Onsemi NVR5198NLT1G MOS管中文资料

一、引言

Onsemi（安森美）作为半导体行业的领先制造商，其生产的NVR5198NLT1G MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）在汽车电子、电源管理、工业控制等领域具有广泛的应用。本文将详细介绍NVR5198NLT1G MOS管的型号类型、工作原理、特点、应用以及主要参数，以期为读者提供全面的了解。

　　厂商名称：Onsemi

　　元件分类：MOS管

　　中文描述： 功率场效应管,MOSFET,AEC-Q101,N通道,60 V,2.2 A,0.107 ohm,SOT-23,表面安装

　　英文描述： MOSFET Pwr MOSFET 60V 2.2A 155mOhm SGL N-CH

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　　NVR5198NLT1G概述

　　NVR5198NLT1G是车规级功率MOSFET，60V，155 mΩ，单N沟道，逻辑电平，SOT?23 AEC-Q101认证且具备生产件批准程序(PPAP)功能，适用于汽车应用。

　　特性

　　小尺寸工业标准表面贴装SOT-23封装

　　低rDS(on)，可降低传导损耗并提高效率

　　通过AECQ101认证和PPAP能力

　　符合RoHS标准

　　应用

　　锂离子电池的平衡

　　负载开关

　　终端产品

　　混合动力汽车/电动汽车

　　汽车信息娱乐系统

　　NVR5198NLT1G中文参数

　　NVR5198NLT1G引脚图

二、型号类型

NVR5198NLT1G是一款车规级功率MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管），具体为N沟道增强型MOSFET。其型号中的“NVR”前缀通常用于表示该产品适用于汽车及其他需要独特站点和控制变更要求的应用。此外，NVR5198NLT1G通过了AEC-Q101认证，并具备生产件批准程序(PPAP)功能，进一步保证了其在汽车应用中的可靠性和稳定性。

三、工作原理

MOSFET是一种具有绝缘栅的场效应晶体管，其中电压决定了器件的电导率。NVR5198NLT1G作为N沟道增强型MOSFET，其工作原理主要基于MOS电容的特性。当漏源电压（VDS）连接在漏极和源极之间时，正电压施加到漏极，负电压施加到源极。此时，漏极的PN结是反向偏置的，而源极的PN结是正向偏置的，因此漏极和源极之间不会有任何电流流动。

然而，当正电压（VGG）施加到栅极端子时，由于静电引力，P衬底中的少数电荷载流子（电子）将开始积聚在栅极触点上，从而在两个n+区域之间形成导电桥。在栅极接触处积累的自由电子的数量取决于施加的正电压的强度。施加的电压越高，由于电子积累而形成的n沟道宽度越大，这最终会增加电导率，并且漏极电流（ID）将开始在源极和漏极之间流动。这就是NVR5198NLT1G作为N沟道增强型MOSFET的基本工作原理。

四、特点

1. 小尺寸工业标准表面贴装：NVR5198NLT1G采用SOT-23封装，尺寸小巧，便于在PCB板上进行表面贴装，提高了设计的灵活性和紧凑性。

2. 低rDS(on)值：漏源导通电阻（rDS(on)）为155mΩ，较低的导通电阻有助于降低传导损耗并提高电路效率。

3. 宽温度范围：支持的工作温度范围为-55°C至+150°C，满足各种恶劣环境下的应用需求。

4. AEC-Q101认证：经过严格的汽车级质量认证，确保在汽车电子应用中的高可靠性和耐久性。

5. 符合RoHS标准：产品符合环保要求，无铅、无卤、无溴化阻燃剂，符合国际环保法规。

五、应用

NVR5198NLT1G因其优异的性能和可靠性，在汽车领域具有广泛的应用。主要包括但不限于以下几个方面：

1. 锂离子电池的平衡：在电动汽车和混合动力汽车的电池管理系统中，NVR5198NLT1G可用于实现电池单体之间的电压平衡，确保电池组的整体性能和安全性。

2. 负载开关：在汽车电子控制单元（ECU）和其他电源管理系统中，NVR5198NLT1G可作为负载开关使用，通过控制电路的通断来实现对负载设备的电源管理。

3. 汽车信息娱乐系统：在车载音响、导航系统等信息娱乐设备中，NVR5198NLT1G可用于电源控制和信号切换，提高系统的整体性能和用户体验。

六、主要参数

1. 漏源极击穿电压（Vdss）：60V，表示MOSFET在漏极和源极之间能承受的最大电压。

2. 连续漏极电流（Id）：在25°C时，最大连续漏极电流为2.2A。这是MOSFET在连续工作状态下允许通过的最大电流。

3. 栅源极阈值电压（Vgs th）：在25°C时，约为1.5V。这是使MOSFET开始导通所需的最小栅极-源极电压。

4. **漏源导通电阻

   （Rds(on)）**：155mΩ（典型值，在Vgs=4.5V，Id=1.5A时测量），这一参数决定了MOSFET在导通状态下的功耗和效率。较低的Rds(on)意味着更低的导通损耗，从而提高了整体电路的效率。

5. 栅极电荷（Qg）：栅极电荷是MOSFET在开关过程中需要充放电的电荷量，它影响了MOSFET的开关速度和功耗。NVR5198NLT1G的栅极电荷相对较低，有助于实现快速开关和降低功耗。

6. 总门极电荷（Qgd）：总门极电荷中的Qgd部分代表了栅极到漏极的电荷，它会影响MOSFET在高频应用中的性能。较低的Qgd有助于减少在高频开关过程中产生的电压尖峰和电磁干扰（EMI）。

7. 开关时间：包括上升时间（tr）和下降时间（tf）。上升时间是从栅极电压开始增加到MOSFET完全导通所需的时间；下降时间则是从栅极电压开始降低到MOSFET完全截止所需的时间。NVR5198NLT1G具有较短的开关时间，适用于需要快速响应的应用场景。

8. 最大功耗（Pd）：在给定的工作条件下，MOSFET能够安全承受的最大功耗。对于NVR5198NLT1G，其最大功耗受限于封装热阻和允许的最大结温。

9. 热阻（RθJA, RθJC）：热阻是衡量MOSFET散热性能的重要参数。RθJA表示从结点到周围环境的热阻，而RθJC则表示从结点到封装外壳的热阻。这些参数对于评估MOSFET在不同散热条件下的工作温度至关重要。

10. 封装类型：SOT-23，这是一种紧凑且易于安装的表面贴装封装，适合高密度PCB设计。

七、总结与展望

NVR5198NLT1G作为Onsemi推出的一款高性能车规级N沟道增强型MOSFET，凭借其低Rds(on)、高可靠性、宽温度范围以及符合AEC-Q101认证等优势，在汽车电子、电源管理、工业控制等领域展现出广泛的应用潜力。其小尺寸的表面贴装封装也进一步提升了设计的灵活性和紧凑性。

随着汽车电子化、智能化程度的不断提升，对功率半导体器件的性能要求也越来越高。NVR5198NLT1G作为一款专为汽车电子设计的MOSFET，不仅满足了当前的需求，也为未来汽车电子系统的发展提供了有力支持。未来，随着新能源汽车、自动驾驶等技术的不断发展，相信NVR5198NLT1G及其同类产品将在更多领域发挥重要作用。

同时，随着半导体制造工艺的不断进步，我们也有理由期待Onsemi等半导体制造商能够推出更多性能更优异、成本更低廉的功率半导体产品，为各行各业的发展提供更加强劲的动力。