引言
二极管是电子技术和电路设计中最基本、最常见的半导体器件之一。深入理解二极管的正负极（也称阳极和阴极）及其极性性质，对于学习与应用电子电路的初学者以及工程技术人员都具有重要意义。二极管的极性决定了电流的流向，只有当外加电压满足特定的方向时，二极管才能导通；相反，当外加电压方向与二极管极性相反时，它会截止，从而阻止电流通过。本文将从二极管的基本概念入手，结合PN结结构、工作原理、极性识别、正向和反向工作状态、伏安特性，以及二极管的常见分类与特点，深入探讨二极管的正负极及其基础知识。通过丰富的文字阐述和详细的技术解读，帮助读者全面了解如何识别二极管的极性、正确使用二极管，以及在电路中避免极性接反所带来的故障，进而提升电路设计与故障排查能力。

二极管的基本概念
二极管是一种由P型半导体与N型半导体通过掺杂工艺形成的PN结结构而成的半导体器件，具有单向导电性，即只能在特定方向上导通电流，而在相反方向上阻止电流流动。二极管的核心结构是将P型半导体（富含空穴的区）与N型半导体（富含电子的区）通过高温扩散、外延或离子注入等工艺紧密结合，形成一个PN结。在PN结形成的区域，电子与空穴相遇复合，产生空间电荷区或者称为耗尽区，该区域中缺乏自由载流子，但存在固定的离子电荷，使PN结产生内部电场。这一内部电场决定了二极管的电流流动特性。正因为PN结内部电场的存在，当外加电压使P型区电位高于N型区电位（即正向偏置）时，电子与空穴能够越过势垒，二极管导通；当外加电压方向与内部电场相同（即反向偏置）时，势垒加宽，二极管截止，仅有极微小的反向漏电流。二极管最显著的特点就是单向导电性和电压降特性，通常在正向导通时会有一定的压降（约0.6V左右，具体取决于材料和结构）；在反向偏置状态下，几乎无电流通过，直至击穿电压被超过时发生雪崩或齐纳击穿现象。除了单向导电的基本属性外，二极管还可以根据不同掺杂浓度和半导体材料类型而表现出不同的电学特性，如低正向压降、快速恢复时间、低反向恢复等，因而衍生出各类二极管，如整流二极管、肖特基二极管、变容二极管、发光二极管、齐纳二极管等，用于满足不同电子电路应用需求。

PN结结构与工作原理
二极管的核心在于P型半导体与N型半导体的结合，即PN结（P-N junction）。P型半导体通过掺入三价元素（如硼）使晶体中产生空穴；N型半导体通过掺入五价元素（如磷）使晶体中产生自由电子。当P区和N区结合时，N区的高浓度电子会扩散到P区与P区的空穴复合，同时P区的空穴也会扩散到N区与电子复合。这种扩散和复合过程会在PN结边界处形成耗尽区，耗尽区内由于电子与空穴复合留下了带电离子，这些固定离子在空间上形成一个内部电场（势垒电场）。内部电场由N区指向P区，形成一个从N区到P区的电位势垒，这个电势势垒通常为0.6V左右（硅PN结）。此时，如果外加电压未跨越这个势垒，二极管呈截止状态；若外加电压方向恰好与势垒电场相反（即P区加正电压、N区加负电压，使内外电场方向相反），则外加电压抵消内部势垒，缩窄耗尽区宽度，载流子得以跨越势垒，二极管呈现导通状态。工作原理可以分为两种基本状态：正向偏置与反向偏置。正向偏置时，P区施加正电压，N区施加负电压，外加电场方向与耗尽区内部电场方向相反，势垒降低，当外加电压超过约0.6V（硅二极管）时，大量电子和空穴跨过势垒，产生正向电流，二极管导通且电压降趋向于0.6~0.7V；反向偏置时，P区施加负电压，N区施加正电压，外加电场方向与内部电场方向相同，势垒加大，耗尽区宽度变宽，载流子难以跨越势垒，二极管呈截止状态，仅有极微少量的反向漏电流。当反向电压继续增大超过二极管的反向击穿电压（如雪崩击穿或齐纳击穿），二极管才能产生大电流，此时器件往往会因过热损毁或触发齐纳（二极管分为普通击穿型与专门的齐纳型）。

二极管的正负极与极性识别

• 二极管极性的基本概念
  二极管的两个引脚在电路中具有明确的“正极”（阳极，也称A极）和“负极”（阴极，也称K极）之分。通常情况下，将P型半导体一侧定义为阳极，将N型半导体一侧定义为阴极。当阳极（P区）施加较高电位、电流方向从阳极流向阴极时，二极管导通；当阴极（N区）施加较高电位、试图使电流反向流动时，二极管截止。识别二极管极性对于器件正确接入电路、保障电路正常工作具有极大意义。

• 常见二极管外观极性标识
  不同封装形式的二极管在外观上会有特定的极性标注和识别方法，例如：

1. 轴向引线封装（二极管管壳）
   通常在二极管管壳上会看到一个宽的环形金属带（或称环形条），该金属带所在一端即为阴极（负极），另一端为阳极（正极）。例如常见的1N400x系列整流二极管，黑色塑料外壳的一端有银色金属环，表明该端为阴极。

2. 贴片封装（SMD/SMT封装）二极管
   贴片二极管往往在器件顶部会有一条或两条标记线，一般一条粗线代表阴极；少数型号会有不同的形状标识（如三角形或箭头形状），但实际上用户只需记住粗线一侧接阴极。

3. 发光二极管（LED）
   发光二极管通常会通过更粗的引脚长度区分：长脚为阳极（正极），短脚为阴极（负极）。此外，塑料透明封装底部常有一个平面切口或平面一侧为阴极标志。

4. 特殊封装与彩色标识
   某些特殊类型或高功率二极管，可能在管壳或金属封装上会有颜色标记（如红点、凹口），这些都需结合器件数据手册确认具体标记含义，以准确区分阳极与阴极。

• 极性识别的重要性
  错误识别二极管极性并将其接反，通常会导致二极管处于反向偏置状态，若电路中需要二极管导通时会导致电路不通，从而出现电路功能失效。若二极管接入场合为整流、限流、保护等关键位置，极性错误可能带来元件失效、整个电源倒灌、电路烧毁甚至安全隐患。此外，特定的二极管（如齐纳二极管、肖特基二极管）在设计时已针对正向或反向特性优化，一旦极性接反，其本应在稳定电压或快速开关时的性能将完全无效。

• 实践中如何快速判断二极管极性

1. 观察封装上的极标：轴向封装看银环一侧为阴极，贴片封装看粗线一侧为阴极，LED看长短脚及底部平面。

2. 万用表测量二极管档（Diode Test）：在万用表二极管测试档，将红表笔（正极）接二极管脚看，黑表笔（负极）接另一脚，若万用表显示约0.6V左右的压降，则红笔接触的是阳极，黑笔接触的是阴极；若万用表显示“OL”或较大的阻值，则表明所测方向为反向，即红笔接在阴极、黑笔接在阳极。通过多次测量即可确认哪个脚为阳极，哪个脚为阴极。

3. 参考器件数据手册：尤其是在遇到外观标识不明显或新型号二极管时，应及时翻阅器件的制造商数据手册，寻找准确的极性标识说明，以避免误判。　

二极管的正向和反向工作状态
在了解了二极管的极性并正确识别阳极和阴极后，需要深入理解其在电路中正向偏置（Forward Bias）与反向偏置（Reverse Bias）两种状态下的行为特征。

• 正向偏置状态下的导通特性
  当外加电压使得阳极（P区）相对于阴极（N区）具有更高的电势（即加正电压于阳极，加负电压于阴极），外加电场的方向与PN结内部的势垒电场相反，形成抵消作用，使耗尽区的势垒高度大幅降低。当外加电压低于PN结势垒电压（硅二极管约0.6V，锗二极管约0.2V）时，虽然势垒降低，但载流子穿越势垒的概率仍然很低，电流很小；当外加电压逐渐超过势垒电压后，电子与空穴将大量注入对方区域，通过复合过程产生正向电流。此时二极管的正向电阻迅速降低，电流迅速增大，而电压却只维持在一个相对稳定的值上下波动（常见约0.60.7V），这也是二极管在导通时我们通常观察到的正向压降。对于不同材料和不同结构的二极管，这一压降会有所差异，例如：肖特基二极管的正向压降通常仅在0.20.3V之间，因此在高速开关电路或低压差场合中尤为重要。导通期间二极管两端的压降与流过的电流之间的关系近似指数曲线，这一关系由二极管的Shockley方程描述，但在实际应用中可近似认为在一定的电流范围内压降较为恒定。

• 反向偏置状态下的截止特性
  当外加电压方向与正向偏置相反，即加正电压于阴极、加负电压于阳极，外加电场与PN结的内部势垒电场同向，使耗尽区势垒高度增大，耗尽区宽度扩展。此时电子和空穴无法克服更高的势垒进行跨越，二极管处于截止状态，仅有极微小的反向漏电流（主要由少数载流子扩散或表面漏电等引起），漏电流通常在微安级甚至纳安级，在一般电路中可忽略不计。然而，当反向电压逐渐增大至二极管的最大反向耐压（VRRM）时，耗尽区宽度达到一定限度，击穿现象就会发生。这可能是雪崩击穿（Avalanche Breakdown）或齐纳击穿（Zener Breakdown），根据掺杂浓度与PN结设计不同而定。当击穿电压被超过时，载流子在高电场下被加速，产生更多的电子-空穴对，导致电流通过急剧增大。如果电路中没有限流措施，大电流会烧毁二极管，但在专门设计的齐纳二极管中，击穿电压被用作稳压功能。

• 导通/截止切换过程与恢复时间
  在小信号二极管以及大功率开关二极管中，除了正向导通电压和反向漏电流，这些器件还具有与载流子储存和耗尽区变化相关的动态行为，尤其体现在从导通状态切换到截止状态的“反向恢复”过程。反向恢复时间（trr）是指当二极管从正向导通状态快速转变到反向偏置时，需要经过多长时间才能让存储的少数载流子完全消失，使得器件能够真正切换到截止状态。肖特基二极管由于没有明显的少数载流子存储区，其反向恢复时间非常短，通常在纳秒级甚至更低；而普通硅整流二极管因存储较多载流子，反向恢复时间可能达到数百纳秒至微秒不等。在高速开关电源、电机驱动等场合，反向恢复时间选择至关重要，否则将造成开关损耗增加、电磁干扰加剧以及效率下降。

二极管的伏安特性
二极管的伏安特性曲线（I-V特性曲线）是研究和理解器件在不同电压条件下对电流响应的基础。通常将二极管的伏安特性分为正向区、反向区和击穿区三部分。

• 正向区特性
  当外加电压V（V_D）大于PN结势垒电压（V_γ）时（V_D > V_γ），二极管进入导通区域，此区内的电流I_D与施加电压近似呈指数关系，可以由Shockley方程表达：
  $I_D = I_S left( e^{frac{V_D}{nV_T}} - 1 ight)$ID=IS(enVTVD−1)
  其中，I_S为反向饱和电流，V_T为热电压（约为26mV@300K），n为理想系数（12之间）。在实际电路中，当V_D超过约0.60.7V时，指数函数迅速增长，而二极管的内部串联电阻Rs和外部电路限制前提下，电流呈线性增长但电压变化较小，因此常近似认为二极管在导通时压降恒定在0.6V上下。随着电流继续增大，二极管内部结合电阻和金属化接触、电极引线的电阻导致压降进一步上扬，但在大多数电路中无需过度关注。

• 反向区特性
  当外加电压V_D为负值（即阳极比阴极电位更低）时，外加电场与PN结的内建电场同向，使耗尽区宽度增加。此时，载流子无法跨越势垒，只存在由少数载流子产生的反向饱和电流I_S。该电流的大小通常很小（硅二极管为纳安至微安量级），在正常工作条件下可忽略。随着负向电压幅度增加，反向电流变化不大，直到接近二极管的最大反向耐压（PIV或VRRM）时才会突然跃升，引发击穿。

• 击穿区特性
  当外加反向电压超过二极管的击穿电压V_BR时，会出现雪崩击穿（Silicon Avalanche）或齐纳击穿（Zener）现象，导致反向电流急剧增大。如果二极管不是专门设计为稳压二极管，在此区域长时间工作将损坏器件；如果是齐纳二极管，设计者利用击穿电压稳定在某一特定值，通过控制极性的方式将其用作电压参考或基准源。击穿区的斜率取决于器件设计与散热条件。

• 温度与工况对特性的影响
  二极管的I-V特性对温度敏感。随着温度升高，半导体PN结内的载流子浓度增加，势垒电压会略微降低（硅二极管约每升高1℃则正向压降减少约2mV至3mV），反向饱和电流则显著增大。因此在高温环境下，二极管的正向压降略有下降，但漏电流则可能增大，需要在电路设计中考虑温度补偿与散热；相反，温度过低时正向压降微幅上升，漏电流减小，对电路造成的影响相对有限。高功率二极管或结温较高时，还需关注热阻与热峰值，从而避免因过热而触发热失控（Thermal Runaway）。

二极管的分类与特点
二极管随着发展演变出多种不同类型，针对不同应用场景，其结构和掺杂工艺各不相同，从而展现出不同的特性。以下列举常见二极管类型，并分别介绍其特点与应用。

• 普通整流二极管
  常见型号：1N40011N4007系列、1N54001N5408系列、BY系列、UF（Ultra Fast）系列等。
  普通整流二极管以硅PN结为基础，主要用于电源整流，将交流电转换为直流电。其特点是正向压降约0.7V，最大正向电流可达几十至几百毫安或更大，反向耐压范围覆盖从50V到1000V以上。普通整流二极管的反向恢复时间（trr）较长（数十微秒），不适合高频开关电路，需要选择快恢复或超快恢复型号。它们的封装多为轴向玻璃通孔或塑封、以及功率型半桥（金属外壳）等，结构简单、可靠性高、成本 低廉。

• 肖特基二极管
  常见型号：1N58171N5819、SS14SS36、MBRS系列等。
  肖特基二极管不同于普通硅PN结，而是由金属与半导体形成的金属-半导体结（Schottky barrier）。它具有极低的正向压降（约0.2V~0.3V），快速恢复特性，反向恢复时间极短（纳秒级或更低），漏电流相对较大。因其低正向压降特性，可在低压差、低损耗应用场景中发挥优势，如开关电源中的续流二极管、低压大电流整流、本地旁路保护等。由于反向漏电流大于普通二极管，因此在高温环境或高耐压需求场合需谨慎选型。肖特基二极管封装多为SMA、SMB、SMC等表贴封装，也有TO-220、TO-247等功率型封装。

• 变容二极管（或称调容二极管）
  常见型号：1N4003C、BBY系列、BB204等。
  变容二极管的PN结掺杂浓度与普通二极管不同，其耗尽区宽度对外加反向电压极为敏感，当反向偏置电压变化时，耗尽区宽度随之变化，从而PN结的结电容（Cj）发生变化。结电容的变化量与反向电压成反比，遵循公式：
  $C_j = frac{C_{j0}}{sqrt{1 + frac{V_R}{V_0}}}$
  其中，C_{j0}为零偏电压下的结电容，V_R为外加反向电压，V_0为势垒电压或引导参数。变容二极管广泛用于射频调谐电路、压控振荡器（VCO）、相位锁定环（PLL）及调频（FM）前端匹配电路等，因为其结电容随电压可调，能够取代可调电容实现电子调谐。

• 发光二极管（LED）
  常见型号：绿光LED（如HLMP-C315、Cree XP系列）、红光LED、蓝光LED、白光LED、高亮度LED、贴片LED（SMD）等。
  发光二极管是在PN结中掺入特定化合物半导体（如GaAs、GaP、GaN、InGaN等），当二极管在正向偏置下通电时，电子与空穴在PN结处复合时将能量以光子形式发射，从而实现发光。发光二极管既能显示数字、文本，也能作为背光、指示灯、照明光源等。LED的正向压降随不同材料可在1.8V（红光、黄光）到3.2V（蓝光、白光）不等，导通电流范围从几毫安到数百毫安（大功率LED）。LED的寿命长、光效高、响应速度快，是现代照明以及显示技术的重要基础。

• 齐纳二极管（稳压二极管）
  常见型号：1N4728A1N4764A系列（2.4V100V）、BZX55C系列、MMBZ系列、小信号齐纳（SS14Z系列）等。
  齐纳二极管通常采用高掺杂PN结，当在反向偏置时，当电压达到其特定的齐纳击穿电压（Vz）时，二极管发生受控击穿并保持电压基本恒定，无论电流在一定范围内如何变化，其两端电压几乎不变。此特性使其常用于稳压电路、过压保护、基准电压源等场合。例如，若需要在5V电源中提供稳定的5.1V参考，可以选择一只5.1V齐纳二极管与限流电阻串联，形成简单的稳压电路。需要注意的是，齐纳二极管的最大功耗（P_Z）决定了其所能承受的最大稳定电流。

• 整流快速恢复二极管与超快恢复二极管
  常见型号：UF400x系列、FR102FR107系列、HER系列、SF系列、SS32SS34、VS-HP系列等。
  为了满足开关电源、高频整流等领域对快速切换要求，出现了快速恢复二极管（Fast Recovery Diode，FRD）和超快恢复二极管（Ultra-Fast Recovery Diode，UFRED）。相较于普通整流二极管，它们在从导通切换到截止时的反向恢复时间显著缩短（数十纳秒到几百纳秒），从而减少开关损耗和电磁干扰，提高电源效率。超快恢复二极管在更高频率（数百kHz以上）开关中表现更佳，但其相对正向压降略高于普通二极管，且价格较高。

• 晶体管二极管（突出型）与隧穿二极管（Tunnel Diode）
  晶体管二极管（如肖特基二极管变体）与隧穿二极管属于高频与微波应用领域。隧穿二极管因其独特的负阻特性（I-V曲线在某段范围内呈现电流随电压增大而减小）而被用作微波振荡器、射频放大器和混频器。它利用量子力学效应，当PN结掺杂非常高时势垒足够窄使得电子通过势垒时产生隧穿，导致在特定电压范围出现负阻区，可实现高频振荡。但该器件需要冷却，制造工艺复杂，使用范围受限。

二极管的封装和标记
二极管种类繁多，封装形式也因应用场合不同而异，从而需要了解不同封装的外部结构与极性标记方式。

• 轴向通孔封装
  轴向通孔二极管外形通常为圆柱形塑料或玻璃封装，中间夹有金属环或者金属带作为阴极标识。如1N4148、1N400x、BY系列等。使用时需注意方向，银环一端接电路中较低电位或电源负极侧。

• 贴片封装（SMD/SMT）
  贴片二极管常见形式有SOD-123、SOD-323、SMA、SMB、SMC等。器件顶部或表面印有一条或多条不同宽度的标记线，一般较粗的标记线或带色标记为阴极。图形和形状因厂家而异，应与数据手册对应确认。安装时需关注贴片方向，以保证阴极与 PCB 板中相应的焊盘匹配。

• 功率型金属封装
  功率用二极管为了散热通常采用金属封装，如TO-220、TO-247、TO-126等带散热片的封装，或直接在单片金属散热背板上焊接。极性标识通常通过片基形状、切角、打字标注等方式告知用户阴极或阳极位置。此外，金属底板往往连接到某一电极（通常是阴极），安装时需注意可以通过螺丝与散热器连接，但要防止短路。

• 发光二极管（LED）封装
  LED封装多为透明或半透明圆顶形、方形、柱状、贴片式等。判断极性方法有几种：
  长脚为阳极、短脚为阴极；在扁平底座的一侧平面边缘代表阴极；封装内部芯片位置也可作为参考，在正面观察时，较大的一侧金线对应阴极，较小的一侧金线对应阳极。贴片封装LED通常在顶部封装角落有小平面或倒角，倒角一侧为阴极。

• 功率整流桥（整流桥堆）封装
  整流桥是由四只二极管组成的全波整流器件，通常采用单一封装提供四个引脚（对角分别为正负输出，两个其余为交流输入）。极性识别时引脚上会有“+”和“−”标注，交流输入也会以“~”或“AC”标示。正确接线能够直接将交流电源整流为直流，而不必分离四只分立二极管，节省空间方便布局。

二极管在电路中的应用
二极管在电子电路中有着极其广泛的应用，其功能从最基本的整流到信号处理、稳压、开关，以及发光指示等。以下从不同应用场景进行详细说明：

• 整流电源
  直流电源是电子设备的“血液”。在电源模块中，交流市电首先经过变压器降压至所需电压等级，然后进入整流桥或单只二极管整流，再经过滤波电容平滑后提供直流电。普通硅整流二极管（如1N400x系列）用于低频整流（50Hz/60Hz市电），而高频开关电源中则多采用肖特基超快恢复二极管，以降低开关损耗与电磁干扰。

• 浪涌与过电压保护
  二极管可以作为限压或防反接保护。在直流电路中，如果担心电源极性接反可在输入端串联一个二极管，只让正确方向的电流通过，若接反则二极管截止，保护电路。针对浪涌电压，一些设计会在电源输入端并联齐纳二极管，当电压超过齐纳击穿值时迅速导通，将浪涌电流引入地线或电源线，从而将过高电压钳制在安全范围内，保护后级电路不受损坏。

• 信号检波与开关
  在射频与通信电路中，将高频振荡信号包络进行检波，往往用到二极管检波器。小信号二极管（如1N4148、1N34等）在高频信号下可响应迅速，将交流信号的正半周整流提取出包络电压，用于射频识别、调幅（AM）解调等。在数字电路设计中，二极管常被当作简单的逻辑门（例如二极管与门）或开关使用，通过改变偏置电压控制导通与截止，从而实现逻辑电平传输或限幅保护。

• 稳压与基准电路
  齐纳二极管专门利用击穿电压稳定特性，在反向偏置工作时产生稳定的电压。齐纳二极管外加串联电阻即可构成简单的稳压电路，用于为放大电路或模数转换器提供参考电压。在多节电池供电场合，如果需要限压到某一安全电平，也可使用齐纳二极管作为过压保护。为了获得更精确的基准电压，还会采用双极型晶体管参考电路或集成电路，但齐纳二极管因成本低廉、结构简单，仍在许多非高精度场合得到广泛应用。

• 光电检测与显示
  发光二极管（LED）已成为照明与显示领域的主流器件，其色彩丰富、发光效率高、寿命长、响应快，被普遍应用于指示灯、背光、信号传输、通信（可见光通信）等场合。此外，光电二极管（如PIN光电二极管）作为光电探测器，能将光信号转换为电信号，用于光纤通信接收端、光电编码器、光照度测量等领域。光电二极管的工作与普通二极管相似，但在光照下生成光电流，可通过外加反向偏置提高响应速度与灵敏度。

• 开关电源与电机驱动
  在开关电源（SMPS）中，二极管尤为关键：主开关管关闭瞬间，续流二极管作为电流通路保证电感电流继续传输，避免电压尖峰干扰；在二次侧整流处，肖特基二极管与超快恢复二极管大量使用，以减少开关损耗、提高效率；某些高端设计则采用同步整流技术，用MOSFET取代传统的肖特基二极管，进一步降低压降与损耗。在电机驱动应用中二极管常作为续流二极管（Flyback Diode）或反激二极管，保护功率器件免受反向电动势冲击，保证电机换向时电流通路畅通。

• 温度补偿与电路保护
  二极管的正向压降随温度变化而变化，这一特性可以用于温度补偿。例如在某些放大电路中，将二极管与晶体管基极串联，通过二极管温度特性抵消晶体管的基极-发射极结电压随温度漂移，从而实现温度稳定偏置。另一方面，当电路发生意外过流、短路或大功率脉冲时，二极管的快速响应能够迅速将异常电流引导至接地或定向放掉，从而保护关键器件。

二极管极性错误引起的故障与检测方法

• 极性接反带来的常见故障

1. 电路断路或功能失效
   当二极管在整流或导通路径中，若极性接反，二极管处于反向偏置，几乎不导通，电路无法得到所需电压；在指示灯电路中，LED接反则不会发光；在稳压电路中，齐纳二极管接反则不会稳定输出电压。

2. 元件损坏与烧毁
   若外加电压足够大，反向偏置下的二极管反向泄漏电流增大，可能引起二极管过热，最终导致击穿失效。对于功率较大的整流桥，若反向击穿产生大电流而后级电路没有限流保护，往往会造成元器件烧毁、甚至电源线路短路。

3. 电源回灌与反向击穿
   在包含多个电源输入的系统中，一只二极管常用于防止某一路电源的倒灌。当二极管接反时，防倒灌功能失效，可能导致用电设备倒灌至上一级电源或电池过度放电，缩短电池寿命或损坏更多元器件。

• 二极管极性错误检测与排查方法

1. 目视检查极性标注
   在调试阶段，通过观察二极管上的标识（银环、标记线、脚长短等）与电路图上的符号是否对应，能够快速排查是否存在极性错误。

2. 使用万用表测量
   将万用表置于二极管档（Diode Test），红表笔接疑为阳极端，黑表笔接疑为阴极端，如果读数显示正常的正向压降（约0.6~0.7V），说明二极管极性正确；如果读数显示“OL”或极大阻值，再颠倒接表笔测量，如果此时读出压降，则初步判断二极管极性需颠倒。通过测量多个二极管或同一电路板上多处位置，可以快速定位极性焊错位置。

3. 电路通电观察电压分布与电流方向
   在保证安全的前提下，可对电路板上相关节点加电，使用示波器或万用表测量二极管两端电压。当二极管应导通时测得压降远大于正常值（几伏甚至没有变化），或应截止时测得明显的正向电压，均可怀疑极性接反。结合电路图，逐步排查，有助于精确定位误焊位置。

4. 利用逻辑或测试程式扫描
   在工业化生产中，往往通过自动测试程式，对二极管极性与导通状态进行批量检测。例如自动化测试治具将电路板放入测试夹具，对每个二极管的两端加特定电压，仅当导通与截止与预设值相符时才算良品，否则判定为极性或焊接错误，提示返修。

总结
二极管作为最基础、最关键的半导体器件之一，其正负极（阳极与阴极）极性决定了其在电路中正向导通或反向截止的基本功能。本文首先阐述了二极管的PN结结构与工作原理，解释了内部势垒电场与正向、反向偏置状态下载流子运动与导通特性；接着重点介绍了如何识别二极管的正负极，包括常见封装的极性标志与万用表测量方法；随后详细讨论了二极管在正向与反向状态下的伏安特性及其对温度与工况的影响；继而分类介绍了普通整流二极管、肖特基二极管、变容二极管、发光二极管、齐纳二极管、快速恢复二极管、隧穿二极管等多种类型的结构特点、典型参数及应用场景；最后剖析了极性接反可能造成的电路故障与损坏，并提供了目视检查、万用表测量与测试程式扫描等多种排查方法。通过对二极管极性与基础知识的系统梳理与应用解析，力求让读者对二极管如何在不同电路类型中发挥关键作用有更深入的理解，同时掌握正确识别与使用二极管极性、避免极性接反带来问题的方法。希望本文能够帮助初学者建立扎实的半导体器件基础，并为电子工程师解决实际电路设计与调试过程中的难点提供指导。