瞬态抑制二极管（Transient Voltage Suppressor Diode，简称TVS）是一种用于电路保护的半导体器件，其符号如下：

• 单向TVS二极管：符号类似于普通二极管，但在二极管符号的一侧有一个额外的弧线，表示其瞬态抑制特性。其正向特性与普通二极管类似，但反向具有雪崩击穿特性，能够在过压时迅速导通，分流过电流。

• 双向TVS二极管：符号由两个背靠背的单向TVS符号组成，表示其在正、反两个方向上都具有瞬态抑制能力。

TVS二极管的核心特性：

• 快速响应：TVS二极管的响应时间极短，通常在皮秒级，能够迅速抑制瞬态过电压。

• 低钳位电压：在击穿后，TVS二极管能够将电压钳位在一个相对较低的水平，保护后级电路。

• 高浪涌承受能力：能够承受较大的瞬态电流，适用于高能量瞬态脉冲的抑制。

应用领域：

• 电路防护：常用于电源线、信号线等易受浪涌冲击的电路中，防止因雷击、静电放电（ESD）等引起的过压损坏。

• 电子设备保护：广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子等领域，保护敏感元件免受瞬态过电压的破坏。

肖特基二极管符号与特性

肖特基二极管（Schottky Barrier Diode，简称SBD）是一种基于金属-半导体结（肖特基势垒）的二极管，其符号如下：

• 肖特基二极管符号：与普通二极管符号类似，但在二极管符号的一侧有一个额外的“S”形曲线或标记，表示其为肖特基二极管。

肖特基二极管的核心特性：

• 低正向压降：肖特基二极管的正向导通电压较低，通常在0.2V至0.5V之间，远低于普通硅二极管的0.7V，因此功耗更低。

• 快速开关速度：由于没有少数载流子存储效应，肖特基二极管的反向恢复时间极短，适用于高频应用。

• 低反向漏电流：在反向偏置时，肖特基二极管的漏电流较小，但在高温下漏电流会显著增加。

应用领域：

• 高频整流：由于其快速开关特性，肖特基二极管常用于高频开关电源、射频电路等需要高速整流的场合。

• 低压大电流应用：适用于低压、大电流的整流和续流，如计算机电源、电池供电设备等。

• 防止电压反向冲击：可用于USB接口的反接保护等场景，防止因电压反向导致的损坏。

TVS二极管与肖特基二极管的对比