在放大电路中，选择三极管还是MOSFET作为输入器件，主要取决于具体的应用需求、电路性能要求以及成本考虑。以下是对两者在放大电路输入端应用的详细比较：

一、输入阻抗

1. MOSFET：

• 具有极高的输入阻抗，通常可达几兆欧姆甚至更高。

• 栅极几乎不吸收电流，只需要很小的电压变化就能控制漏极电流。

• 这使得MOSFET在很多对输入信号电流要求极低的场合具有优势，例如在一些高灵敏度的放大电路和微功耗电路中。

2. 三极管：

• 输入阻抗相对较低，一般在几百Ω到几千Ω之间。

• 基极需要一定的电流来驱动，对前级电路的输出电流有一定要求。

二、噪声性能

1. MOSFET：

• 噪声系数很小，在低噪声放大电路的输入级及要求信噪比较高的电路中要选用MOSFET。

2. 三极管：

• 噪声性能相对较差，可能不适用于对噪声要求极高的场合。

三、开关速度与频率响应

1. MOSFET：

• 开关速度较快，尤其是在现代工艺下制造的MOSFET，其开关时间可以达到纳秒甚至更短。

• 适用于高速数字电路和高频开关电源等领域，能够满足快速切换信号的要求。

2. 三极管：

• 开关速度相对较慢，特别是在从导通到截止或从截止到导通的转换过程中，需要一定的时间来完成载流子的注入和抽出等过程。

• 可能不适用于需要极高开关速度或频率响应的场合。

四、功耗与效率

1. MOSFET：

• 在导通时，导通电阻上的功耗相对较小。

• 尤其是在现代工艺下，通过优化器件结构和制造工艺，能够进一步降低导通电阻，从而减小导通功耗。

• 在截止状态时，漏极和源极之间几乎没有电流流过，只有极小的漏电流，因此静态功耗非常低。

2. 三极管：

• 在导通状态下，三极管的基极和发射极之间存在一定的正向电压降，会消耗一定的功率。

• 当三极管处于放大状态时，其集电极电流较大，也会导致相对较高的功耗。

• 特别是在大功率应用中，三极管的散热问题需要特别关注。

五、成本与可用性

1. MOSFET：

• 随着制造工艺的不断进步和产量的增加，MOSFET的成本逐渐降低。

• 在一些特定领域（如数字集成电路、功率变换电路等）中，MOSFET已成为主流器件。

2. 三极管：

• 技术成熟，易于购买和维修。

• 在一些传统领域（如音频放大、模拟电路等）中，三极管仍然具有广泛的应用。

综上所述，在放大电路的输入端，MOSFET因其高输入阻抗、低噪声、快速开关速度和低功耗等优点而更具优势。然而，三极管在某些特定场合（如需要大电流驱动或成本敏感的应用）中仍然具有竞争力。因此，在选择输入器件时，需要根据具体的应用需求和电路设计要求进行权衡和选择。