绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的图形符号通常表示为其三端结构，即栅极（G）、集电极（C）和发射极（E）。以下是对IGBT图形符号的详细解释：

IGBT的图形符号通常是一个带有三个引脚的符号，其中：

• 栅极（G）通常用一个较小的箭头或三角形表示，指向晶体管内部，表示这是一个电压控制端。

• 集电极（C）通常用一个较大的箭头或矩形表示，箭头或矩形的方向指向外部，表示这是电流的主要输出端。

• 发射极（E）通常用一个较小的箭头或圆形表示，箭头或圆形的方向指向晶体管内部，与栅极相对，表示这是电流的输入端或另一个电流输出端（在双极型晶体管中，发射极和集电极都可以是电流的输出端，但通常集电极是主要的电流输出端）。

在某些图形符号中，IGBT可能还被表示为一个带有增强型NMOS管和PNP型三极管组合的结构，以突出其内部工作原理和特性。这种表示方法虽然复杂一些，但更直观地展示了IGBT的内部结构和工作原理。

然而，在实际的电子电路图中，为了简化和标准化，IGBT的图形符号通常被简化为上述的三端结构。这种符号不仅易于识别和绘制，而且能够清晰地表示出IGBT的三个主要电极和它们之间的相对位置。

需要注意的是，不同的电子工程领域和不同的国家/地区可能会有一些细微的图形符号差异。但总的来说，IGBT的图形符号在大多数情况下都是相似的，并且都遵循了标准化的设计原则。