H桥后级电路保护电路的参数设计需围绕电路安全性和可靠性展开，需结合功率器件特性、负载需求及应用环境综合考量。以下是关键参数的分类说明及其作用：

一、核心保护参数

1. 过流保护参数

• 阈值电流（I_OV）

• 定义：触发过流保护的最大允许电流值。

• 典型值：根据功率管额定电流（I_DS或I_C）的1.2~1.5倍设定（如10A功率管设为12~15A）。

• 作用：防止功率管因过流烧毁。

• 响应时间（t_OV）

• 定义：从检测到过流到触发保护的时间延迟。

• 典型值：微秒级（如1~10μs），需小于功率管热失控时间。

• 作用：快速切断故障电流。

2. 过压保护参数

• 阈值电压（V_OV）

• 定义：触发过压保护的最大允许输出电压。

• 典型值：根据负载耐压值设定（如24V系统设为28~30V）。

• 作用：保护负载免受高压损坏。

• 钳位电压（V_CLAMP）

• 定义：过压时保护电路将电压限制的最大值（如TVS二极管击穿电压）。

• 典型值：略高于系统额定电压（如24V系统选27V TVS）。

• 作用：吸收瞬态过压能量。

3. 欠压保护参数

• 阈值电压（V_UV）

• 定义：触发欠压保护的最低允许输入电压。

• 典型值：根据功率管最小导通电压设定（如12V系统设为9~10V）。

• 作用：避免功率管在低压下失控或损坏。

• 恢复电压（V_HYST）

• 定义：欠压保护解除后电路重新启动的电压阈值（需高于V_UV）。

• 典型值：V_UV + 1~2V（如10V欠压阈值设11~12V恢复）。

• 作用：防止电压波动导致频繁启停。

4. 过热保护参数

• 阈值温度（T_OT）

• 定义：触发过热保护的最大允许功率管结温。

• 典型值：根据功率管规格书设定（如TO-220封装MOSFET设为125~150℃）。

• 作用：防止热失控。

• 热敏电阻参数（β值、B值）

• 定义：热敏电阻的温度-阻值特性参数。

• 典型值：NTC热敏电阻的β值（如3950K）或B值（如3435K）。

• 作用：精确测量温度。

二、辅助保护参数

1. 短路保护参数

• 短路电流阈值（I_SC）

• 定义：触发短路保护的最大允许电流（通常低于过流阈值）。

• 典型值：根据负载阻抗计算（如5Ω负载24V系统设为4.8A）。

• 作用：快速切断短路电流。

• 短路检测时间（t_SC）

• 定义：从短路发生到保护动作的时间。

• 典型值：纳秒至微秒级（如50ns~1μs）。

• 作用：限制短路能量。

2. 驱动信号保护参数

• 死区时间（t_DEAD）

• 定义：H桥上下管驱动信号的互锁延迟时间。

• 典型值：根据功率管开关速度设定（如100ns~1μs）。

• 作用：防止直通短路。

• 驱动电压范围（V_DRV）

• 定义：功率管栅极驱动电压的允许范围。

• 典型值：MOSFET需10~15V，IGBT需15~20V。

• 作用：确保功率管可靠导通/截止。

3. EMC保护参数

• 滤波电容容值（C_FILT）

• 定义：输入/输出滤波电容的容量。

• 典型值：根据开关频率选择（如100kHz开关频率选1~10μF）。

• 作用：抑制高频噪声。

• 共模电感电感量（L_CM）

• 定义：抑制共模干扰的电感值。

• 典型值：根据EMI标准选择（如10~100mH）。

• 作用：减少辐射干扰。

三、参数设计案例

示例：24V/10A H桥电路保护参数设计

四、设计注意事项

1. 参数匹配性

• 保护参数需与功率管、负载和电源特性匹配（如过流阈值需小于功率管最大电流）。

2. 冗余设计

• 关键参数（如过流阈值）需留有余量（如按额定值的120%设定）。

3. 环境适应性

• 高温/低温环境下需调整参数（如过热保护阈值需考虑环境温度影响）。

4. 测试验证

• 通过故障注入测试（如短路、过压）验证保护电路的可靠性。

通过合理设置上述参数，H桥后级电路保护电路可有效防止功率管损坏、负载过载及系统失效，确保电路在异常工况下的安全性和可靠性。