意法半导体M24C64-WMN6TP EEPROM存储器中文资料

一、型号与类型

M24C64-WMN6TP是由意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）存储器。EEPROM是一种非易失性存储器，具有在掉电后数据不丢失的特性，广泛应用于需要长期保存数据的电子设备中。M24C64-WMN6TP具体型号中，“M24C64”表示这是一个64Kbit（即8K x 8位）的EEPROM存储器，而“-WMN6TP”则可能是该产品的特定封装或版本标识。

　　厂商名称：ST意法半导体

　　元件分类：EEPROM存储器

　　中文描述： EEPROM存储器，64Kbit，I2C接口SOIC封装，8引脚+85°C，900ns4.9mm-40°C

　　英文描述： EEPROM Serial-I2C 64K-bit 8K x 8 3.3V/5V 8-Pin SO N T/R

　　数据手册：https://www.iczoom.com/data/k01-36762885-M24C64-WMN6TP.html

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　　M24C64-WMN6TP概述

　　M24C64-WMN6P是一款64kbit，兼容l?C，EEPROM(电可擦除可编程存储器)，被组成为8k x 8位.可以在2.5至5.5V的电源电压下工作.

　　随机与顺序读取模式

　　整个存储阵列具有写入保护

　　增强静电/闭锁保护

　　超过400万写入周期

　　数据保留超过200年

　　应用

　　计算机和计算机周边

　　M24C64-WMN6TP中文参数  

 　　M24C64-WMN6TP引脚图

二、工作原理

EEPROM存储器的基本工作原理基于浮栅隧道氧化层（FLOTOX）技术。在FLOTOX结构中，传统的MOS管控制栅下插入了一层多晶硅浮栅，浮栅被高电阻的氧化层与绝缘层包围，从而实现了电子的长时间存储。通过控制栅极与漏极之间的强电场，可以实现电子在浮栅与漏极之间的双向流动，即“擦除”与“写入”操作。

• 写入操作：当需要对EEPROM进行写入时，控制栅极接地，漏极接高压（不小于12V），形成负向强电场，使得浮栅中的电子通过隧道氧化层回到漏极放电，从而将存储单元的状态从“1”改为“0”。

• 擦除操作：与写入操作相反，擦除操作是将电子注入到浮栅中的过程。此时，源极与漏极接地，控制栅极接高压（不小于12V），形成正向强电场，电子从漏极通过隧道氧化层进入浮栅，从而将存储单元的状态从“0”改为“1”。

EEPROM的读取操作则是通过检测存储单元的阈值电压变化来实现的。在读取时，控制栅上加一个中间电平，根据浮栅中电子的有无（即存储单元的阈值电压高低），判断存储的数据是“1”还是“0”。

三、特点

1. 高可靠性：意法半导体的EEPROM产品具有高度的稳定性和可靠性，适用于各种工业和汽车电子应用。

2. 低功耗：EEPROM通常具有低功耗特性，适合于要求节能的电子设备。

3. 高速度：M24C64-WMN6TP的读写速度较快，能够满足对速度要求较高的应用。

4. 大容量：虽然EEPROM的容量相比其他非易失性存储器（如Flash）较小，但M24C64-WMN6TP提供的64Kbit存储容量足以满足许多小型数据存储需求。

5. 灵活接口：该EEPROM通过I2C接口进行通信，使得与微控制器的连接更加简便和灵活。

6. 宽电压范围：M24C64-WMN6TP可以在2.5V至5.5V的电源电压下工作，适应不同供电环境的需求。

四、应用

M24C64-WMN6TP EEPROM存储器因其非易失性、低功耗和高可靠性的特点，被广泛应用于各种需要长期保存数据的电子设备中。具体应用场景包括但不限于：

1. 系统配置存储：用于存储系统配置信息，如各种参数、校准数据等。

2. 加密密钥存储：用于存储加密密钥和安全认证信息，保护设备的安全性。

3. 代码存储：用于存储程序代码，如启动代码、固件更新等，确保设备在重启或恢复时能够正确运行。

4. 数据存储：用于存储各种数据，如历史记录、用户设置等，提升用户体验。

在工业控制、汽车电子、消费类电子产品等领域，M24C64-WMN6TP EEPROM存储器都发挥着重要作用，为各种电子设备提供了可靠的非易失性存储解决方案。

五、参数

以下是M24C64-WMN6TP EEPROM存储器的主要参数：

• 存储容量：64Kbit（8K x 8位）

• 接口类型：I2C

• 封装类型：SOIC-8（表面贴装）

• 引脚数目：8

• 尺寸：4.9 x 3.9 x 1.25mm

• 电源电压：2.5V至5.5V

• 工作温度：-40°C至+85°C

• 随机存取时间：900ns

• 最大时钟频率：400kHz

• 电源电流：最大2mA（工作），最大5mA（编程）

• 数据保留时间：数据保留时间超过200年，确保长期存储的可靠性。

• 写入周期：M24C64-WMN6TP具有高达1,000,000次的写入周期，适用于需要频繁更新数据的场合，如设备配置参数的动态调整。

• 耐久性：除了高写入周期外，EEPROM还因其物理结构而具有良好的耐久性，能够抵抗振动、冲击等恶劣环境因素的影响。

• 电气特性：

• 输入/输出高电平（Vih）：对于电源电压VDD = 2.5V至5.5V，典型值为VDD x 0.7V。

• 输入/输出低电平（Vil）：对于电源电压VDD = 2.5V至5.5V，典型值为VDD x 0.3V。

• 输入/输出漏电流（Iil, Ioh）：在指定条件下，漏电流极低，有助于降低功耗。

• 封装与引脚配置：

• SOIC-8封装是一种紧凑且常用的表面贴装封装形式，便于自动化生产过程中的安装和焊接。

• 引脚配置包括电源（VCC）、地（GND）、串行时钟（SCL）、串行数据（SDA）、写保护（WP，如果有的话，具体取决于封装版本）、地址引脚（A0, A1, A2，如果有的话，用于多个EEPROM设备时的地址选择）以及可能的其他功能引脚（如硬件复位引脚，但并非所有型号都具备）。

• 安全性：虽然M24C64-WMN6TP本身不直接提供加密功能，但存储在其中的数据可以通过外部加密机制进行保护，以防止未授权访问。

• 环境适应性：该EEPROM能够在广泛的温度范围内工作，从极寒的-40°C到炎热的+85°C，适合各种恶劣环境条件下的应用。

• 兼容性：M24C64-WMN6TP符合I2C总线规范，因此与大多数支持I2C接口的微控制器和微处理器兼容，便于系统集成和升级。

• 软件支持：意法半导体通常提供丰富的软件库和示例代码，帮助开发者快速上手并优化EEPROM的使用。此外，许多第三方开发工具和库也支持I2C接口，进一步简化了开发过程。

综上所述，M24C64-WMN6TP EEPROM存储器以其大容量、高可靠性、低功耗和灵活的接口特性，成为众多电子设备中不可或缺的非易失性存储解决方案。无论是在工业控制、汽车电子还是消费类电子产品领域，它都能提供稳定可靠的数据存储支持，助力设备实现更智能、更高效的功能。