TVS二极管和肖特基二极管的关键特性差异主要体现在功能定位、电压电流特性、响应速度、应用场景及可靠性要求等方面，以下是具体分析：

功能定位差异

• TVS二极管：属于电路保护器件，核心功能是抑制瞬态过电压，通过快速响应和能量吸收能力，保护电路免受雷击、静电放电（ESD）或浪涌电压冲击。

• 肖特基二极管：属于功率半导体器件，以高频整流和低压大电流导通为特性，适用于高频开关电源、射频电路等需要低损耗、高效率的场景。

电压与电流特性差异

• TVS二极管：

• 击穿电压：设计为在特定电压下迅速击穿并钳位过电压，击穿电压偏差通常控制在5%以内，确保电压精度。

• 钳位电压：将瞬态电压钳制在安全水平，避免后级电路受损。

• 电流处理能力：主要针对瞬态大电流（如几百安培），但持续工作电流较小。

• 肖特基二极管：

• 正向压降：通常为0.15V至0.45V，远低于普通PN结二极管的0.7V，显著降低导通损耗。

• 反向击穿电压：通常低于100V，不适合高电压应用。

• 电流处理能力：能够处理较大电流，适用于电源和功率应用。

响应速度差异

• TVS二极管：响应时间极快，达到皮秒级（10⁻¹²秒），可瞬间响应瞬态电压峰值。

• 肖特基二极管：开关速度极快，反向恢复时间短至几纳秒，适用于高频应用，但并非为瞬态过压防护设计。

应用场景差异

• TVS二极管：

• 电源与信号线防护：保护接口和传感器免受ESD影响。

• 汽车电子：防止电涌和负载突变对设备造成损害。

• 通信设备：确保接口电路在静电放电或雷击时安全运行。

• 肖特基二极管：

• 高频开关电源：用于DC-DC转换器，提高能效。

• 射频电路：适用于微波通信等高频场景。

• 低压大电流整流：在电源整流和功率因数校正中发挥关键作用。

可靠性要求差异

• TVS二极管：

• 瞬态功率吸收能力：可承受数百瓦至数千瓦的高能量冲击。

• 漏电流：在正常工作电压下漏电流极低，确保电路稳定性。

• 肖特基二极管：

• 高温与高频可靠性：在高频和高频应用中表现优异，但漏电流较大，需注意热管理。

• 反向恢复特性：无少数载流子存储效应，反向恢复时间极短，但反向耐压较低。