跨导放大器内部晶体管的选型需结合具体应用需求，重点关注晶体管的跨导特性、频率响应、噪声、功耗、封装与散热等核心参数，同时需通过仿真验证其与电路设计的匹配性。以下为具体分析：

1. 跨导特性：跨导放大器（OTA）的核心是电压到电流的转换，晶体管的跨导（gm）直接影响放大器的增益和线性度。需选择具有合适跨导值的晶体管，以满足设计所需的增益范围。例如，增强型MOSFET的跨导随偏置电压升高而增大，而双极晶体管（BJT）的跨导与集电极电流呈正比。

2. 频率响应：OTA常用于高频应用，如滤波器、振荡器等，因此晶体管的频率特性至关重要。需选择具有足够高特征频率（fT）的晶体管，以确保在目标工作频率下仍能保持良好的增益和相位特性。通常，晶体管的fT应至少为工作频率的4-5倍。

1. 噪声性能：在低噪声应用中，晶体管的噪声特性直接影响OTA的信噪比。需选择具有低噪声系数的晶体管，尤其是输入级晶体管，以减少噪声对信号的影响。例如，采用大尺寸输入管可降低输入级噪声。

2. 功耗与偏置电流：OTA的功耗与晶体管的偏置电流密切相关。需根据应用需求选择合适的偏置电流，以平衡增益、带宽和功耗。例如，在电池供电设备中，需选择低功耗的晶体管，或通过优化偏置电路降低功耗。

3. 封装与散热：晶体管的封装类型影响其散热性能和物理尺寸。需选择适合的封装，以确保晶体管在工作时能够有效散热，避免因过热导致性能下降或损坏。例如，大功率晶体管可能需要采用TO-220等具有良好散热性能的封装。

4. 线性度与失真：OTA的线性度直接影响输出信号的失真程度。需选择具有高线性度的晶体管，或通过电路设计（如负反馈、共源共栅结构等）改善线性度。例如，采用两个Gm级并联的结构，可提高功率放大器的线性度。

5. 共模抑制比（CMRR）：在差分输入应用中，晶体管的共模抑制比（CMRR）影响OTA对共模信号的抑制能力。需选择具有高CMRR的晶体管，或通过差分电路设计提高CMRR。

6. 工艺兼容性：在集成电路设计中，晶体管的选型需与工艺平台兼容。需选择在目标工艺下可制造的晶体管类型（如CMOS、BiCMOS等），并考虑工艺偏差对晶体管参数的影响。