sn74hc04n中文资料


SN74HC04N:高速CMOS六路反相器集成电路综合详解
SN74HC04N是一款应用极为广泛的高速CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor,互补金属氧化物半导体)器件,其内部集成了六个独立的逻辑反相器。作为德州仪器(Texas Instruments, TI)74HC逻辑系列中的基础成员,它凭借其高速、低功耗、宽工作电压范围以及高噪声裕度等优异特性,在数字电子技术的各个领域中扮演着至关重要的角色。从简单的逻辑电平转换、信号缓冲,到复杂的振荡器、时序电路构建,SN74HC04N的身影无处不在。本篇文章将对SN74HC04N的各项技术细节、工作原理、电气特性、封装信息及典型应用进行全面而深入的剖析,旨在为电子工程师、爱好者及相关专业学生提供一份详尽的参考资料。
第一章:SN74HC04N概述与核心技术
1.1 型号释义与家族背景
SN74HC04N这个型号本身蕴含了丰富的信息。
SN:这是德州仪器(Texas Instruments)生产的半导体产品的标准前缀。
74:这个数字表示该器件属于经典的74系列逻辑集成电路家族。74系列是数字逻辑电路的工业标准,最初由TTL(Transistor-Transistor Logic,晶体管-晶体管逻辑)工艺实现。
HC:这两个字母代表“High-Speed CMOS”,即高速CMOS。这表明该器件采用了先进的硅栅CMOS技术制造,旨在实现与低功耗肖特基TTL(LSTTL,如74LS系列)相当的工作速度,同时保持CMOS技术固有的低功耗优势。
04:这个数字是该器件的功能代码,在74系列中,“04”特指六路反相器(Hex Inverter)。
N:这个后缀字母通常用来表示器件的封装类型。对于SN74HC04N而言,“N”通常指代PDIP(Plastic Dual In-line Package),即塑料双列直插式封装,这是一种非常适合用于原型设计和通孔电路板焊接的封装形式。
SN74HC04N所属的74HC系列是逻辑器件发展史上的一个重要里程碑。在它出现之前,设计者常常需要在速度和功耗之间做出艰难的权衡。TTL系列(如74LS04)速度快,驱动能力强,但静态功耗较高;而早期的金属栅CMOS系列(如CD4069)虽然功耗极低,但工作速度较慢,无法满足许多高速系统的需求。74HC系列的诞生成功地将两者的优点结合起来,它采用5微米或更小的硅栅CMOS工艺,大大减小了晶体管的尺寸和寄生电容,从而显著提升了开关速度,使其能够与74LS系列相媲美,甚至在某些方面有所超越。同时,由于其CMOS结构,其静态功耗几乎可以忽略不计,仅在开关瞬间才消耗显著的动态功率。这一技术突破极大地推动了便携式电子设备、计算机外设以及其他对功耗和速度均有要求的数字系统的发展。
1.2 逻辑功能:反相器
SN74HC04N的核心功能是逻辑“非”(NOT),即反相。其内部包含六个完全相同的、各自独立的反相器门电路。每一个反相器都有一个输入端(A)和一个输出端(Y)。其逻辑关系非常简单:当输入端A为高电平(逻辑“1”)时,输出端Y则为低电平(逻辑“0”);反之,当输入端A为低电平(逻辑“0”)时,输出端Y则为高电平(逻辑“1”)。
这个基本的逻辑功能是构建所有复杂数字系统的基础。其布尔代数表达式为:
Y=A
其真值表如下:
输入 (A) | 输出 (Y) |
L | H |
H | L |
其中,L代表低电平,H代表高电平。
这六个独立的反相器为电路设计提供了极大的灵活性。设计师可以根据需要使用其中的一个或多个,未使用的反相器可以根据推荐的处理方式(输入端接VCC或GND)进行处理,以避免输入悬空导致的不稳定状态和额外功耗。
第二章:封装与引脚布局
2.1 SN74HC04N的PDIP-14封装
如前所述,SN74HC04N中的“N”后缀通常指代PDIP-14封装。这是一种非常经典的14引脚双列直插封装,引脚间距为标准的0.1英寸(2.54毫米),两列引脚之间的宽度为0.3英寸(7.62毫米)。这种封装的优点在于其机械强度高,易于手动焊接和插拔,非常适合在面包板上进行快速原型验证和教学实验。
2.2 引脚功能详解
SN74HC04N的14个引脚定义清晰明确,遵循74系列逻辑器件的传统布局。
VCC (引脚 14):这是芯片的正电源供电引脚。对于74HC系列,其工作电压范围非常宽,通常为2V至6V。所有内部的逻辑门电路都需要这个电压来正常工作。
GND (引脚 7):这是芯片的接地引脚,作为电路的0V参考点。
其余的12个引脚则构成了六个独立的反相器通道,每一对输入/输出引脚都相邻排布,方便电路布线。
通道 1:
1A (引脚 1):第一个反相器的输入端。
1Y (引脚 2):第一个反相器的输出端。
通道 2:
2A (引脚 3):第二个反相器的输入端。
2Y (引脚 4):第二个反相器的输出端。
通道 3:
3A (引脚 5):第三个反相器的输入端。
3Y (引脚 6):第三个反相器的输出端。
通道 4:
4A (引脚 9):第四个反相器的输入端。
4Y (引脚 8):第四个反相器的输出端。
通道 5:
5A (引脚 11):第五个反相器的输入端。
5Y (引脚 10):第五个反相器的输出端。
通道 6:
6A (引脚 13):第六个反相器的输入端。
6Y (引脚 12):第六个反相器的输出端。
这种对称且直观的引脚布局使得设计者可以轻松地在PCB上进行布线,将输入信号引入一侧,从另一侧获得输出信号,或者在芯片的同一侧完成简单的信号反相操作。
2.3 其他封装形式
尽管SN74HC04N特指PDIP封装,但74HC04的功能核心也被封装在其他多种形式中,以适应不同的应用需求,特别是表面贴装技术(SMT)在现代电子制造中的普及。常见的其他封装包括:
SOIC (Small-Outline Integrated Circuit):例如SN74HC04DR,这是一种翼形引脚的表贴封装,尺寸比PDIP小得多。
TSSOP (Thin Shrink Small-Outline Package):例如SN74HC04PWR,这是一种更小更薄的表贴封装,引脚间距更小,空间利用率更高。
SSOP (Shrink Small-Outline Package):例如SN74HC04DBR。
这些不同的封装形式在电气性能上与SN74HC04N基本相同,但在热阻、寄生电感电容以及电路板布局密度方面存在差异。
第三章:内部电路结构与工作原理
3.1 CMOS反相器基本单元
SN74HC04N内部的每一个反相器都是由一个P沟道MOSFET(PMOS)和一个N沟道MOSFET(NMOS)构成的互补对组成。这是CMOS技术的核心结构。
结构: PMOS晶体管的源极(Source)连接到正电源VCC,NMOS晶体管的源极连接到地GND。两个晶体管的栅极(Gate)连接在一起,形成反相器的输入端A。两个晶体管的漏极(Drain)也连接在一起,形成反相器的输出端Y。
工作原理:
PMOS的栅极电压接近其源极电压(VGS_p ≈ 0),因此PMOS截止。
NMOS的栅极电压远高于其源极电压(VGS_n ≈ VCC),因此NMOS导通,形成一个从输出Y到GND的低阻通路。
结果:输出端Y被NMOS管有效地拉到GND电平,即输出为低电平。
PMOS的栅极电压远低于其源极电压(VGS_p ≈ -VCC),因此PMOS导通,形成一个从VCC到输出Y的低阻通路。
NMOS的栅极电压接近其源极电压(VGS_n ≈ 0),因此NMOS截止,其漏源之间呈高阻状态。
结果:输出端Y被PMOS管有效地拉到VCC电平,即输出为高电平。
当输入A为低电平 (Vin ≈ GND):
当输入A为高电平 (Vin ≈ VCC):
低静态功耗的来源: 在稳定的高电平或低电平输入状态下,PMOS和NMOS中总有一个是处于截止状态的。这使得从VCC到GND之间不存在直接的导电通路,因此静态电流(I_CC)极小,通常在微安(µA)甚至纳安(nA)级别。这是CMOS电路相比TTL等其他逻辑族最显著的优势之一。主要的功耗发生在输入电平从高到低或从低到高转换的瞬间,此时PMOS和NMOS会有一个短暂的同时导通时期,形成一个瞬间的贯通电流。此外,对输出负载电容的充放电也是动态功耗的主要来源。
3.2 缓冲输出级(Buffered Output)
标准的74HC04反相器通常是带缓冲的。这意味着在基本的CMOS反相器单元之后,通常还会再串联两级反相器(总共三级)。
输入 -> 反相器1 -> 反相器2 -> 反相器3 -> 输出
这样做有几个重要的好处:
波形整形 (Waveform Shaping):对于输入信号的上升沿和下降沿,即使它们比较缓慢或不规则,经过三级反相器的放大和整形作用,最终的输出信号将具有非常陡峭、清晰的上升和下降沿。这对于保证数字信号的完整性至关重要。
提高驱动能力和对称性: 输出级由一个更大尺寸的PMOS/NMOS对构成,能够提供更大的拉电流(source current,输出高电平时)和灌电流(sink current,输出低电平时),从而可以驱动更多的后续逻辑门(即扇出数更高)或更大的容性负载。缓冲设计还能使输出的高电平驱动能力和低电平驱动能力更加对称。
提高噪声抗扰度: 缓冲结构使得逻辑转换阈值更加陡峭,增大了逻辑电平的噪声裕度,使得电路对电源噪声和信号串扰的抵抗能力更强。
需要注意的是,市面上也存在无缓冲(Unbuffered)的反相器,如74HCU04。"U"代表Unbuffered。无缓冲版本只包含单级的反相器。这类器件由于其模拟特性更强,在一些特定的线性应用中(如晶体振荡器)表现更佳,但其逻辑性能和驱动能力则不如缓冲型。
第四章:详细电气特性
分析一款集成电路,其数据手册(Datasheet)中的电气特性参数至关重要。以下是对SN74HC04N关键参数的详细解读(数值为典型值或在特定条件下的保证值,具体应参考TI官方最新数据手册)。
4.1 绝对最大额定值 (Absolute Maximum Ratings)
这是指器件能够承受的极限条件,任何超出此范围的应力都可能导致器件的永久性损坏。这些是“应力评级”,不代表器件可以在这些条件下正常工作。
电源电压 (VCC): 通常为 -0.5V 至 +7V。这意味着在任何情况下,施加在VCC和GND之间的电压都不能超过7V。
输入电压 (Vin): 通常为 -0.5V 至 VCC + 0.5V。输入引脚的电压不能低于GND 0.5V,也不能高于VCC 0.5V。超出这个范围可能会损坏输入端的保护二极管。
输出电压 (Vout): 通常为 -0.5V 至 VCC + 0.5V。
输入钳位电流 (IIK): 当Vin < -0.5V 或 Vin > VCC + 0.5V 时,输入保护二极管会导通,其电流通常限制在 ±20mA 以内。
输出钳位电流 (IOK): 类似于输入钳位电流,限制在 ±20mA。
连续输出电流 (Iout): 每个输出引脚能持续提供或吸收的电流,通常为 ±25mA。
VCC/GND持续电流 (ICC/IGND): 流经电源或地引脚的总电流,通常为 ±50mA。
工作温度范围 (TA): 对于工业级SN74HC04N,通常为 -40°C 至 +85°C。汽车级(如SN74HC04-Q1)则更宽,可达 -40°C 至 +125°C。
存储温度范围 (Tstg): 通常为 -65°C 至 +150°C。
4.2 推荐工作条件 (Recommended Operating Conditions)
这是保证器件能够正常工作并满足所有性能指标的条件范围。
电源电压 (VCC): 2V 至 6V。这是74HC系列的一个核心优势,宽电压范围使其能兼容多种系统,包括3.3V和5V标准逻辑电平系统。
输入电压 (Vin): 0V 至 VCC。
输出电压 (Vout): 0V 至 VCC。
输入转换上升/下降速率 (Δt/Δv): 这是对输入信号变化速度的要求,以防止因输入转换过慢而导致内部逻辑单元长时间处于中间状态,从而产生振荡和过大的功耗。在VCC=4.5V时,通常要求速率快于约3.6 µs/V。
4.3 直流电气特性 (DC Electrical Characteristics)
这些参数描述了器件在静态(直流)条件下的性能。以下参数通常在推荐工作条件下,跨越整个工作温度范围进行测试。
高电平输入电压 (V_IH): 保证被识别为逻辑高电平的最小输入电压。
VCC = 2.0V 时,V_IH (min) = 1.5V
VCC = 4.5V 时,V_IH (min) = 3.15V
VCC = 6.0V 时,V_IH (min) = 4.2V
低电平输入电压 (V_IL): 保证被识别为逻辑低电平的最大输入电压。
噪声裕度 (Noise Margin) 是从这些参数衍生出的重要指标。
高电平噪声裕度 (NMH) = V_OH(min) - V_IH(min)
低电平噪声裕度 (NML) = V_IL(max) - V_OL(max) 74HC系列具有优异的噪声裕度,通常接近电源电压的30%,这使其在噪声环境中非常可靠。
VCC = 2.0V 时,V_IL (max) = 0.5V
VCC = 4.5V 时,V_IL (max) = 1.35V
VCC = 6.0V 时,V_IL (max) = 1.8V
高电平输出电压 (V_OH): 在输出为高电平,并提供指定拉电流(IOH)时,输出引脚的最小电压。
在VCC=4.5V,IOH = -4mA时,V_OH (min) ≈ 3.84V。这意味着即使在驱动一个相对较大的负载时,输出高电平依然非常接近VCC。
低电平输出电压 (V_OL): 在输出为低电平,并吸收指定灌电流(IOL)时,输出引脚的最大电压。
在VCC=4.5V,IOL = 4mA时,V_OL (max) ≈ 0.33V。这表明输出低电平非常接近GND。
输入漏电流 (I_I): 当输入引脚施加0V至VCC之间的任意电压时,流入或流出输入端的电流。由于MOSFET的栅极是绝缘的,这个电流非常小,典型值在nA级别,最大值通常不超过 ±1µA。
静态电源电流 (I_CC): 当所有输入都处于VCC或GND,且无负载时,整个芯片消耗的电源电流。这是衡量CMOS器件功耗的关键指标,典型值极低,在25°C时最大保证值为2µA,在整个温度范围内最大为20µA。
4.4 交流电气特性 (AC Electrical Characteristics)
这些参数描述了器件的动态(开关)性能,对于高速应用至关重要。
传输延迟时间 (t_pd 或 t_PLH / t_PHL): 这是衡量器件速度的核心指标。它定义为从输入信号达到50%幅度点到输出信号达到50%幅度点之间的时间差。
t_PLH: 输出从低电平跳变到高电平的传输延迟。
t_PHL: 输出从高电平跳变到低电平的传输延迟。 传输延迟与电源电压和负载电容密切相关。电压越高,速度越快;负载电容越大,速度越慢。
在 VCC = 4.5V, CL = 50pF, TA = 25°C 时,典型的 t_pd 约为 8ns。最大值通常在18ns左右。这个速度与74LS04相当。
输出转换时间 (t_t 或 t_TLH / t_THL): 输出信号从10%幅度上升到90%幅度(t_TLH,上升时间)或从90%下降到10%(t_THL,下降时间)所需的时间。它反映了输出边沿的陡峭程度。
在 VCC = 4.5V, CL = 50pF 时,典型的 t_t 约为 8ns。
功耗电容 (C_pd): 这是一个等效电容,用于计算器件的动态功耗。动态功耗主要由两部分组成:对内部和外部负载电容的充放电功耗,以及开关瞬间的贯通电流功耗。C_pd将这部分内部功耗等效为一个电容。每个反相器的动态功耗可以通过以下公式估算:
PD=(CL+Cpd)×VCC2×fin
其中, C_L 是外部负载电容, f_in 是输入信号的频率。对于SN74HC04,每个反相器的C_pd典型值约为20pF。
第五章:典型应用电路
SN74HC04N的六个反相器提供了极大的设计灵活性,使其能够实现多种多样的电路功能。
5.1 基本逻辑应用
信号反相: 这是其最基本的功能。在数字系统中,经常需要对控制信号、时钟信号或数据信号进行反相。
逻辑门构建: 使用反相器可以与其他逻辑门(如与门、或门)组合,构建出更复杂的逻辑功能。例如,一个与门(AND)后面接一个反相器,就构成了一个与非门(NAND)。
信号缓冲器: 将两个反相器串联使用(Y = overline{overline{A}} = A),可以构成一个同相缓冲器。这不会改变逻辑状态,但可以起到波形整形、提高驱动能力和隔离前后级电路的作用。
5.2 振荡器电路
反相器是构建简单方波振荡器的理想选择。
环形振荡器 (Ring Oscillator): 将奇数个(通常是3个或5个)反相器首尾相连,就可以构成一个环形振荡器。最后一个反相器的输出连接到第一个反相器的输入。由于奇数次反相导致负反馈,电路会进入不稳定状态并开始振荡。振荡频率主要由每个反相器的传输延迟决定,频率 F ≈ 1 / (2 * n * t_pd),其中n是反相器的数量。这种振荡器结构简单,但频率稳定性较差,易受电源电压和温度影响。
RC振荡器: 在一个反相器的输入和输出之间连接一个反馈电阻R,在输入端和地之间连接一个电容C,可以构成一个简单的RC振荡器。当输出为高电平时,通过R向C充电,当C的电压达到反相器的输入高电平阈值V_IH时,输出翻转为低电平。然后C通过R放电,当电压下降到V_IL时,输出再次翻转为高电平,周而复始。振荡频率大约为 F ≈ 1 / (2.2 * R * C)。通过调整R和C的值,可以方便地改变振荡频率。为了获得更稳定的输出,通常会使用两个或三个反相器来构建振荡器。
晶体振荡器 (Crystal Oscillator): 这是利用SN74HC04N最重要和最常见的应用之一。通过配合石英晶体,可以构建出频率非常稳定和精确的振荡器,常用于微控制器、通信系统等作为时钟源。典型的皮尔斯振荡器(Pierce Oscillator)电路使用一个反相器,一个反馈电阻Rf,以及一个晶体和两个负载电容C1、C2。
反相器在这里工作在其线性放大区,提供180度的相移。
由晶体和C1、C2组成的π型网络提供另外180度的相移,满足巴克豪森振荡条件。
反馈电阻Rf(通常为MΩ级别)将反相器偏置在线性区。
负载电容C1和C2的值对振荡频率有微调作用,并且需要根据晶体的规格来选择。
为了获得更好的性能和稳定性,强烈建议使用无缓冲的反相器(如74HCU04),因为缓冲型反相器的多级结构可能引入额外的相移和不稳定性。如果只能使用74HC04,通常需要在输出端串联一个电阻(Rs)来抑制高次谐波,改善波形。
5.3 其他应用
施密特触发器 (Schmitt Trigger): 通过在反相器输入端引入正反馈,可以构建一个简易的施密特触发器。这可以用于处理缓慢变化或带有噪声的模拟信号,将其转换为清晰的数字信号。
单稳态触发器 (Monostable Multivibrator): 可以用于产生指定宽度的脉冲,用于定时或脉冲展宽。
电平转换器: 在某些条件下,利用其宽电源电压范围,可以用于简单的电平转换,例如将一个较低电压的CMOS输出信号转换为一个较高电压的CMOS输入信号。
第六章:设计与使用注意事项
为了确保SN74HC04N的可靠运行和最佳性能,设计者应遵循以下指导原则。
6.1 电源去耦
对于任何高速数字IC,电源去耦都至关重要。应在SN74HC04N的VCC(引脚14)和GND(引脚7)之间尽可能近地放置一个高质量的陶瓷电容(通常为0.1µF或100nF)。这个电容作为一个本地的电荷库,可以为芯片在开关瞬间提供所需的瞬时大电流,并滤除电源总线上的高频噪声,防止其影响芯片的正常逻辑功能。
6.2 未使用引脚的处理
这是CMOS逻辑器件设计中最基本也是最重要的规则之一。SN74HC04N中任何未使用的输入引脚(1A, 3A, 5A, 9A, 11A, 13A)绝对不能悬空。悬空的CMOS输入会使其电位处于不确定的浮动状态,通常会在逻辑阈值附近徘徊。这会导致以下严重问题:
输出不稳定: 输出端可能会产生振荡或不确定的电平。
功耗显著增加: 输入处于中间电平时,内部的PMOS和NMOS晶体管会同时部分导通,形成一个从VCC到GND的显著的贯通电流,导致静态功耗急剧上升,甚至可能使芯片过热。
正确的处理方法是:将所有未使用的输入引脚连接到一个确定的逻辑电平。
连接到VCC: 通过一个上拉电阻(如10kΩ)或直接连接到VCC。
连接到GND: 直接连接到GND。
选择连接到VCC还是GND通常没有本质区别,但连接到GND更为常见和推荐,因为GND平面通常在PCB上更广,连接更方便。
对于未使用的输出引脚,可以保持悬空,不做任何连接。
6.3 输入信号质量
输入信号的边沿应尽可能陡峭。缓慢的上升/下降沿会增加器件的动态功耗,并可能因为长时间停留在阈值区而引起输出振荡。如果输入信号源自机械开关、继电器或缓慢的模拟信号,应先通过施密特触发器(如74HC14)进行整形,再输入到SN74HC04N。
6.4 负载考量
SN74HC04N的输出驱动能力虽然比老式CMOS强,但仍有限。在设计时要考虑输出所连接的负载。
容性负载: 负载电容(包括后续器件的输入电容和PCB走线电容)会直接影响传输延迟和转换时间。负载越重,开关速度越慢。数据手册中的AC特性通常是在特定负载电容(如15pF, 50pF)下测得的,实际应用中需根据实际负载进行估算。
驱动大电流负载: 如果需要驱动LED、继电器或电机等需要较大电流的负载,不能直接用SN74HC04N的输出引脚驱动。应使用一个中间驱动级,如NPN晶体管、NMOSFET或专用的驱动IC。
6.5 与其他逻辑家族的接口
与TTL接口:
74HC驱动74LS: 74HC的V_OH(min)(例如在4.5V VCC下为3.84V)远高于74LS的V_IH(min)(2.0V),V_OL(max)(约0.33V)也低于74LS的V_IL(max)(0.8V)。因此,74HC可以直接驱动74LS系列器件。
74LS驱动74HC: 74LS的V_OH(min)典型值为2.7V。当74HC工作在VCC=5V时,其V_IH(min)为3.15V。2.7V的输出不足以保证驱动74HC的输入达到可靠的高电平。因此,74LS不能直接驱动74HC。在这种情况下,需要使用上拉电阻(pull-up resistor)将74LS的输出电平提升到接近5V,或者使用专门设计用于兼容TTL电平输入的74HCT系列(如74HCT04)。74HCT系列具有与74HC相似的速度和功耗,但其输入阈值与TTL兼容。
与LVCMOS接口: 当与3.3V等低压逻辑系统接口时,利用74HC的宽工作电压范围,可以方便地实现电平转换。例如,一个工作在5V的74HC04可以接受来自3.3V系统的信号(因为3.3V高于5V VCC下的V_IH(min)),并输出5V的逻辑电平。
第七章:总结与展望
SN74HC04N作为一款基础而经典的逻辑器件,其生命力经久不衰。它完美地诠释了CMOS技术在速度、功耗和易用性方面的卓越平衡。从最基本的信号反相,到构建复杂的时序和振荡电路,SN74HC04N以其六个独立、高性能的反相器单元,为数字电路设计提供了无限可能和极大的便利性。
深入理解SN74HC04N的内部结构、工作原理、详尽的电气参数以及设计中需要注意的各种细节,是每一位电子工程师和爱好者的基本功。掌握了如何正确地为它供电、如何处理未使用的引脚、如何评估其动态性能以及如何将其与不同逻辑家族相集成,就等于掌握了现代数字电路设计的一块重要基石。
尽管今天市场上出现了速度更快、功耗更低、集成度更高的逻辑器件(如AHC、LVC等系列),但74HC系列以其极佳的性价比、广泛的供货渠道、皮实可靠的性能以及对5V系统的良好支持,依然在工业控制、消费电子、教育和原型设计等众多领域中占据着不可替代的地位。SN74HC04N,这个小小的14引脚芯片,将继续作为数字世界的“反相”基元,默默地为无数电子设备的稳定运行贡献着自己的力量。
责任编辑:David
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