晶体管能够放大的外部条件是发射结正偏，集电结反偏。具体分析如下：

发射结正偏

发射结正偏是指晶体管的发射极与基极之间的PN结处于正向偏置状态。这种偏置方式降低了发射结的势垒，使得多数载流子（例如，在NPN型晶体管中为电子）能够更容易地从发射区注入基区。这是实现电流放大的基础，因为只有足够的载流子进入基区，才有可能在集电结被收集，形成放大的集电极电流。

集电结反偏

集电结反偏是指晶体管的集电极与基极之间的PN结处于反向偏置状态。这种偏置方式增大了集电结的耗尽层宽度，形成了一个强电场。这个强电场能够加速从发射区注入基区并扩散到集电结边缘的载流子，使它们被迅速拉入集电区，从而构成集电极电流的主要部分。集电结反偏是确保载流子被有效收集、实现电流放大的关键条件。

放大原理

在满足发射结正偏、集电结反偏的条件下，晶体管内部载流子的运动形成放大效应：

• 发射区：高掺杂浓度使得大量载流子（如电子）存在，在正偏发射结的作用下，这些载流子容易注入基区。

• 基区：极薄且低掺杂的特性，使得注入的载流子中只有极小比例（约1-5%）与基区的空穴复合，形成微小的基极电流。大部分载流子（约95-99%）能够继续扩散到集电结边缘。

• 集电区：在反偏集电结强电场的作用下，扩散到集电结边缘的载流子被迅速拉入集电区，形成集电极电流的主体。

由于集电极电流与基极电流之间存在固定的比例关系（即电流放大系数β），因此通过调整基极电流（输入信号），就可以在集电极获得放大的电流输出。