速发展，对高效、可靠功率器件的需求将持续增长。OptiMOS 40V SD MOSFET凭借其卓越的性能和广泛的应用领域，有望在未来市场中占据重要份额。

此外，英飞凌在功率半导体领域的技术创新和市场布局，也为其未来的发展奠定了坚实基础。通过不断推出新产品和解决方案，英飞凌将继续引领功率半导体市场的发展潮流，为全球客户提供更加优质的产品和服务。