原标题：美光开始量产1z nm工艺节点的DRAM内存

　　美光科技(Micron)16日宣布进一步推动DRAM产品的革新，其开始采用业界首个“1z nm”的工艺节点批量生产16Gb DDR4内存。

　　与上一代1Y nm相比，该公司将使用1z nm节点来改善DRAM性能并降低成本。该工艺技术强化了计算DRAM(DDR4)，移动DRAM(LPDDR4)和图形DRAM(GDDR6)产品线的相对性能和功耗方面的持续优化。可适用于人工智能，自动驾驶汽车，5G，移动设备，图形，游戏，网络基础设施和服务器等应用。

　　该公司通过大规模生产新的16Gb DDR4内存产品，开始向1z nm过渡。它与前几代基于8Gb DDR4的产品相比，功耗降低约40%。

　　据悉，该公司还开始批量生产由1z nm节点制造的用于移动设备的16Gb LPDDR4X DRAM。并还提供基于UFS的多芯片封装(uMCP4)。

　　1z nm LPDDR4X产品提供业界最低的功耗，它与上一代4K视频播放等内存密集型应用解决方案相比，功耗降低了10%。作为目前可用的最高容量单片16Gb LPDDR4X芯片(可在单个封装中堆叠多达8个裸片)，LPDDR4X可在不增加前几代LPDDR4封装尺寸的情况下使存储器容量翻倍。

　　目前，该公司LPDDR4X内存解决方案已批量供货，可作为分立解决方案和八种不同配置的基于UFS的多芯片封装(uMCP4)，范围从64GB + 3GB到256GB + 8GB。

　　另外，美光新加坡3D NAND闪存生产基地(Fab 10)的扩建已于14日完成，NAND大规模生产计划于2019年下半年在扩建工厂开始。