Onsemi MMBZ5231BLT1G表面安装齐纳二极管中文详细资料

一、型号与类型

型号：MMBZ5231BLT1G

类型：表面安装齐纳二极管（Surface Mount Zener Diode）

　　厂商名称：Onsemi

　　元件分类：稳压二极管

　　中文描述： 稳压二极管,5.1 V,225 mW,SOT-23,3引脚,150°C,表面安装

　　英文描述： Zener Single Diode,5.1 V,225 mW,SOT-23,5%,3 Pins,150°C

　　数据手册：https://www.iczoom.com/data/k02-23941396-MMBZ5231BLT1G.html

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　　MMBZ5231BLT1G概述

　　MMBZ5231BLT1G是一款表面安装齐纳二极管,设计用于电压调节,仅需很小的空间.非常适用于手机,手提便携式设备和高密度PC板等应用.

　　FR-4或FR-5板,额定功率为225mW

　　小封装尺寸,适用于高密度应用

　　静电保护等级class 3(＞16kV),人体模型

　　符合AEC-Q101标准,PPAP功能

　　不含铅,卤素/BFR

　　应用

　　消费电子产品,便携式器材

　　MMBZ5231BLT1G中文参数

　　MMBZ5231BLT1G引脚图

二、工作原理

1. 齐纳二极管的基本概念

齐纳二极管，又称稳压二极管或击穿二极管，是一种具有特殊设计以限制反向电压的特殊二极管。与传统的PN结二极管相比，齐纳二极管在反向电压达到其额定电压（Vz，也称为齐纳电压）时，会发生反向击穿现象，但并不损坏，而是允许电流流过，从而将反向电压钳制在接近其额定电压的稳定值上。

2. 工作模式

• 正向偏置：当齐纳二极管的正极（阳极）相对于负极（阴极）加正向电压时，其行为与普通二极管相似，即电流通过二极管，呈现低电阻状态。

• 反向偏置：当反向电压低于齐纳电压时，齐纳二极管表现为高阻态，几乎无电流通过。一旦反向电压达到或超过齐纳电压，二极管将发生反向击穿，进入反向导通状态，电流急剧增加，但电压几乎保持不变，即为齐纳电压。

3. Avalanche Breakdown过程

当齐纳二极管两端的反向电压超过其额定电压时，会发生雪崩击穿（Avalanche Breakdown）。在此过程中，半导体耗尽层中的载流子倍增，导致电流急剧增加，以限制电压的进一步增加。这使得齐纳二极管在反向击穿状态下能维持一个相对稳定的电压。

三、特点

1. 稳定电压：齐纳二极管最显著的特点是能在反向击穿状态下维持一个几乎恒定的电压，这一特性使得它在电压稳定器应用中尤为重要。

2. 低功耗：MMBZ5231BLT1G的额定功率为225mW，适合在低功耗电路中使用。

3. 小封装：采用SOT-23封装，体积小，非常适合高密度集成电路应用，如手机、便携式设备等。

4. 高温工作能力：最大工作温度可达150°C，适用于高温环境下的电子设备。

5. 高静电保护等级：静电保护等级class 3(>16kV)，人体模型，增加了元件在静电环境下的可靠性。

6. 环保特性：符合RoHS标准，不含铅和卤素等有害物质，有利于环保。

四、应用

1. 电压稳定器：齐纳二极管广泛应用于各种电压稳定器电路中，以防止电压波动对电路性能的影响。在电源电路中加入齐纳二极管，可以确保输出电压稳定在齐纳电压附近。

2. 电源管理：在手机、笔记本电脑等便携式设备中，齐纳二极管常用于电源管理电路中，保护电池和电路免受电压突变的损害。

3. 汽车电子：由于其高温工作能力和良好的静电保护性能，MMBZ5231BLT1G也适用于汽车电子系统，如发动机控制系统、安全系统等。

4. 信号整形：在数字电路中，齐纳二极管可用于信号整形，将超出设定电压范围的信号钳制在预定电平，以改善信号质量。

5. 过压保护：在电源或信号输入端加入齐纳二极管，可以有效防止因过电压导致的电路损坏。

五、参数

制造商：Onsemi

元件分类：稳压二极管

主要参数：

• 齐纳电压（Vz）：5.1V（±5%容差）

• 功率耗散（Pd）：225mW

• 封装类型：SOT-23-3

• 针脚数：3引脚

• 最小工作温度：-65°C

• 最大工作温度：+150°C

• 齐纳电流（Iz）：5μA（在指定条件下）

• 反向漏电流（Ir）：5μA（在指定电压下）

• 阻抗（Zzt）：17 Ohms（最大值）

• 正向电压（Vf）：900mV @ 10mA（典型值）

• 反向泄漏电流：5μA @ 2V（典型值）

六、详细参数解读

1. 齐纳电压（Vz）

齐纳电压是齐纳二极管最重要的参数之一，它决定了二极管在反向击穿状态下维持的电压值。MMBZ5231BLT1G的齐纳电压为5.1V，适用于需要稳定在此电压值的电路。

2. 功率耗散（Pd）

功率耗散（Pd）是指齐纳二极管在工作时所能承受的最大功率，超过此值可能会导致二极管过热而损坏。MMBZ5231BLT1G的功率耗散为225mW，这意味着在设计电路时，需要确保通过二极管的电流和电压的乘积不超过此值，以保证其长期稳定运行。

3. 封装类型与引脚数

MMBZ5231BLT1G采用SOT-23-3封装，这是一种小型化的表面贴装封装，非常适合于空间受限的应用场景。SOT-23封装具有三个引脚，分别为阳极（正极）、阴极（负极）和接地（在某些应用中可能作为参考点或未连接）。这种封装形式不仅减小了元件的体积，还提高了电路板的组装密度和可靠性。

4. 工作温度范围

MMBZ5231BLT1G的工作温度范围从-65°C到+150°C，这显示了其出色的耐高温性能。这种宽温度范围使得该二极管能够在极端环境条件下工作，如汽车电子系统中的发动机舱内，或者工业控制设备中的高温区域。

5. 齐纳电流（Iz）与反向漏电流（Ir）

齐纳电流（Iz）是指在齐纳电压下通过二极管的电流，而反向漏电流（Ir）则是在反向电压低于齐纳电压时通过二极管的微小电流。对于MMBZ5231BLT1G来说，这两个参数的值都很小（通常为几微安），这有助于减少不必要的功耗和热量产生。然而，在实际应用中，需要根据具体电路的要求来选择合适的齐纳电流和反向漏电流值。

6. 阻抗（Zzt）

阻抗（Zzt）是齐纳二极管在反向击穿状态下的动态电阻，它反映了二极管在维持齐纳电压时对抗电流变化的能力。MMBZ5231BLT1G的阻抗值较低（最大17欧姆），这意味着在反向击穿状态下，二极管能够较好地限制电流的变化，从而保持电压的稳定。

7. 正向电压（Vf）

正向电压（Vf）是指当二极管正向偏置时，通过一定电流（如10mA）所需的电压。对于MMBZ5231BLT1G来说，其正向电压的典型值为0.9V（在10mA电流下）。这个参数在二极管作为正向导电元件时非常重要，因为它决定了二极管在正向偏置下的功耗和效率。

七、选型与电路设计注意事项

1. 选型：在选择MMBZ5231BLT1G或其他齐纳二极管时，首先需要确定所需的齐纳电压和功率耗散。此外，还需要考虑封装类型、引脚配置以及工作环境温度等因素。

2. 电路设计：在电路设计中，应确保齐纳二极管的正负极连接正确，并为其提供足够的散热措施以防止过热。同时，还需要注意与其他元件的电气隔离和信号完整性。

3. 保护措施：为了防止齐纳二极管因过流或过压而损坏，可以在其两端并联适当的限流电阻或保护元件（如瞬态电压抑制器TVS）。

4. 测试与验证：在电路设计和制造完成后，需要进行充分的测试和验证以确保齐纳二极管能够正常工作并满足设计要求。这包括测量齐纳电压、功率耗散、正向电压等参数以及进行环境适应性测试等。

综上所述，MMBZ5231BLT1G作为一款高性能的表面安装齐纳二极管，在电压稳定、低功耗、高温工作以及环保等方面具有显著优势。通过合理的选型和电路设计，可以充分发挥其性能特点并满足各种应用需求。