IRF3205场效应管（MOSFET）的主要参数包括以下几个方面：

一、基本电气参数

1. 漏源击穿电压（Vds）：55V。这是场效应管能够承受的最大漏源电压，超过此电压可能会导致器件损坏。

2. 栅源电压（Vgs）：±20V。这是栅极相对于源极的最大允许电压范围。

3. 连续漏极电流（Id）：110A。在规定的条件下，场效应管能够连续通过的漏极电流。

二、导通特性参数

1. 漏源导通电阻（Rds(on)）：8.0mΩ。当栅源电压足够大以使场效应管完全导通时，漏源之间的电阻值。这个参数越小，表示场效应管的导通性能越好。

三、功耗与温度参数

1. 功率耗散（Pd）：200W。这是场效应管在规定的条件下能够安全耗散的功率。

2. 最小工作温度：-55°C。场效应管能够正常工作的最低温度。

3. 最大工作温度：+175°C。场效应管能够正常工作的最高温度。

四、开关特性参数

1. 上升时间（tr）：101ns。从栅源电压开始上升到漏极电流达到规定值所需的时间。

2. 下降时间（tf）：65ns。从栅源电压开始下降到漏极电流降低到规定值所需的时间。

3. 典型关闭延迟时间（td(off)）：50ns。从栅源电压开始下降到漏极电流完全关断所需的时间。

4. 典型接通延迟时间（td(on)）：14ns。从栅源电压开始上升到漏极电流开始上升所需的时间。

五、其他参数

1. 封装形式：通常采用TO-220封装，这是一种常用的功率MOSFET封装形式，具有良好的散热性能。

2. 晶体管极性：N沟道。表示场效应管的导电沟道为N型半导体。

3. 通道数量：单通道。表示场效应管只有一个导电沟道。

此外，IRF3205场效应管还具有低门电荷、快速开关速度、坚固的器件设计等特点，适用于各种高效可靠的开关电路，如逆变器、电机速度控制器、DC-DC转换器等。

请注意，以上参数可能会因不同厂商和批次而有所差异。在实际应用中，应根据具体需求和条件选择合适的场效应管型号和参数。