齐纳二极管和普通二极管在多个方面存在显著的不同点，这些不同点主要体现在它们的结构、掺杂程度、导电特性、应用场景等方面。以下是对这些不同点的详细比较：

一、结构与掺杂程度

1. 齐纳二极管：

• 结构：由P型和N型半导体材料组成，形成PN结。

• 掺杂程度：重掺杂，以实现更高的击穿电压。这种重掺杂使得齐纳二极管的PN结耗尽层很薄。

2. 普通二极管：

• 结构：同样由P型和N型半导体材料组成，形成PN结。

• 掺杂程度：中度掺杂，其PN结的耗尽层相对较厚。

二、导电特性

1. 齐纳二极管：

• 正向偏置：与普通二极管类似，电子从N区移动到P区，形成电流通路。但在此状态下，齐纳二极管并不表现出稳压特性。

• 反向偏置：当反向电压增加到一定程度（即齐纳电压）时，齐纳二极管会发生反向击穿，此时反向电流急剧增加，但电压基本保持不变。这种特性使得齐纳二极管可以作为稳压器使用。

• 双向导电性：由于PN结耗尽层很薄，齐纳二极管在正向和反向偏置条件下都可以导电（尽管在反向偏置下导电是在击穿后）。

2. 普通二极管：

• 正向偏置：电子从P区注入到N区，形成电流通路。此时二极管处于导通状态。

• 反向偏置：由于PN结的耗尽层较厚，反向电压下几乎不允许电流通过。此时二极管处于截止状态。

• 单向导电性：普通二极管只允许电流在正向偏置下通过，反向偏置时则截止。

三、应用场景

1. 齐纳二极管：

• 主要用于稳压电源、基准电压源、波形整形、限幅电路等需要稳定电压输出的场合。

• 也常用于过压保护、浪涌抑制等电路中，以保护其他元件免受高电压的损害。

2. 普通二极管：

• 广泛应用于整流电路中将交流电转换为直流电。

• 也用于检波电路中提取调制信号、振荡电路中产生振荡信号等场合。

• 在电子开关、信号放大等方面也有广泛应用。

综上所述，齐纳二极管和普通二极管在结构、掺杂程度、导电特性和应用场景等方面存在显著差异。这些差异使得它们各自在电子电路中发挥着不同的作用。