压敏电阻的选用方法有哪些?


压敏电阻的选用需综合考虑电路特性、保护需求及环境条件,确保其能有效抑制瞬态过电压并可靠工作。以下是详细的选用方法及关键步骤:
一、明确保护目标与电路参数
1. 确定保护对象
敏感元件:如芯片、电容、传感器等,需明确其耐压值(如芯片的绝对最大额定电压)。
电路类型:区分交流(AC)或直流(DC)电路,以及电源输入端、信号接口、电机驱动等不同场景。
2. 分析电路参数
工作电压:
AC电路:测量有效值(如220V AC),峰值电压为有效值×√2(≈311V)。
DC电路:直接测量直流电压(如12V DC)。
预期浪涌类型:
雷击浪涌(高能量、低频率)。
静电放电(ESD,高电压、短时间)。
开关操作产生的尖峰(如感性负载关断时的反电动势)。
二、关键参数选型
1. 标称电压(V₁mA)
定义:压敏电阻在1mA直流电流下测得的电压值,是其导通阈值。
选型原则:
V₁mA > 电路正常工作电压峰值:避免误动作。
V₁mA < 后级元件耐压值:确保浪涌时电压被钳位在安全范围。
经验公式:
AC电路:V₁mA ≥ (1.8~2.5) × √2 × V_rms(如220V AC选470V~680V)。
DC电路:V₁mA ≥ (1.2~1.5) × V_DC(如12V DC选18V~22V)。
2. 通流容量(Ipp)
定义:压敏电阻在8/20μs波形下能承受的最大浪涌电流峰值。
选型原则:
根据预期浪涌能量选择,需留足够余量(通常选预期浪涌电流的1.5~2倍)。
常见场景参考:
家庭电器(如空调):2kA~4kA。
工业设备(如变频器):10kA~40kA。
通信设备(如路由器):500A~1kA(针对ESD)。
3. 能量吸收能力(Wₜ)
定义:压敏电阻在单次浪涌中能吸收的最大能量(单位:焦耳,J)。
选型原则:
计算浪涌能量:W = 0.5 × C × V²(电容放电场景)或根据浪涌电流波形积分。
选择Wₜ ≥ 计算值的1.2~1.5倍。
示例:
雷击浪涌(8/20μs,10kA,470V):W ≈ 0.5 × 10kA × 470V × 8μs ≈ 188J(需选Wₜ≥200J的型号)。
4. 最大持续工作电压(MCV)
定义:压敏电阻可长期承受的最大直流或交流有效值电压。
选型原则:
MCV > 电路正常工作电压(留10%~20%余量)。
避免长期接近MCV工作,防止性能退化。
5. 漏电流(I_L)
定义:在标称电压下,压敏电阻的静态电流。
选型原则:
漏电流越小越好(通常≤1μA),避免增加电路功耗。
高阻抗型压敏电阻(如SMD封装)漏电流更低。
三、物理特性与封装选择
1. 封装形式
引线型:如5D、7D、10D、14D、20D(数字代表直径,单位mm),适用于大电流场景(如电源输入端)。
贴片型(SMD):如0402、0603、0805、1206,适用于小型化电路(如手机、USB接口)。
圆片型:如φ5mm、φ7mm,用于高电压场景(如高压直流输电)。
2. 尺寸与功率
尺寸越大:通流容量和能量吸收能力越强,但寄生电容也越大(可能影响高频信号)。
功率:需满足浪涌时的瞬时功率(P = V × I),通常选择功率降额≥50%的型号。
3. 寄生电容
影响:高频电路中,寄生电容可能引入信号衰减或相位失真。
选型原则:
低频电路(如电源):寄生电容可忽略(通常为几百pF至几nF)。
高频电路(如RF接口):选低电容型(如<10pF)或串联磁珠隔离。
四、环境适应性考量
1. 工作温度范围
工业级:-40℃~+85℃(适用于户外设备)。
商业级:0℃~+70℃(适用于室内设备)。
高温环境:需降额使用(如每升高10℃,通流容量降低约10%)。
2. 湿度与防护
防潮设计:在潮湿环境中,压敏电阻可能因吸湿导致漏电流增大,需选择涂覆三防漆或密封封装的型号。
耐盐雾:海洋环境需选抗腐蚀封装(如环氧树脂涂层)。
3. 机械应力
振动场景:避免使用引线型压敏电阻,防止引脚断裂,优先选贴片型或加固引线。
五、认证与标准符合性
1. 安全认证
IEC 61000-4-5:浪涌抗扰度测试标准。
UL 1449:浪涌保护器件(SPD)安全标准。
CQC:中国强制性产品认证(适用于国内销售设备)。
2. 环保要求
RoHS:符合无铅化要求。
REACH:无有害物质限制。
六、选型步骤总结
确定保护需求:电压等级、浪涌类型、能量大小。
计算关键参数:
V₁mA = (1.2~2.5) × 电路峰值电压。
Ipp = 1.5 × 预期浪涌电流峰值。
Wₜ = 1.2 × 浪涌能量计算值。
选择封装与尺寸:根据空间、电流和频率需求。
验证环境适应性:温度、湿度、机械应力。
检查认证与成本:确保符合标准且性价比合理。
七、典型应用案例
案例1:220V AC电源输入端保护
需求:抑制雷击浪涌(8/20μs,10kA,470V)。
选型:
V₁mA = 470V(留余量)。
Ipp = 10kA(直接匹配浪涌电流)。
Wₜ = 200J(计算值≈188J,留余量)。
封装:14D或20D引线型(大通流容量)。
案例2:USB 3.0接口ESD保护
需求:抑制±15kV静电放电(IEC 61000-4-2)。
选型:
V₁mA = 18V(USB 5V供电,留3倍余量)。
Ipp = 500A(ESD能量低,但需快速响应)。
封装:0402 SMD(小型化,低电容<5pF)。
八、常见误区与注意事项
标称电压误选:
过高:无法有效钳位浪涌电压。
过低:正常工作时误动作,导致漏电流增大或发热。
通流容量不足:
浪涌时压敏电阻可能烧毁,甚至炸裂产生电弧。
忽略寄生电容:
高频电路中可能导致信号失真,需优先选低电容型号。
未考虑降额使用:
高温或高湿度环境下需降低工作电压或通流容量。
单级保护不足:
需与保险丝、TVS二极管等元件协同工作,形成多级防护。
责任编辑:Pan
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