DRAM（动态随机存取存储器）和FRAM（铁电随机存储器）之间的主要区别体现在以下几个方面：

一、存储特性

1. DRAM：

• 是易失性存储器，即当电源关闭时，DRAM中存储的数据会丢失。

• 需要定期刷新来保持数据，这是因为DRAM中的电容器会随时间逐渐放电。

2. FRAM：

• 是非易失性存储器，可以在失去电力的情况下保持数据不变。

• 其存储原理基于铁电材料的极化特性，当施加电压时，铁电材料中的原子会发生位移，产生极化现象，这种极化状态在停止施加电压后仍能保持不变，因此可以用来表示二进制数据。

二、读写速度

1. DRAM：

• 读写速度非常快，是计算机主内存的首选，能够支持高速的数据处理。

2. FRAM：

• 同样具有快速的读写速度，甚至在某些情况下，其写入速度可以超过DRAM。

• FRAM的读写操作几乎无延时，这使其在需要频繁读写操作的应用中具有优势。

三、功耗

1. DRAM：

• 需要不断刷新以保持数据，这在一定程度上增加了功耗。

• 尽管读写功耗相对较低，但待机状态下的功耗可能较高。

2. FRAM：

• 在待机状态下的电流消耗非常低，有助于延长电池供电设备的电池寿命。

• 读写操作也相对较低功耗。

四、寿命与耐久性

1. DRAM：

• 寿命受到刷新操作和其他因素的影响，但通常也足够长以满足大多数应用的需求。

• 不过，长时间使用后可能会出现性能下降或数据丢失的情况。

2. FRAM：

• 写入寿命非常高，例如有的铁电存储器写入寿命高达数百亿次。

• 这意味着FRAM可以承受大量的读写操作而不会损坏，具有高耐久性。

五、价格与应用领域

1. DRAM：

• 是目前最pian宜的存储器类型之一，广泛应用于计算机主内存、服务器、智能手机等领域。

2. FRAM：

• 目前价格相对较高，主要应用于对可靠性要求较高的领域，如汽车电子、医疗设备、工业自动化等。

• 随着技术的进步和产量的增加，FRAM的价格有望逐渐降低，从而拓宽其应用领域。

综上所述，DRAM和FRAM在存储特性、读写速度、功耗、寿命与耐久性以及价格与应用领域等方面都存在显著差异。选择哪种存储器取决于具体的应用需求，例如需要高速数据处理且对价格敏感的应用可能会选择DRAM，而需要非易失性存储且对功耗和耐久性有较高要求的应用则可能会选择FRAM。