Onsmei MMBFJ177LT1G P沟道JFET中文资料

一、型号与类型

Onsmei MMBFJ177LT1G是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）生产的P沟道场效应晶体管（JFET），属于结型场效应晶体管（Junction Field Effect Transistor）类别。该器件采用SOT-23封装形式，具有紧凑的3引脚设计，非常适合空间受限的应用场景。MMBFJ177LT1G以其高性能和低功耗特性，在模拟开关、斩波器等应用中表现出色。

　　厂商名称：Onsmei

　　元件分类：JFET

　　中文描述： 晶体管,JFET,JFET,30 V,-20 mA,2.5 V,SOT-23,3引脚,150°C

　　英文描述： P-Channel JFET Transistor,SOT-23(TO-236)3 LEAD,3000-REEL

　　数据手册：https://www.iczoom.com/data/k02-24000389-MMBFJ177LT1G.html

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　　MMBFJ177LT1G概述

　　MMBFJ177LT1G是一款P沟道JFET,设计用于模拟开关和斩波器应。低RDS(ON),高效率,并延长电池寿命。该器件采用表面封装,可节省电路板空间。

　　-25V漏极-栅极电压

　　25V栅极-源极电压

　　应用

　　工业,电源管理

　　MMBFJ177LT1G中文参数

　　制造商:onsemi

　　产品种类:JFET

　　技术:Si

　　安装风格:SMD/SMT

　　封装/箱体:SOT-23-3

　　晶体管极性:P-Channel

　　配置:Single

　　Vgs-栅源极击穿电压:30 V

　　Vgs=0时的漏-源电流:1.5 mA to 20 mA

　　MMBFJ177LT1G引脚图

二、工作原理

JFET（结型场效应晶体管）的工作原理基于PN结的反向偏置特性。对于P沟道JFET，其工作原理简述如下：

1. PN结反偏：在JFET中，栅极（G）与沟道之间形成了一个PN结。当在栅极和源极之间施加一个负电压（VGS < 0）时，该PN结处于反向偏置状态，导致栅极电流（iG）几乎为零（iG ≈ 0），同时栅极输入电阻非常高（可达10^7Ω以上）。

2. 沟道控制：随着VGS的负向增加，栅极下方的耗尽层变宽，导致沟道变窄，沟道电阻增大。这种变化直接影响漏极电流（iD）的大小。当VGS足够负时，沟道被耗尽层完全夹断，此时漏极电流几乎为零（iD ≈ 0）。这个使沟道夹断的栅源电压称为夹断电压（VP）。

3. 漏源电压影响：在漏极和源极之间施加正电压（VDS > 0）时，漏极电流iD的大小不仅取决于VGS，还受到VDS的影响。随着VDS的增加，漏端耗尽层所受的反偏电压（VGD = VGS - VDS）增大，导致漏端耗尽层比源端宽，沟道呈楔形分布。当VDS增加到使VGD = VP时，漏端耗尽层在漏极附近靠拢，形成预夹断状态。此后，即使VDS继续增加，iD也基本保持不变，因为夹断区的高电阻使得VDS主要降落在该区域。

三、特点

1. 低RDS(ON)：MMBFJ177LT1G具有较低的漏源导通电阻（RDS(ON)），这有助于减少功率损耗，提高电路效率。

2. 高效率：由于其低RDS(ON)和优异的电气特性，MMBFJ177LT1G在应用中能够实现高效率的电流控制。

3. 长电池寿命：在电池供电的应用中，低RDS(ON)和高效率有助于延长电池的使用寿命。

4. 紧凑封装：SOT-23封装形式使得MMBFJ177LT1G占用的电路板空间非常小，适合空间受限的电子设备。

5. 高输入电阻：由于栅极与沟道间的PN结反向偏置，MMBFJ177LT1G的栅极输入电阻非常高，适合作为电压控制器件。

6. RoHS和REACH合规：该器件不含铅、无卤素，符合RoHS和REACH标准，满足环保要求。

四、应用

MMBFJ177LT1G因其优异的性能特点，广泛应用于以下领域：

1. 模拟开关：在需要高精度和低功耗的模拟开关电路中，MMBFJ177LT1G能够提供稳定的电流控制，确保信号的准确传输。

2. 斩波器：在电源管理系统中，斩波器用于将直流电转换为交流电或调整电压。MMBFJ177LT1G的高效率和低RDS(ON)使其成为斩波器电路中的理想选择。

3. 电源管理：在电池供电的便携式设备中，电源管理系统需要精确控制电流和电压以延长电池寿命。MMBFJ177LT1G的低功耗和高效率特性使其成为电源管理电路的重要组成部分。

4. 工业自动化：在工业自动化控制系统中，MMBFJ177LT1G可用于各种传感器和执行器的电流控制，确保系统的稳定运行。

五、参数

以下是MMBFJ177LT1G的主要技术参数：

• 额定电压(DC): -25.0 V

• 额定电流: -20.0 mA

• 额定功率: 225 mW

• 击穿电压: 30.0 V

• 漏源极电阻: 300 Ω

• 极性: P-Channel

• 耗散功率（Pd）: 225 mW

• 漏源击穿电压（V(BR)DSS）: -30 V

• 栅源击穿电压（V(BR)GSS）: ±20 V

• 夹断电压（VP）: 典型值约为-2 V至-4 V（具体值可能因批次和温度而异）

• 零栅压漏极电流（IDSS）: 典型值较低，具体数值需参考数据手册

• 跨导（gm）: 反映栅源电压变化对漏极电流控制能力的参数，具体数值随VGS和VDS变化

• 输入电容（Ciss）: 包括栅源电容和栅漏电容，影响高频性能

• 反向传输电容（Crss）: 栅漏之间的电容，影响开关速度和稳定性

• 输出电容（Coss）: 漏源之间的电容，影响电路的频率响应

• 工作温度范围: 通常为-55°C至+125°C，具体取决于封装和应用环境

• 封装类型: SOT-23，这是一种小型表面贴装封装，适合高密度集成

• 引脚配置: 通常为G（栅极）、S（源极）、D（漏极）

六、性能曲线与温度特性

为了更全面地了解MMBFJ177LT1G的性能，通常会提供一系列的性能曲线，包括漏极电流（ID）与栅源电压（VGS）的关系曲线、漏极电流与漏源电压（VDS）的关系曲线、跨导（gm）随VGS变化的曲线等。这些曲线有助于设计者根据具体的应用需求选择合适的操作点。

此外，温度对JFET的性能有显著影响。随着温度的升高，漏极电流IDSS可能会增加，夹断电压VP可能会向更负的方向偏移。因此，在设计电路时，需要考虑温度对MMBFJ177LT1G性能的影响，并采取相应的措施来保持电路的稳定性和可靠性。

七、使用注意事项

1. 静电防护：在处理和安装MMBFJ177LT1G时，应采取适当的静电防护措施，以避免静电放电（ESD）损坏器件。

2. 热管理：在功率消耗较大的应用中，应注意器件的散热问题，避免过热导致性能下降或损坏。

3. 驱动电路设计：根据MMBFJ177LT1G的输入特性和应用需求，合理设计驱动电路，确保栅极电压的稳定性和可靠性。

4. 电压和电流限制：在使用过程中，应确保不超过器件的额定电压和电流限制，以防止器件损坏。

5. 环境适应性：考虑应用环境对器件的影响，如温度、湿度、振动等，选择适当的封装和安装方式。

八、总结

Onsmei MMBFJ177LT1G作为一款高性能的P沟道JFET，以其低RDS(ON)、高效率、紧凑封装和优异的电气特性，在模拟开关、斩波器、电源管理以及工业自动化等领域有着广泛的应用前景。通过深入了解其工作原理、特点、应用、参数以及使用注意事项，设计者可以充分发挥其性能优势，设计出更加高效、可靠的电路系统。