在比较Flash Memory（闪存）和EPROM（可擦除可编程只读存储器）的读写速度时，通常认为Flash Memory更快。以下是对这两者在速度方面的详细比较：

一、写入速度

1. EPROM：

• EPROM的写入速度相对较慢，因为写入操作需要改变芯片内部的物理结构来存储数据。这涉及到电子隧穿效应或热电子注入等物理过程，这些过程需要一定的时间来完成。

2. Flash Memory：

• Flash Memory的写入速度相对较快，特别是现代的高速Flash Memory产品。随着技术的进步，Flash Memory的写入性能得到了显著提升。

• Flash Memory能够以并行方式进行写入操作，这进一步提高了其写入速度。

二、擦除速度

1. EPROM：

• EPROM的擦除通常是通过紫外线照射来完成的，这个过程相对较慢且繁琐。擦除时需要专门的紫外线擦除器，且擦除整个芯片可能需要几分钟到几小时的时间。

2. Flash Memory：

• Flash Memory的擦除速度相对较快，因为擦除操作是通过电子信号来完成的。这种电子擦除方式比紫外线照射更加高效和便捷。

• Flash Memory通常以块为单位进行擦除，这使得在需要更新部分数据时能够更快地擦除和重写所需的数据块。

三、综合性能

• 除了写入和擦除速度外，Flash Memory还具有更高的集成度、更低的功耗和更长的寿命等优点。这些优点使得Flash Memory在现代电子设备中得到了广泛应用。

• 相比之下，EPROM由于其擦除和重写的不便性以及有限的擦写周期，在现代电子设备中的应用逐渐减少。

综上所述，从写入速度和擦除速度两个方面来看，Flash Memory通常比EPROM更快。因此，在需要高速存储和读取数据的场合，Flash Memory是更合适的选择。