ON安森美BC846BLT1G NPN硅通用双极晶体管中文资料

型号类型

ON安森美（ON Semiconductor）是一家全球领先的半导体供应商，其产品线广泛覆盖模拟、逻辑、电源管理、离散及定制器件等领域。BC846BLT1G是ON安森美生产的一款NPN硅通用双极晶体管（Bipolar Junction Transistor, BJT），属于小信号晶体管范畴，特别适用于低功耗、表面贴装应用。该型号晶体管以其高性能、可靠性和广泛的应用场景而备受青睐。

　　厂商名称：ON安森美

　　元件分类：三极管

　　中文描述： 晶体管，NPN，最大直流集电极电流100 mA，SOT-23封装，100 MHz，3引脚

　　英文描述： Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

　　数据手册：https://www.iczoom.com/data/k02-24020801-BC846BLT1G.html

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　　BC846BLT1G概述

　　BC846BLT1G是一款NPN硅通用双极晶体管，设计用于线性和开关应用。低功耗表面贴装应用的理想选择。

　　感性负载保护

　　转向逻辑

　　极性反转保护

　　ESD等级-人体模型>4000V

　　ESD等级-机器型号>400V

　　应用

　　音频，工业

　　BC846BLT1G中文参数

　　BC846BLT1G引脚图

工作原理

双极晶体管（BJT）是一种三端电子器件，由两个PN结（即发射结和集电结）构成，具有电流放大作用。BC846BLT1G作为NPN型BJT，其工作原理可以简述如下：

• 发射极（Emitter, E）：发射极是BJT的输入端之一，注入多数载流子（对于NPN型BJT是电子）。当在基极（Base, B）和发射极之间施加正向偏压时，发射结导通，大量电子从发射极注入到基区。

• 基极（Base, B）：基极很薄，且掺杂浓度较低，对注入的电子有控制作用。通过调整基极电流的大小，可以控制从发射极注入到基区的电子数量，进而控制集电极电流的大小。

• 集电极（Collector, C）：集电极是BJT的输出端，收集由发射极注入并通过基区扩散到集电区的电子。集电极电流是基极电流的β倍（β为电流放大系数，也称直流电流增益hFE），从而实现电流的放大。

特点

BC846BLT1G作为ON安森美的一款优质NPN硅通用双极晶体管，具有以下显著特点：

1. 低功耗：BC846BLT1G专为低功耗应用设计，最大功率耗散仅为300mW，适合在需要节能和长寿命的应用场景中使用。

2. 高频特性：具有优秀的高频性能，最高工作频率可达100MHz，适用于高频放大和振荡电路。

3. 高电压容忍度：能够承受较高的电压，集电极-发射极最大电压VCEO为65V，集电极-基极最大电压VCBO为80V，适合在宽电压范围内工作。

4. 快速开关：具有快速的开关速度，适用于需要快速响应的数字逻辑电路和开关电路。

5. 温度稳定性：具有良好的温度稳定性，能够在-55℃至+150℃的宽温度范围内稳定工作，确保电路在不同环境条件下的可靠运行。

6. ESD保护：具备较高的静电放电（ESD）保护能力，人体模型（HBM）ESD等级大于4000V，机器模型（MM）ESD等级大于400V，有效防止静电损坏。

应用

BC846BLT1G凭借其出色的性能和特点，广泛应用于各种电子电路中，包括但不限于以下几个方面：

1. 放大器电路：BC846BLT1G在音频放大器和射频放大器中表现出色。其高电流增益和低噪声特性使得它能够在音频放大器中有效放大音频信号，提供清晰、高质量的音频输出。同时，在射频放大器中，它能够稳定地放大射频信号，保持信号的完整性和准确性。

2. 开关电路：由于其快速的开关速度和可靠性，BC846BLT1G常用于数字逻辑电路中的开关元件。例如，在逻辑门、计数器、触发器等电路中，它能够快速响应控制信号，实现电路的通断控制。

3. 电源电路：在电源电路中，BC846BLT1G可用作稳压器的关键元件。通过控制其工作状态，可以实现对电压的稳定调节，确保电源输出的稳定性和可靠性。这对于需要精确电压控制的电子设备尤为重要。

4. 振荡电路：BC846BLT1G的高频特性和稳定性使其成为振荡电路的理想选择。在射频振荡器和时钟电路中，它能够产生稳定的振荡信号，为通信系统和无线电设备提供可靠的信号源。

5. 传感器接口：在传感器接口电路中，BC846BLT1G可以放大和处理传感器输出的微弱信号，使其与微控制器或其他数字电路进行通信和控制。例如，在温度传感器接口电路中，它能够放大传感器输出的信号，以便准确测量温度并进行相应的控制。

参数

以下是BC846BLT1G NPN硅通用双极晶体管的主要参数列表：

• 晶体管类型：NPN

• 引脚数目：3

• 最大直流集电极电流（Ic）：100mA

• 最大集电极-发射极电压（VCEO）：65V

• 最大集电极-基极电压（VCBO）：80V

• 最大发射极-基极电压（VEBO）：5V

• 直流电流增益（hFE）：最小值通常为100至数百不等，具体值依生产批次和测试条件而定，典型值可能在200-400之间。

• 最大功耗（PD）：300mW。这是晶体管在指定条件下能够安全耗散的最大功率，超过此值可能导致晶体管过热并损坏。

• 过渡频率（fT）：约100MHz。过渡频率是衡量晶体管高频性能的一个重要参数，它表示晶体管在高频信号下保持增益的能力。

• 噪声系数（NF）：低噪声系数是音频和射频应用中的一个重要特性，虽然BC846BLT1G主要面向通用应用，但其设计也考虑了噪声抑制，以满足一定范围内的低噪声要求。

• 封装类型：BC846BLT1G通常采用SOT-23封装，这是一种小型的表面贴装封装，非常适合自动化生产和空间受限的应用。

• 工作温度范围：从-55℃至+150℃。这表明晶体管可以在极宽的温度范围内正常工作，适用于各种环境条件。

• 热阻（θJA）：约200℃/W。热阻是衡量晶体管散热性能的一个关键参数，它表示单位功耗下晶体管结点到周围环境的温度差。

• 存储温度：虽然工作温度范围有限，但晶体管的存储温度范围通常更宽，以应对运输和长期存储过程中的极端条件。

设计与使用注意事项

1. 电流限制：在使用BC846BLT1G时，必须确保集电极电流不超过其最大额定值（Ic_max），以防止晶体管过热或损坏。

2. 电压保护：应确保施加在晶体管上的电压不超过其最大额定电压（VCEO、VCBO、VEBO），以防止PN结击穿。

3. 散热考虑：在高功率应用中，应考虑晶体管的散热问题，可能需要添加散热片或使用其他散热措施。

4. 静态工作点设置：在放大器应用中，正确设置晶体管的静态工作点（即基极电流和集电极电压）对于确保电路性能至关重要。

5. 防静电处理：虽然BC846BLT1G具有一定的ESD保护能力，但在处理时仍应采取防静电措施，如佩戴防静电手环、使用防静电包装等。

6. 焊接与组装：在焊接SOT-23封装的晶体管时，应确保焊接温度和时间控制在推荐范围内，以避免损坏晶体管或影响其性能。

总结

BC846BLT1G作为ON安森美生产的一款NPN硅通用双极晶体管，以其低功耗、高频特性、高电压容忍度、快速开关以及良好的温度稳定性等特点，在电子电路设计中得到了广泛应用。从放大器电路到开关电路，从电源电路到振荡电路，BC846BLT1G都展现出了其卓越的性能和可靠性。通过合理的设计和使用，可以充分发挥其优势，为电子设备提供稳定、高效的信号放大和控制功能。