ON安森美NTR4502PT1G MOS管中文资料


ON安森美NTR4502PT1G MOS管中文资料
一、型号与类型
ON安森美(onsemi)是一家全球领先的半导体供应商,其NTR4502PT1G是一款高性能的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具体类型为P沟道功率MOSFET。这款MOSFET以其卓越的电气性能和广泛的应用领域,在电子元件市场中占据重要地位。NTR4502PT1G采用SOT-23封装,是一种表面贴装型元件,具有小体积、高集成度和易于安装的特点。
厂商名称:ON安森美
元件分类:MOS管
中文描述: 功率场效应管,MOSFET,P沟道,30 V,1.95 A,0.2 ohm,SOT-23,表面安装
英文描述: Trans MOSFET P-CH 30V 1.13A 3-Pin SOT-23 T/R
数据手册:https://www.iczoom.com/data/k02-36759868-NTR4502PT1G.html
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NTR4502PT1G概述
NTR4502PT1G是一个P沟道功率MOSFET,提供-30V的漏源电压和-1.95A的连续漏电流。它适用于DC到DC的转换,便携式计算机和计算设备的负载/电源开关,主板,笔记本电脑,便携式摄像机,数码相机和电池充电电路。
领先的平面技术,可实现低栅极电荷/快速切换
低RDS(ON)可降低传导损耗
表面贴装,占地面积小(3 x 3mm)
-55至150°C的工作结温范围
应用
电源管理,便携式器材,计算机和计算机周边,消费电子产品,工业
NTR4502PT1G中文参数
通道类型 | P | 晶体管配置 | 单 |
最大连续漏极电流 | 1.9 A | 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
最大漏源电压 | 30 V | 每片芯片元件数目 | 1 |
封装类型 | SOT-23 | 宽度 | 1.3mm |
安装类型 | 表面贴装 | 典型栅极电荷@Vgs | 6 nC @ 10 V |
引脚数目 | 3 | 长度 | 2.9mm |
最大漏源电阻值 | 350 mΩ | 最高工作温度 | +150 °C |
通道模式 | 增强 | 晶体管材料 | Si |
最大栅阈值电压 | 3V | 最低工作温度 | -55 °C |
最大功率耗散 | 1.25 W | 高度 | 1mm |
NTR4502PT1G引脚图
二、工作原理
NTR4502PT1G的工作原理基于其P沟道漏源构造。当适当的电压施加到栅极(Gate)时,会在栅极和源极(Source)之间形成一个电场。这个电场会吸引P沟道中的空穴(正电荷载流子),从而增加P沟道的导电性。随着导电性的提升,电流开始从漏极(Drain)流向源极,实现MOSFET的导通状态。当栅极电压降低到一定程度时,电场减弱,P沟道的导电性降低,MOSFET进入截止状态,电流被阻断。
三、特点
高性能:NTR4502PT1G以其出色的电气性能著称,包括高漏源电压、大电流承载能力和低导通电阻,适用于对性能要求较高的电路。
低导通电阻:在特定条件下(如10V栅极电压,4.4A漏极电流),其导通电阻仅为46mΩ,有助于降低功率损耗,提高电路效率。
宽工作温度范围:该MOSFET可在-55°C至+150°C的宽温度范围内正常工作,适应各种恶劣环境。
小体积:采用SOT-23封装,体积小、重量轻,便于在小型化、集成化的电子设备中使用。
快速切换:得益于其低栅极电荷,NTR4502PT1G能够实现快速开关切换,适用于高频电路和需要快速响应的应用场景。
稳定性高:通过先进的设计和制造工艺,该MOSFET表现出极高的稳定性和可靠性,适合长期稳定运行。
四、应用
电源管理:在电源管理系统中,NTR4502PT1G广泛应用于开关电源中的电流控制。通过调节栅极电压,可以精确控制MOSFET的导电电阻,从而实现对电流的精准控制。这对于便携设备、电池管理系统等领域至关重要,确保了电力传输的高效性和稳定性。
信号放大:在信号放大电路中,NTR4502PT1G通过灵活调整栅极电压,可以放大和优化信号。这一特性在音频放大器、通讯设备等领域得到广泛应用,为各类电子设备提供了可靠的信号分析解决方案。
DC-DC转换:在DC-DC转换器中,NTR4502PT1G作为关键元件,参与电压的转换和调节。其高性能和稳定性确保了转换效率和质量,广泛应用于便携式计算机、计算设备、主板、笔记本电脑等场合。
负载/电源开关:在便携式设备和计算设备的负载/电源开关中,NTR4502PT1G作为控制元件,负责电路的通断控制。其快速切换和低导通电阻特性,确保了开关的迅速响应和低功耗。
电池充电电路:在电池充电电路中,NTR4502PT1G用于控制充电电流和电压,保护电池免受过充或过放损害。其高精度和稳定性对于延长电池寿命和提高充电效率至关重要。
五、参数
NTR4502PT1G的主要电气参数如下:
漏源电压(Vdss):30V
连续漏极电流(Id):1.95A(部分资料显示为5.6A,具体值可能因产品批次或测试条件而异)
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):200mΩ@10V, 1.95A(另有资料显示为46mΩ@10V, 4.4A)
阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250μA
栅极电荷(Qg@Vgs):10nC@10V
输入电容(Ciss@Vds):200pF@15V
功率(Pd):400mW(另有资料显示为2.5W@25°C)
最大工作温度(Tj):+150°C
最低工作温度(Tj):-55°C
存储温度范围:-65°C至+150°C
封装类型:SOT-23(一种小型的表面贴装封装,具有三个引脚:源极、漏极和栅极)
六、详细性能分析
1. 漏源电压(Vdss):
NTR4502PT1G的漏源电压高达30V,这意味着它可以在较高电压的电路中工作,而不用担心器件损坏。这一特性使得它非常适合于需要处理较高电压的电源管理、DC-DC转换器等应用。
2. 电流承载能力:
虽然不同的资料给出的连续漏极电流有所不同(1.95A至5.6A),但都表明这款MOSFET具有较强的电流承载能力。这保证了在负载变化较大的情况下,MOSFET仍能稳定工作,不会因过热而损坏。
3. 导通电阻(RDS(on)):
低导通电阻是NTR4502PT1G的一个显著特点。低导通电阻意味着在MOSFET导通时,通过它的电压降较小,从而减少了功率损耗,提高了电路效率。这对于需要高效能量转换的应用尤为重要。
4. 阈值电压(Vgs(th)):
阈值电压是MOSFET开始导通所需的栅极电压。NTR4502PT1G的阈值电压较低,这意味着它可以在较低的栅极电压下开始工作,从而减少了控制电路的功耗,提高了系统的整体效率。
5. 栅极电荷(Qg):
栅极电荷是衡量MOSFET开关速度的一个重要参数。NTR4502PT1G的栅极电荷较小,意味着它可以快速地在导通和截止状态之间切换,适用于高频电路和需要快速响应的应用场景。
6. 输入电容(Ciss):
输入电容影响MOSFET的开关速度和稳定性。NTR4502PT1G的输入电容适中,既保证了较快的开关速度,又兼顾了稳定性,使得它在各种应用中都能表现出色。
7. 封装与散热:
SOT-23封装不仅减小了元件的体积,还提供了良好的散热性能。尽管NTR4502PT1G的功率耗散相对较低(如2.5W@25°C),但在高功率应用中,仍需注意散热设计,以确保MOSFET在长时间内稳定工作。
七、设计考虑与注意事项
散热设计:在高功率应用中,应考虑适当的散热措施,如增加散热片或使用热管等,以降低MOSFET的工作温度。
栅极驱动:选择合适的栅极驱动电路,以确保MOSFET能够快速、稳定地开关。栅极驱动电路的设计应考虑到栅极电阻、驱动电压和电流等因素。
过流保护:在电路中设置过流保护机制,以防止因负载过大或短路而导致的MOSFET损坏。
静电防护:MOSFET对静电敏感,因此在处理、安装和测试过程中应采取静电防护措施,如佩戴防静电手环、使用防静电工作台等。
综上所述,ON安森美的NTR4502PT1G是一款性能卓越、应用广泛的P沟道功率MOSFET。其低导通电阻、高电流承载能力、快速开关速度和宽工作温度范围等特点,使其成为电源管理、信号放大、DC-DC转换等领域的理想选择。在设计电路时,应充分考虑其性能特点和设计要求,以充分发挥其优势并确保电路的稳定性和可靠性。
责任编辑:David
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