一、概述
D882是一款由日本东芝（Toshiba）推出的中功率NPN型晶体管，广泛应用于各类电子设备的开关与放大电路。其集电极—发射极耐压最高可达30V，最大集电极电流可达1.5A，同时在IC=150mA时电流放大倍数（h_FE）通常在50至320之间波动，具备良好的增益性能。D882的封装形式通常为TO-92塑料封装，功耗约0.8W，既满足了中等功率场合对电流与电压的要求，又兼顾了小巧的体积与易于安装的特性。凭借耐压高、饱和压低、增益大的优势，D882常用于开关电源中的开关元件、电机驱动、继电器驱动以及小功率音频放大等场景，既能实现高效开关，又能保证稳定放大，是工程师在设计中常选的经典型号。

二、外观与封装
TO-92塑料封装是D882最常见的外观形式，其扁平侧面上常印刷有“D882”型号标识，另一面平滑无字。该封装壳体宽度约4.5mm、高度约5.2mm、深度约4.0mm，引脚间距2.54mm，非常适合插入面包板及常规PCB。正面观察时，晶体管平面朝向观察者，引脚由左至右依次为发射极（E）、集电极（C）、基极（B）；从侧面可以直观看到壳体与引脚的长度差异。TO-92封装不仅体积小巧，还能通过PCB铜箔及金属散热片辅助散热，以满足高功耗应用中的热管理要求。

三、引脚图
下图为从正面朝向D882平面、下方为引脚方向的TO-92封装示意：

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      |  D882   |  
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   1 ——|         |—— 3  
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• 引脚1（左侧）：E（Emitter，发射极）

• 引脚2（下方）：C（Collector，集电极）

• 引脚3（右侧）：B（Base，基极）

在PCB设计时，应严格按照此排列进行焊盘布局，以避免因错位而引发电路故障。

四、引脚功能

引脚1：E（发射极）
发射极是NPN晶体管中电子注入和输出的端口，一般连接至低电位侧或地（GND）。当基极注入少量电流后，发射极承接从集电极来的主电流，并将电荷注入电路中形成回路。发射极引脚的导通速度快，电流承受能力取决于芯片内部结构及导线宽度，若电流过大或环境温度过高，可能引起结温升高，影响器件寿命。因此，在实际设计中常在发射极处增加散热铜箔或散热片，并根据实际电流选择合适的热阻降额设计。

引脚2：C（集电极）
集电极是NPN晶体管中承受最大电压和电流的端口，通常接至高电位电源正极或电源输出端。在开关电源和电机驱动等应用中，集电极要承受高达几十伏的脉冲或直流电压，并在导通状态下提供大电流。其饱和压V_CE(sat)决定了开关效率，D882在IC=150mA时饱和压可低至0.15V左右，降低了功耗。设计时需在PCB集电极焊盘周围留足铜面积，用以快速散热，并注意避免在高频开关状态下产生的电磁干扰。

引脚3：B（基极）
基极是控制端，用于接收驱动信号的小电流来控制集电极与发射极之间的导通。典型驱动电流仅需几百微安至数毫安，取决于所需的集电极电流及放大倍数。基极电路设计时通常需加限流电阻（常见1kΩ～10kΩ范围）以防止过大电流烧毁晶体管，并可并联去耦电容或RC网络，以消除高频振荡，确保开关切换迅速且稳定。在高频开关应用中，基极寄生电容可能引起延迟，需通过阻容网络优化波形。

五、主要电气参数与特性
D882的核心电气参数直接决定了其在电路中能否胜任各种应用场景。首先，**集电极—发射极饱和压（VCE(sat)）**是衡量开关损耗的关键指标。在测试条件IC＝150mA、IB＝15mA时，VCE(sat)典型值仅为0.15V，最高不超过0.3V，这意味着在中低电流开关状态下，D882的导通过程几乎不会产生明显的额外压降，极大地提高了开关电源和PWM电机驱动的效率。其次，**集电极—发射极击穿电压（VCEO）**标称为30V，允许器件在±30V的反向电压环境中保持安全；与此同时，**集电极—基极击穿电压（VCBO）**也为30V，因此在未加基极驱动时，集电极与发射极之间承受的最大反向电压可达此数值。

此外，D882在IC＝150mA时的**DC电流放大倍数（hFE）**典型值为100，而在IC＝500mA时仍能保持50～100的增益水平，这意味着仅需十几毫安的基极电流即可控制数百毫安乃至近安级的集电极电流。此高增益特性使得D882在信号放大与小功率驱动电路中表现出色。热性能方面，TO-92封装在空气中自由对流时，JC热阻约为200°C/W，结合PCB敷铜层后可进一步降低至100°C/W以下，从而支撑D882在环境温度最高达+85°C、集电极电流上限为1.5A的工作条件下依旧可靠运行。

最后，还需关注基极—发射极击穿电压（VEBO），其典型值为5V，最高6V，若驱动电压超过此值，基极区可能出现反向击穿现象，导致永久损伤。因此，在驱动电路中基极电阻的选择尤为重要，既要保证足够的驱动电流，又要避免过高基极电压。

六、工作原理与电流传输机制
D882作为NPN型晶体管，其工作原理基于半导体pn结的空间电荷区控制与载流子注入放大效应。整体可分为三个区域：截止区、放大区和饱和区。

在截止区，基极—发射极间没有显著正向偏置（VBE<0.6V），PN结处于截止状态，集电极—发射极间无电流流动。此时D882等同于断路器，即使集电极加上正向电压，也无法形成集电极电流。截止状态下漏电流（ICBO）仅几微安，电路基本无损耗。

进入放大区时，基极—发射极PN结接近正向偏置（VBE≈0.6～0.7V），小电流从基极流入，并在晶体管内部形成基极区少数载流子注入发射区的过程。由于集电结处于反向偏置，基极少数载流子被集电极区的电场迅速抽取，形成大电流IC≈β·IB，实现信号电流的放大。放大区的VCE需保持在约1V以上，否则接近饱和。

当基极驱动电流过大或VCE过低（＜约0.2V）时，PN结双侧都导通，D882进入饱和区。此时PN结两端电压均小于0.3V，集电极与发射极间的压降降至最低，从而最大限度减少功耗，适宜于开关场合。饱和区的特征是VCE(sat)与IB成反比；若希望获得更低的饱和压，可适当加大基极电流，但需避免基极过驱导致的慢关断和存储时间延长。

在高频开关应用中，D882内部寄生电容（包括Cbe、Cbc、Cce）会导致开关延迟和死区时间。典型Cob（集电—基极结电容）约为20pF，这使在数百kHz甚至MHz频率下，电容充放电延迟不可忽视。为此，设计者常在基极与集电极之间并联小电阻（几十欧至百欧）或RC阻尼网络，以抑制振铃并加速关断；在更高频应用中，甚至会在D882前级增设射极跟随器或达林顿对，以改善开关特性。