ULN2003数据手册提供了关于ULN2003芯片的详细规格、电气特性、极限参数以及应用信息。以下是根据多个来源整理的ULN2003数据手册的主要内容：

一、概述

ULN2003是一个单片高电压、高电流的达林顿晶体管阵列集成电路。它由7对NPN达林顿管组成，具有高电压输出特性和阴极箝位二极管，可以转换感应负载。单个达林顿对的集电极电流是500mA，达林顿管并联可以承受更大的电流。

二、极限参数

在Tamb=25°C的条件下，ULN2003的极限参数如下：

• 集电极和发射极之间的电压（VCE）：50V

• 输入电压（VI）：30V

• 集电极电流峰值（Io）：500mA

• 总的发射端电流（IOK）：500mA

• 功率消耗（Pd）：950mW（Tamb=25°C），495mW（Tamb<85°C）

• 工作温度（Topr）：-20~+85°C

• 储存温度（Tstg）：-65~+150°C

三、电气特性参数

在Tamb=25°C的条件下，ULN2003的电气特性参数如下：

• 集电极-发射极饱和电压（VCE(SAT)）：在不同的测试条件下，其值在1.2~3V之间变化。

• 集电极切断电流（ICEX）：在VCE=50V，II=0的条件下，其典型值为2μA；在VCE=50V，II=0，Tamb=70°C的条件下，其值为100μA。

• 前进箝位电压（VF）：在IF=350mA的条件下，其值为1.72V。

• 关闭状态输入电流（II(OFF)）：在VCE=50V，IC=500mA，Tamb=70°C的条件下，其值为50~65μA。

• 输入电容（CI）：在VI=0，f=1MHz的条件下，其值为15~25pF。

• 传播迟延时间（tPLH和tPHL）：其值均为0.25~1μs。

• 转换后高电平输出电压（VOH）：在Vs=50V，Io=300mA的条件下，其最小值为Vs-20mV。

四、应用

ULN2003主要应用于以下领域：

• 继电器驱动器

• 字锤驱动器

• 灯驱动器

• 显示驱动器（LED气体放电）

• 线路驱动器

• 逻辑缓冲器

五、封装与引脚

ULN2003提供DIP-16和SOP-16两种封装形式，具有16个引脚。每个达林顿对都有一个2.7kΩ的串联电阻，可以直接与TTL或5V CMOS装置连接。

六、其他特性

• ULN2003的每对达林顿管都具有高电压输出能力，可以承受高达50V的电压。

• 该芯片与各种逻辑类型兼容，方便与不同的数字电路进行连接。

• ULN2003还集成了抑制二极管，用于保护电路免受感应负载产生的瞬态电压的影响。

ULN2003数据手册提供了关于该芯片的详细规格和应用信息，有助于工程师在设计电路时正确选择和使用该芯片。