雪崩二极管正常工作时的电压并非一个固定值，而是根据其具体类型、掺杂浓度、半导体材料以及应用场景的不同而有所变化。以下是对雪崩二极管工作电压的详细分析：

一、正向击穿电压

• 当正向电压增加到一定程度时，雪崩二极管会发生击穿，此时的电压被称为正向击穿电压。

• 一般来说，雪崩二极管的正向击穿电压约为5V。这意味着，当正向电压超过5V时，二极管内部的电流会急剧增加，可能导致器件损坏。

• 因此，在实际应用中，需要严格控制正向电压，以确保雪崩二极管的安全工作。

二、反向击穿电压

• 与正向击穿不同，反向击穿是雪崩二极管更为常见的工作状态。

• 通过精确的掺杂工艺控制，可以将硅材料的雪崩二极管反向击穿电压控制在几伏到上千伏之间，以满足不同应用场景的需求。

• 在某些高性能的雪崩二极管中，如用于激光扫描系统的雪崩光电二极管，其工作电压可能高达100~200V，几乎接近反向击穿电压。

三、注意事项

• 在使用雪崩二极管时，需要根据其具体的型号和应用场景来选择合适的电压范围。

• 过高的电压可能导致器件损坏，而过低的电压则可能无法使二极管正常工作。

• 此外，还需要注意雪崩二极管的温度特性、稳定性以及与其他电路元件的匹配性等问题。

综上所述，雪崩二极管正常工作时的电压取决于多种因素，包括其类型、掺杂浓度、半导体材料以及应用场景等。因此，在选择和使用雪崩二极管时，需要仔细查阅其规格书和技术文档，以确保其能够在合适的电压范围内正常工作。