X7R材质TDK贴片电容的型号列表
来源:
2025-04-16
类别:基础知识


X7R材质的TDK贴片电容型号列表如下:
型号 | 尺寸 | 电压 | 容量 | 精度 | 特性 |
---|---|---|---|---|---|
C3225X7R1H106MT000E | 1210 | 50V | 10μF | ±20% | 高容贴片电容 |
C3225X7R1H105KT0A0N | 1210 | 50V | 1μF | ±10% | 高端电容 |
C3225X7R1E225MT000N | 1210 | 25V | 2.2μF | ±20% | 高端电容 |
CGA6M3X7R1H225KT0Y0N | 1210 | 50V | 2.2μF | ±10% | 车规级高端电容 |
CGA6P3X7R1H335KT0Y0N | 1210 | 50V | 3.3μF | ±10% | 车规级高端电容 |
CGA6N3X7S1H475KT0Y0N | 1210 | 50V | 4.7μF | ±10% | 车规级高端电容(X7S材质) |
CGA6P3X7R1H475KT0Y0N | 1210 | 50V | 4.7μF | ±10% | 车规级高端电容 |
C3225X7S1N475KT0Y0S | 1210 | 75V | 4.7μF | - | 高端电容(X7S材质,软端) |
C3225X7R1E106K250AC | 1210 | 25V | 10μF | ±10% | 高端电容 |
C3225X7R1E106KTJ | 1210 | 25V | 10μF | ±10% | - |
C3225X7R1E475KT | 1210 | 25V | 4.7μF | ±10% | - |
C3225X7R1H105KT | 1210 | 50V | 1μF | ±10% | - |
C3225X7R2A106KT | 1210 | 100V | 10μF | ±10% | - |
C3225X7R2J683KT | 1210 | 630V | 68nF | ±10% | - |
C3216X7R1E106KT | 1206 | 25V | 10μF | ±10% | - |
C3216X7R1E225KT | 1206 | 25V | 2.2μF | ±10% | - |
C4532X7R1C336M | 1812 | 16V | 33μF | ±20% | - |
C4532X7R1E226M | 1812 | 25V | 22μF | ±20% | - |
C5750X7R1H106K | 2220 | 50V | 10μF | ±10% | - |
C5750X7R1E226M | 2220 | 25V | 22μF | ±20% | - |
C3225X7T2W224K | 1210 | 450V | 0.22μF | ±10% | - |
C3225X7T2J104K | 1210 | 630V | 0.1μF | ±10% | - |
C3216X5R1E106KT | 1206 | 25V | 10μF | ±10% | X5R材质 |
C3216X5R1E476MT | 1206 | 25V | 47μF | ±20% | X5R材质 |
命名规则说明
系列名称:如
C
系列。尺寸:如
1210
表示1210尺寸(3.2mm×2.5mm)。材质:
X7R
表示材质类型。电压:如
1H
表示50V。容量:如
106
表示10μF。精度:如
K
表示±10%,M
表示±20%。包装方式:如
T
表示卷带包装。
应用领域
电源滤波:适用于DC-DC转换器、开关电源等。
去耦电容:用于数字电路、模拟电路的去耦。
耦合电容:用于音频、射频信号的耦合。
车规级应用:如
CGA6M3X7R1H225KT0Y0N
等型号符合AEC-Q200标准,适用于汽车电子。
注意事项
电压选择:根据电路工作电压选择合适的额定电压。
容量精度:根据电路需求选择±10%或±20%的精度。
温度特性:X7R材质温度范围为-55℃至+125℃,容量变化率±15%。
如需进一步了解具体型号的详细参数或应用,建议访问TDK官网或联系TDK授权代理商。
责任编辑:Pan
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