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lm5050mk中文资料

来源:
2025-04-29
类别:基础知识
eye 7
文章创建人 拍明芯城

概述
LM5050MK 是德州仪器(TI)推出的一款集成化电源分配开关,主要用于多路电源管理、负载保护以及系统功率分配控制。该器件集过流、过温、短路保护于一体,并具备可编程延时和软启动功能,能够有效限制浪涌电流、防止系统电源开机瞬间的冲击,并提高整体系统的可靠性和稳定性。LM5050MK 具有低导通电阻、动态响应快、封装小巧等优点,广泛应用于通讯设备、服务器、网络交换机、工业控制以及汽车电子等领域。

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产品简介
LM5050MK 采用紧凑的表面贴装封装,集成了功率 MOSFET 开关、限流检测电路、热关断电路以及软启动电路。器件工作电压范围宽广,可在 4V 至 32V 输入电压下稳定工作。通过外接电阻即可对限流阈值和软启动时间进行配置,用户能够根据实际需求灵活调整各项参数,满足不同应用场景下的电流保护和时间延时要求。此外,LM5050MK 的输入端和输出端均具有 ESD 抗干扰设计,能够在恶劣电磁环境中维持稳定运行。

主要性能参数

  • 输入电压范围(VIN):4V 至 32V,适应各种电源总线需求。

  • 输出电流能力(IOUT):典型值 5A,峰值可达 8A,满足大电流负载需求。

  • 导通电阻(RDS(on)):典型值仅为 20mΩ,最大值不超过 35mΩ,保证了低功耗和低损耗。

  • 限流阈值(ILIM):可通过外部电阻在 0.5A 至 10A 范围内编程调节。

  • 软启动时间(tSTART):由外部电容决定,可在 0.1ms 至 10ms 之间灵活配置,控制电源上升速率。

  • 工作温度范围:–40℃ 至 +125℃,适用于工业级和车规级应用。

  • 保护功能:集成过流保护、过热关断、反向电流防护,以及瞬态浪涌抑制。

内部结构与工作原理
LM5050MK 内部主要由以下几大模块组成:

  1. 功率 MOSFET 驱动模块:负责控制输入到输出的导通状态,在正常工作时保持低导通电阻;

  2. 限流检测模块:通过检测输出电流产生的压降,实现对过流状况的快速响应,并根据外部电阻设定的阈值执行限流动作;

  3. 软启动模块:利用外部电容与内部电流源配合,实现输出电压在上电或复位时缓慢上升,避免浪涌电流;

  4. 热关断模块:内置温度传感器,当芯片结温超过设定温度阈值(典型值 150℃)时,自动关断 MOSFET 驱动,待温度下降至安全范围后恢复工作;

  5. 电压参考与比较模块:为限流和软启动模块提供精准参考电压,确保各项保护动作的稳定和可靠。

工作过程中,当 VIN 施加到 LM5050MK 输入端时,软启动模块开始对输出电压进行缓升处理,避免电容充电电流过大。若输出负载电流超过通过外部电阻设定的限流阈值,限流检测模块会快速降低 MOSFET 导通度,实现恒流输出;若持续过流且温度升高超过热关断阈值,热关断模块会切断输出并对外报告故障状态。

功能特性
LM5050MK 拥有以下关键特性:

  • 快速限流响应:响应时间小于 5μs,可迅速抑制过流事件;

  • 可编程限流和软启动:通过简单的外部电阻和电容即可完成参数配置,无需额外电路;

  • 低导通电阻:在高负载电流下依然保持低功耗,提升系统效率;

  • 热关断及自动恢复:在过温情况下自动关断并在温度恢复后自动重启,减少系统停机时间;

  • 抗浪涌能力:内部集成浪涌电流抑制电路,可承受高达 50A 的浪涌脉冲;

  • 反向电流防护:器件在失电或输出短路时防止电源倒灌,保护整个电源系统;

  • ESD 及 EMI 优化设计:增强电磁兼容性,减少外围滤波器需求。

应用电路设计
在典型应用中,LM5050MK 的应用电路示例如下:

  1. 输入滤波:在 VIN 与地之间并联一个 10μF 至 47μF 的陶瓷电容以及一个 0.1μF 的高频滤波电容,以抑制输入电源的噪声和瞬态浪涌;

  2. 限流设定:连接一个外部限流电阻 R_ILIM 于 ILIM 引脚和地之间,其阻值可按公式 R_ILIM = K/ILIM(K 为 TI 推荐系数)计算,以获得所需限流阈值;

  3. 软启动电容:在 SS 引脚与地之间连接 C_SS,典型值为 1nF 至 100nF,可通过 tSTART = C_SS × I_SS(I_SS 为内部充电电流)计算软启动时间;

  4. 输出滤波与负载连接:输出端建议并联一个 22μF 至 100μF 的陶瓷电容及一个 1μF 的高频电容,以保证负载的稳定供电;

  5. 故障指示:使用一个 LED 与限流或故障标志引脚连接,可实时监控过流和过温状态。

封装与引脚功能
LM5050MK 通常采用 VQFN 封装,具有 12 个引脚,具体引脚功能如下:

  • VIN:输入电源端,连接主电源;

  • VOUT:输出电源端,连接负载;

  • GND:地端;

  • ILIM:限流阈值设定端,通过外部电阻与地连接;

  • SS:软启动时间设定端,通过外部电容与地连接;

  • EN:芯片使能端,高电平使能,低电平禁能;

  • FAULT:故障输出端,低电平表示限流或过温故障;

  • TRK:可跟踪输入电压,用于多通道跟踪式启动;

  • 热敏结:用于内部温度检测;

  • 其他引脚:包括封装露铜,用于散热。

热管理与布局建议
良好的 PCB 布局和散热设计对于 LM5050MK 的稳定运行至关重要:

  • 将器件的热沉露铜尽可能扩大,并通过多层过孔连接至底层散热平面;

  • 输入侧与输出侧的大电流回路应采用宽铜箔,减少电流路径阻抗;

  • 在限流电阻和软启动电容附近布置适当的旁路电容,降低信号干扰;

  • 将噪声敏感信号与大电流回路分离,避免信号耦合;

  • 如果系统功率较大,可在器件底部附加散热片或安装风扇,增强空气对流。

比较与选型建议
与同类电源分配开关相比,LM5050MK 在以下方面具有优势:

  • 更宽的输入电压范围,适应更多不同电压等级的系统;

  • 更低的导通电阻,减少功耗,提高效率;

  • 更快的限流响应,提升系统的保护能力;

  • 更丰富的可编程功能,使用更灵活;

  • 更强的热关断能力,在恶劣环境下可靠性更高。
    在选型时,可根据系统的电压、电流、启动时间、保护要求等指标,权衡 LM5050MK 与其他型号(如 LM5051、LM5052)的性能差异,并结合成本与封装要求做出选择。

实用设计案例
在某网络交换机电源模块中,采用 LM5050MK 对多路 12V 电源进行分配与保护。输入端通过 47μF 陶瓷大电容和 1μF 高频电容进行滤波,ILIM 设置为 4A,以保护下游交换芯片。软启动时间配置为 2ms,以保证交换芯片电源上升曲线平缓。布板时在器件底部放置多个过孔连接散热层,并在器件侧面贴装热敏电阻,实时监测温度。当某一路负载短路时,LM5050MK 迅速限流并发出 FAULT 信号,同时日志记录器捕获故障信息并执行软复位,保证系统不会因单一路故障而整体崩溃。

调试与故障处理

  • 无法启动:检查 EN 引脚电平及软启动电容是否正常;

  • 限流保护频繁触发:确认负载是否超过限流阈值,或限流电阻值是否误选;

  • 过温关断:查看散热设计是否合理,或是否存在环境温度过高;

  • 输出电压波动:排查输入滤波不足或 PCB 杂散电感影响;

  • 故障指示异常:确认 FAULT 引脚及外部指示电路连接正确。

典型应用波形与性能测试
在实际设计中,对LM5050MK的典型上电波形、限流波形和故障恢复波形进行测试,是验证器件性能的关键环节。上电过程中,可借助示波器在输出端观测电压上升曲线,应呈现平滑线性斜率,无明显振铃或过冲;若出现尖峰,则需检查软启动电容C_SS值及布局走线。此外,对限流动作的触发测试,可在输出端短接或增加可调负载,当电流超过设定阈值时,示波器应捕获电流迅速被钳制在限流值附近,并伴随输出电压轻微下降,随后进入恒流模式。再通过温度腔测试不同环境温度下的热关断点与恢复特性,记录器件在85℃、105℃、125℃等温度下的故障触发与自动恢复时间,为系统设计提供准确的热裕度评估依据。

认证与可靠性评估
针对工业级与车规级应用,LM5050MK通常需要满足JEDEC JESD47、AEC-Q100等可靠性标准。设计验证阶段需进行高加速温度湿度应力筛选(HAST)、高加速寿命测试(HALT)和高加速应力测试(HASS),确保在高湿、高温、振动等极端环境下功能无漂移。此外,针对车规产品,还要完成长时功率循环测试(Power Cycling)、热冲击测试以及高压湿热老化(THB),并对失效模式进行根因分析(FA,Failure Analysis),确保MOL (Mean On-Time to Failure)指标优于1000万小时。通过实验室与第三方认证机构的联合验证,最终形成可靠性报告,为产品在关键系统中的长期稳定运行提供保障。

供应链与封装选型
LM5050MK可提供多种封装形式,包括VQFN、QFN和WSON等,以满足不同散热与尺寸要求。VQFN封装具备最佳热阻性能,适合高功率密度应用;WSON封装则在空间受限场合表现优异。选型时,应结合PCB热仿真结果和实际热流路径,选择合适的封装。供应链方面,TI官方渠道、授权分销商及其备件服务均可提供原厂真品,同时支持金线键合与铜柱焊接两种工艺版本。在大规模生产前,应与分销商确认交期、最低订货量以及回修与退货政策,并做好库龄管理,避免长储存引起的焊接可靠性问题。

系统级电源管理策略
在多通道电源管理架构中,LM5050MK常与数字PMIC(如TI的UCD90120A)或主控MCU协同工作,实现系统级的Sequencing、跟踪启动(Tracking)和故障隔离(Fault Isolation)。通过主控芯片的GPIO或I²C接口,动态调整LM5050MK的EN引脚与限流阈值,实现负载优先级管理和节能模式切换。例如,在待机状态下将次要通道关闭,仅保留关键负载供电;在高性能模式下,通过逐通道软启动避免系统浪涌并保障时序同步。

与其他电源管理器件的联动设计
在复杂系统中,LM5050MK可与升降压转换器、线性稳压器以及电池管理芯片(PMIC)形成紧密配合。典型案例是移动通信基站电源子板,利用LM5050MK对各路12V、5V母线进行分配保护,下游接入降压芯片(如TPS54060)生成3.3V、1.8V内核电压,并通过电流环PID控制实现精确电流分配。此外,通过LM5050MK的TRK跟踪功能,可跟随24V输入缓升,从而实现多电压域的同步启动,避免时钟抖动或存储状态丢失。

EMC 与 EMI 抑制设计
尽管LM5050MK内部已优化EMI性能,外围电路仍需采取措施降低电磁辐射。输入端应使用PI滤波器(L–C–L结构),并在靠近器件的输入端口布局共模电感以抑制差模噪声;输出端建议添加RC吸收滤波网络,滤除开关瞬变对下游敏感模拟电路的干扰。PCB走线时,保持功率回路最短,降低回路面积;将敏感信号与大电流回路分区,采用地平面分层隔离,并通过多点接地降低地弹起效应。

自动化测试与生产检验
为保证每片LM5050MK在生产线上的出厂质量,需建立自动化测试程序(ATE),包括静态电气参数测试(R_DS(on)、ILIM精度、漏电流)、动态测试(软启动时间、限流响应时间)及故障输出验证。通过对每批样品进行扫描电镜和X射线检测,可及时发现封装内部缺陷;对已封装成板产品,采用边界扫描与在线飞针测试结合,快速覆盖高密度封装引脚,提高测试覆盖率与效率。

未来技术趋势与升级方向
随着智能化和电气化趋势加速,未来电源分配开关将向更高电流密度、更智能故障诊断以及更精细化的功率优化方向发展。下一代LM505x系列有望集成数字监测功能,内置AD转换器实现输出电流、电压及温度的实时采集,并通过PMBus或I²C总线上报至系统管控器;同时,封装与封装间距将进一步微缩,以满足高密度PCB的布局需求。功能上,还可能融入快速恢复二极管或同步整流技术,以进一步降低系统损耗并提升整体效率。

校准与调试方法
在实际工程应用中,对LM5050MK的性能进行精确校准和调试至关重要。首先,可采用高精度电流源与电压源模拟不同负载条件,通过示波器和精密万用表监测输出电流、电压与故障信号(FAULT引脚)变化,以验证限流阈值和软启动时间是否符合设计预期。在校准限流阈值时,应在ILIM引脚与地之间精确连接高精度金属膜电阻(误差小于0.1%),并在多点负载下测试限流精度与温漂特性,记录温度从–40℃到+125℃的限流偏差,以确保在全温域内的稳定性。调试软启动环节时,可依据实际负载电容大小,选择合适的SS引脚电容,并利用示波器叠加测量输出电压上升曲线的斜率与峰值,必要时微调C_SS数值以达到最佳浪涌控制与启动时间平衡。

安全标准与法规合规
面向工业和车规市场,LM5050MK需满足多项国际安全与质量认证要求。对于车规级产品,应通过AEC-Q100汽车可靠性测试,覆盖温度循环、振动冲击、湿热老化等多重严苛环境考核,并符合ISO 16750系列电气/电子设备环境条件及试验要求。在工业领域,若应用于医疗、轨道交通或航空领域,还需遵循IEC 60950、IEC 61010或DO-160G等安全标准,对电气强度、绝缘耐压、抗冲击、浪涌抑制及电磁兼容(EMC)进行全面测试。此外,设计PCB时要留有足够的爬电距离和间隙,满足UL 61010-1或UL 60950-1的安全距离要求,并在必要位置添加熔断器和瞬态抑制元件,以提升系统整体安全性。

与竞品对比分析
在选择电源保护开关时,需综合考量性能、成本与生态兼容性。相较于Analog Devices的ADP5080和Maxim的MAX14565,LM5050MK优势在于:

  1. 更宽电压范围:4V–32V输入支持更多母线电压等级;

  2. 更低导通阻抗:20mΩ典型值在高电流场合减少了额外功耗;

  3. 更快限流响应:5μs级响应时间可更迅速抑制突发短路;

  4. 更灵活的编程方式:外部元件即可完成参数调节,无需复杂的I²C通信;

  5. 丰富的保护功能:集成反向电流防护和温度自动恢复。
    而在成本方面,ADP5080在低电流场合有微弱优势,且其I²C可编程特性在需要远程动态调整的系统中更具吸引力。设计人员可根据系统对通信接口、编程灵活性及成本敏感度做出综合判断。

常见故障及解决方案

  1. 启动延迟过长:排查SS电容值是否过大,或内部软启动电流源是否因PCB走线过长导致电流偏差,可适当减少C_SS容量或优化布线;

  2. 限流阈值偏离标称值:确认ILIM电阻精度及其搭配环境温度,建议使用温度系数低的薄膜电阻,并在板级测试中补偿温漂;

  3. 过温保护频繁触发:检查散热露铜面积及系统风冷/自然对流条件,必要时增加散热片或风扇;

  4. EMI干扰问题:在VIN与VOUT两端分别添加差模和共模滤波器,并在输入端添加TVS二极管以抑制高能瞬态;

  5. FAULT信号误触发:排查FAULT引脚上是否存在浮空或干扰,建议使用上拉电阻,并在信号线上添加RC滤波以去除毛刺。

开发工具与技术支持资源
TI 为LM5050MK 提供了丰富的软件与硬件支持,其中包括:

  • TI WEBENCH® 设计工具:在线完成电源分配开关网络的参数计算、PCB布局建议及仿真分析;

  • 评估板(EVM)和参考设计:用户可直接获取LM5050MK EVM版电路板,快速验证系统性能,并在E2E社区下载完整原理图和BOM清单;

  • SPICE 模型与仿真文件:支持PSPICE、LTspice等主流仿真软件,方便在设计早期进行仿真验证;

  • 技术文档与应用笔记:TI官网提供详细的数据手册、应用笔记(如SLVAxxxxx)、EMC指南及热仿真报告;

  • 在线与本地支持:通过TI E2E论坛与工程师直接沟通,或预约TI本地工程师进行现场技术培训与设计评审。

以上内容为LM5050MK在校准调试、安全合规、竞品对比、故障排查及开发资源等方面的深入补充,为工程师在多场景应用中提供更全面的设计指导与参考。

责任编辑:David

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