NPN三极管是高电平导通。以下是对其导通条件的详细解释：

一、NPN三极管的基本结构

NPN三极管由两个N型半导体夹一个P型半导体构成。其中，发射极（E）和集电极（C）为N型半导体，基极（B）为P型半导体。

二、NPN三极管的导通条件

1. 发射结正向偏置：为了使NPN三极管导通，需要使发射极（E）相对于基极（B）为正电压，即VBE > 0.7V（硅材料）。这样，发射区的电子才能容易地越过发射结进入基区。

2. 集电结反向偏置：同时，集电极（C）相对于基极（B）应为负电压，以保持集电结的反向偏置状态。这有助于电子从发射极流向集电极，形成电流放大效应。

三、高电平导通的解释

当NPN三极管的基极电压VB高于发射极电压VE时（且VBE > 0.7V），发射结处于正向偏置状态，三极管开始导通。此时，从集电极到发射极的电路是通畅的，电流可以从集电极流入到发射极。因此，可以说NPN三极管在高电平（相对于发射极电压而言）下导通。

四、实际应用中的注意事项

1. 避免深度饱和：在开关电路中，应避免NPN三极管进入深度饱和状态，以免影响其开关速度。通常可以通过控制基极电流的大小来实现这一点。

2. 散热问题：在大功率应用中，NPN三极管可能会产生较多的热量。因此，需要采取适当的散热措施，以确保三极管能够长期稳定工作。

综上所述，NPN三极管是高电平导通的电子器件。在实际应用中，需要根据具体需求和电路设计来选择合适的控制方式和电路参数。