三星电子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)碍于南韩新颁布的学生不得加班法令，满手订单却陷入缺工困境，正急着大举招募新人帮手。

南韩中央日报(Korea JoongAng Daily)14日报导(见此)，南韩去(2016)年8月禁止学生加班或在假日打工，过去习惯聘用学生补足制造厂房空缺的三星，在半导体厂需24小时不断运作的情况下，开始面临缺工问题。

三星一名主管说，工作量如今积到天花板，已经无力应付订单，再加上公司还在扩充产品线，有专长的员工现在真的很缺。 三星最近才在网站上张贴出征才公告，希望找到有经验的人才加入内存事业，另外还在今年上半聘请了300名高职学校的毕业生。

SK海力士也在8月初开始为固态硬盘(SSD)部门寻找有经验的专业人士，DRAM测试软件开发员、内存架构设计员也在人才招募之列。

三星副董事长权五铉(Kwon Oh-Hyun)最近已经专程跟新任总统文在寅(Moon Jae-in)会面，诉说公司在寻找优质人才时遭遇的严重问题。 三星半导体事业管理董事Lee Seung-baek说，半导体的难度相当高，专长这个领域的大学生并不多，南韩的技术领先业界，因此想在海外找到合适的人才，也不太容易。

三星今年打算耗资20兆韩圜扩充半导体生产线，尤其是3D NAND厂房，而SK海力士则打算砸下9.6兆韩圜、扩充计算机芯片产能。

内存需求发烧，三星电子营收暴增，踢下英特尔(Intel)，晋身全球芯片龙头。 华尔街日报、美联社7月底报导，过去1/4世纪以来，英特尔一直是全球芯片霸主，不过随着计算机市场转疲，英特尔光芒不再。 今年第二季，三星芯片部门营收为157亿美元、营益为71亿美元。 相较之下，英特尔营收为148亿美元、营益为38亿美元。

不过，内存正热门，各家厂商虎视眈眈，竞相加入，未来恐怕会生产过剩，削弱价格。 Objective Analysis内存芯片分析师Jim Handy预测，明年年中内存可能会供过于求，他说，要是未来三星营收长期低于英特尔，他不会感到惊讶。

IC Insights 7月18日新闻稿称，内存以往市况显示，过度投资常会造成产能过剩、削弱价格。 未来几年三星电子、SK海力士、美光、英特尔、东芝/SanDisk、武汉新芯(XMC)/长江存储(Yangtze River Storage)都大举提高3D NAND flash产能，未来可能还有中国新业者加入战场，3D NAND flash产能过多的可能性“非常高”(very high)。

【相关信息】内存缺货有多严重?

DRAM、NAND Flash和NOR Flash三大内存持续供货短缺，创下史上罕见同缺记录。 其中DRAM和NAND内存，更写下史上最长涨势。

内存业界表示，2008及2015年都出现过DRAM大涨，但多是因跌深或供货商发生爆炸意外所造成的供需失衡，且DRAM和NAND Flash产能会排挤，很少看到两大内存同涨。

这次DRAM和NAND内存两大内存缺货超乎预期且价格上涨，主要来自数据中心、移动设备及计算机三大领域应用需求强，前三大厂包括三星、SK海力士和美光等也未增建新厂，造成供货紧缩，DRAM与NAND同时大涨，涨这么久，已写下史上最长纪录。三星电子在大中华区的授权分销商有：泰科源、深圳升邦电子、深圳市万瑞尔、爱施得、昆山锦腾贸易、成都欣诺通讯科技、深圳市科辉特电子等。SK海力士在大中华区的授权分销商有：超联科技集团、深圳升邦电子、深扬电子(深圳)、深圳市茂凯科技等。欢迎登录www.cedachina.org查看授权分销商目录或联系CEDA秘书处对接授权分销商渠道得到可靠的货源。

除DRAM、NAND Flash外，NOR Flash也因美国二大供货商淡出，加上OLED面板必须导入作为储存保持OLED面板颜色饱和度参数，以及物联网及车用半导体等新应用大增，市场供应到明年都处于缺货。

近期全球DRAM龙头韩国三星电子通知相关电子委托制造厂，计划调涨第4季移动内存合约价，涨幅近一成，反映DRAM供货短缺仍未纾解，加上地缘政治紧张的预期心理，涨势可望延续至今年第4季。

不少分析师预期DRAM价格将在本季创高峰，但受到美光桃园N2厂氮气厂纯化设备毁坏影响，DRAM缺货不仅短期难解，价格涨势也超乎预期。

稍早集邦调查，7月DRAM合约价单月涨幅达4.6%，虽然美光桃园N2厂已陆续恢复生产，美光也计划在未来几个月增产，弥补这段时间生产线影响的缺口。 但据调查，美光桃园N2厂这次受损及报废的12寸DRAM晶圆估计达5万片，且多数以供货给苹果手机和相关服务器用的低功耗移动DRAM，给全球最大移动内存供货商三星填补缺口的机会，并决定在第4季各大手机和移动设备备货旺季，调涨移动内存售价。

图1：三大记忆体缺货原因，图来自台湾经济日报