肖特基二极管和普通二极管的工作原理有所不同，主要体现在它们的结构和导电机制上。

肖特基二极管的工作原理

肖特基二极管，也被称为SBD（Schottky Barrier Diode），是一种具有低正向电压降和快速开关特性的半导体二极管。其工作原理基于金属与半导体之间的肖特基势垒。

1. 结构：肖特基二极管由一层金属（通常是铂、金、钼等）与一层N型半导体紧密接触形成。当金属与N型半导体接触时，由于两者的功函数不同，会在接触面形成一个势垒，即肖特基势垒。

2. 导电机制：当对二极管施加正向电压时，势垒高度降低，允许电子流过，从而形成电流。这个过程中，电流主要由半导体中的自由电子通过肖特基势垒形成。肖特基二极管具有低正向电压降和快速开关特性，这使得它在高频电路和高速开关应用中具有优势。

普通二极管的工作原理

普通二极管的工作原理主要基于PN结的单向导电性。

1. 结构：晶体二极管为一个由P型半导体和N型半导体形成的PN结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。

2. 导电机制：

• 当不存在外加电压时，由于PN结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。

• 当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加，引起正向电流。此时，P区中的空穴和N区的电子都往PN结方向移动，空穴和PN结P区的负离子中和，电子和PN结N区的正离子中和，使PN结变窄，电流得以通过。

• 当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流。此时，电流几乎无法通过二极管。

总结

肖特基二极管和普通二极管在工作原理上的主要区别在于它们的结构和导电机制。肖特基二极管利用金属与半导体之间的肖特基势垒进行导电，具有低正向电压降和快速开关特性；而普通二极管则基于PN结的单向导电性进行工作，其导电状态受外加电压的控制。这些差异使得两者在应用领域和性能特点上有所不同。