关于NAND和NOR闪存的读取速度比较，通常认为NOR闪存的读取速度相对较快，而NAND闪存的读取速度则相对较慢。以下是对这一结论的详细解释：

一、读取速度差异的原因

1. 结构差异：

• NOR闪存：其存储单元并联连接，每个存储单元都有独立的地址线，可以直接访问任意存储单元。这种结构使得NOR闪存能够随机访问数据，因此读取速度较快。

• NAND闪存：其存储单元串联连接，形成页和块的结构，需要通过页或块进行寻址。这种结构使得NAND闪存需要按页或块进行串行访问，因此读取速度相对较慢。

2. 访问方式：

• NOR闪存：支持随机访问，可以直接读取任意位置的存储单元。

• NAND闪存：采用串行访问方式，需要先定位到目标页或块，然后再进行读取操作。这种访问方式增加了读取时间。

二、实际应用中的表现

尽管NOR闪存在读取速度上具有优势，但在实际应用中，NAND闪存因其高存储密度、快速写入和擦除速度以及较低的成本而得到广泛应用。特别是在需要大容量数据存储的场景中，NAND闪存成为首选。

同时，随着技术的不断发展，NAND闪存的读取速度也在不断提高。例如，通过优化闪存控制算法、提高数据传输速率以及采用更先进的制造工艺等手段，可以进一步提升NAND闪存的读取性能。

三、结论

综上所述，虽然NOR闪存在读取速度上具有优势，但NAND闪存因其高存储密度、快速写入和擦除速度以及较低的成本而更受青睐。在实际应用中，设计者会根据产品的具体需求来选择合适的存储器类型。因此，在比较NAND和NOR闪存的读取速度时，需要综合考虑多种因素并权衡利弊。