在高速数字电路中，MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）相较于三极管更为常用。这一结论主要基于MOSFET在高速数字电路中的几个显著优势：

1. 低功耗：MOSFET在导通时具有较低的功耗，这得益于其较低的导通阻抗。在高速数字电路中，低功耗是一个重要的考量因素，因为它有助于减少电路的发热，提高系统的整体效率和稳定性。

2. 高速开关：MOSFET的开关速度非常快，这使其能够迅速响应数字信号的变化。在高速数字电路中，信号的传输速度非常快，因此需要一个能够快速响应的开关元件来确保信号的准确传输。MOSFET的高速开关特性使其成为这一领域的理想选择。

3. 高集成度：MOSFET可以高度集成在芯片上，这有助于减小电路的体积和重量，同时提高电路的可靠性和稳定性。在高速数字电路中，高集成度是一个重要的优势，因为它可以使电路更加紧凑和高效。

4. 易于控制：MOSFET的控制相对简单，只需通过改变栅极电压即可实现开关状态的切换。这使得MOSFET在数字逻辑电路和模拟开关电路中具有广泛的应用。

相比之下，三极管虽然也具有一定的放大和开关功能，但在高速数字电路中，其开关速度、功耗和集成度等方面相对MOSFET存在劣势。此外，三极管在高频应用中可能会受到密勒效应等因素的影响，导致性能下降。

综上所述，MOSFET在高速数字电路中因其低功耗、高速开关、高集成度和易于控制等优点而更为常用。这些优势使得MOSFET成为构建高速、高效、可靠的数字电路的理想选择。