大陆紫光集团在2016年终正式宣布投资总额高达240亿美元，在武汉东湖高新区兴建全球单一最大3D储存型快闪存储器(NAND Flash)厂，为全球存储器市场投下一颗震撼弹。

半导体设备业透露，紫光集团由旗下长江存储公司负责推动这项计画。紫光集团暨长江存储董事长赵伟国甚至将这项投资案，等同辽宁号航空母舰出海试航，是中国大陆存储器产业从零突破的开端，也创下由国家战略推动、地方大力支持、企业市场化运作的新合作模式。

由紫光集团联合国家集成电路产业基金(大基金)、湖北省地方基金、湖北省科投共同投资，并结合武汉、上海、矽谷及台湾等研发人员，决定以自主研发投入生产3D NAND Flash设计、制造。

由长江存储主导投资的3D NAND Flash厂，位于武汉东湖高新区的武汉未来科技城，占地高达1,968亩，将建立三座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash厂房，一座总部研发大楼和其他若干配套建筑，第一期计画预定2018年建成启用投产，2020年全部完工，月产能将达到30万片，年产值将超过100亿美元。将成为全球最大单一NAND晶片制造厂。

至于后续的封测，以南茂为主要封测平台，但力成也积极接洽争取。

紫光高层并透露，长江存储将会等到取得国际大厂授权，或自主研发技术达到成熟阶段，才会跨足DRAM制造，绝不会窃取他厂的技术或专利投入生产。

紫光集团董事长赵伟国上月30日宣布这项投资案，当天包括：中共工信部副部长刘利华、工信部电子信息司司长刁石京、国家发改委高技术产业司副司长孙伟、国家集成电路产业投资基金公司董事长王占甫等人，与湖北省副省长许克振，武汉市委、常务副市长龙正才、东湖高新区党工委书记胡立山等重要官员都亲自出席，为中国大陆跨足建立自主存储器技术且是历年来单笔最大投资案做见证。

业界人士指出，虽然紫光集团强调技术自主研发，但近期已积极对台展开大规模挖角行动，值得有关单位和企业密切注意。

相关信息：中国砸240亿美元跃进3D NAND闪存时代

中国把半导体产业作为命脉来抓，国内最大也是最先进的存储芯片厂即将在武汉开工，总计耗资240亿美元，预计在2017年到2018年开始生产，而且中国国产存储芯片会跳过2D NAND闪存直接进入3D NAND闪存时代，起点可不低。不过在3D NAND市场上，四大豪门已经积累太多优势了，其中三星一家的3D NAND产能就占到了40%，国产NAND闪存要想打开市场，面临的难度可想而知。

集邦科技公布的全球主要的闪存芯片供应商报告中，三星2015年的NAND产能约为484.5万片晶圆，主流工艺是16nm。在3D NAND闪存上，三星是全球量产最早的供应商，2013年就量产V-NAND闪存了，当时还是32层堆栈的(第一代24层堆栈的没有规模量产)，之后三星又推出了48层堆栈的第三代V-NAND闪存，并与去年底开始量产。

集邦科技公布的全球主要NAND厂商的产能及份额

三星在中国西安投资70亿美元建设新一代晶圆厂，主产的就是3D NAND闪存，在如此庞大的投资下，三星西安工厂去年1-8个产值就达到了115亿元。根据集邦科技的分析，三星在2016年有可能占到全球3D NAND闪存市场的40.8%份额，绝对是一家独大。

SK Hynix去年的产能约为249万片晶圆，主流工艺也是16nm，他们的3D NAND闪存芯片要在今年Q1季度才能量产，主要36层堆栈的MLC及48层堆栈的TLC闪存，3D NAND闪存市场份额预计为3.3%。

东芝/闪迪去年的产能约为588万片晶圆，主流工艺是15nm，不过3D NAND闪存也是要到今年Q1季度量产，主要是48层堆栈的MLC/TLC闪存，今年预计份额为5.4%。

美光/Intel合资的IMFT公司去年产能219.5万片晶圆，主流工艺为16nm，去年Q4季度开始量产32层堆栈的MLC/TLC闪存，预计今年的份额为17.6%。

此外，Intel虽然与美光合资生产闪存，但去年已经决定把中国大连的Fab 65工厂从芯片组生产转向闪存制造，总计投资55亿美元，分析认为投产的产品很可能是Intel非常倚重的3D XPoint闪存。

随着三星、Intel等国际公司扩大中国晶圆厂的3D NAND闪存产能，中国大陆所占的3D NAND产能有可能从目前的8%提高到2017年的超过10%。

　　另一方面，中国本土自建的国产NAND工厂本月底正式动工，预计2017年到2018年正式建成投产，由武汉新芯科技公司负责运营，而且所生产的芯片直接进入3D NAND闪存时代，技术来源是飞索半导体，但不确定他们的3D NAND闪存具体是什么工艺，技术水平与三星、Intel相比如何。

国产存储芯片晶圆厂的产能目标是每月20万片晶圆，算起来一年就是240万片了，差不多达到了SK Hynix现在的水平，不过月产20万片晶圆的目标不是一蹴而就的，一座晶圆厂通常的月产能不过是数万片，所以20万片的月产能需要多年的产能建设才有可能。

3D NAND 介绍

固态硬盘的数据传输速度虽然很快，但售价和容量还都是个问题。这种宽度为2.5英寸的硬盘用来容纳存储芯片的空间较为有限，容量越高的芯片可以增加硬盘的总体存储空间，但更高的成本也拉高了硬盘的售价。

对于这个问题，英特尔可能已经在3D NAND当中找到了解决办法。3D NAND是英特尔和镁光的合资企业所研发的一种技术，它的概念其实非常简单：不同于将存储芯片放置在单面，英特尔和镁光研究出了一种将它们堆叠最高32层的方法。这样一来，单个MLC闪存芯片上可以增加最高32GB的存储空间，而单个TLC闪存芯片可增加48GB。

3D NAND闪存是一种新兴的闪存类型，通过把内存颗粒堆叠在一起来解决2D或者平面NAND闪存带来的限制。

平面结构的NAND闪存已接近其实际扩展极限，给半导体存储器行业带来严峻挑战。新的3D NAND技术，垂直堆叠了多层数据存储单元，具备卓越的精度。基于该技术，可打造出存储容量比同类NAND技术高达三倍的存储设备。该技术可支持在更小的空间内容纳更高存储容量，进而带来很大的成本节约、能耗降低，以及大幅的性能提升以全面满足众多消费类移动设备和要求最严苛的企业部署的需求。

紫光 （公司）

紫光是紫光股份有限公司的品牌。紫光股份有限公司以“品牌、资源、资金”为发展支点，以“简单、高效、健康”为管理思想，业务领域广泛覆盖信息电子产业的主流方向，主干产业包括以数字影像产品为代表的自主品牌信息电子产品；覆盖教育、新闻出版、交通、各类政府机构等多领域的软件与系统集成业务；以及已成为现代服务业代表的渠道增值分销业务。

紫光是可见光中波长最短的，是可见光中透射度最强的，也是对生物体危害最大的可见光。紫光的波长是400nm，频率为7.5*10^14Hz。它在显示生物体秘密的同时，又对生物有着强烈的破坏作用。它是病毒研究中必用的光，又是可将病毒致死的光。紫光将伴着生物界，伴着人类的文明，在环球上永远播散着它那美丽而神奇的光波。

品牌介绍

紫光是紫光股份有限公司的品牌。紫光股份有限公司以“品牌、资源、资金”为发展支点，以“简单、高效、健康”为管理思想，业务领域广泛覆盖信息电子产业的主流方向，主干产业包括以数字影像产品为代表的自主品牌信息电子产品；覆盖教育、新闻出版、交通、各类政府机构等多领域的软件与系统集成业务；以及已成为现代服务业代表的渠道增值分销业务。公司稳步实施大科技发展战略，力求以多样化的产品、系统化的技术应用和服务，多层次、持续性地满足用户不断增长的需求。十余年的创新发展，紫光股份孵化了紫光数码、紫光软件、紫光捷通等一批优质产业公司，培育了紫光图文等中美合资企业，树立了国际合作的典范。

紫光源自清华，依托清华大学的综合性人才和科技资源优势，健康可持续发展，年产值已超过50亿元。紫光股份是国家重点高新技术企业、国家“863计划”成果产业化基地，历年入选中国电子信息“百强”企业，曾荣获国家技术发明奖、创新奖以及名牌产品等上百项奖励。