英飞凌IRF4905STRLPBF MOS管中文资料

1. 型号和类型

IRF4905STRLPBF 是英飞凌公司生产的功率MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）。它属于P沟道增强型MOSFET，主要用于低压、高电流的开关应用中。此型号采用TO-252封装，适用于表面贴装技术（SMT）。

P沟道MOSFET

P沟道MOSFET是一种场效应晶体管，其工作原理与N沟道MOSFET相反。P沟道MOSFET在源极（Source）和漏极（Drain）之间形成一个P型半导体区域，而在栅极（Gate）施加负电压时，使P沟道导通。在没有负电压或施加正电压时，P沟道处于截止状态。IRF4905STRLPBF作为P沟道MOSFET，适用于需要负电压控制的电路。

　　厂商名称：ST意法半导体

　　元件分类：达林顿管

　　中文描述： 单晶体管双极，达林顿，NPN，400 V，15 A，125 W，TO-220，通孔

　　英文描述： Trans Darlington NPN 400V 10A 125000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO-220AB Tube

　　数据手册：

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　　BU931T概述

　　BU931T是采用多外延平面技术制造的400V高压点火线圈驱动器NPN功率达林顿晶体管。该晶体管经过适当设计，可在汽车环境中用作电子点火电源执行器。快速的开关时间和非常低的饱和电压可减少开关和传导损耗。

　　非常坚固的双极技术

　　高工作结温

　　良好控制的hFE参数可提高可靠性

　　应用

　　电源管理

　　BU931T中文参数 

 　　BU931T引脚图

2. 工作原理

MOSFET 的工作原理是通过栅极电压来控制源极和漏极之间的电流。IRF4905STRLPBF 作为P沟道MOSFET，当栅极电压（V_GS）低于源极电压（V_S）时，形成导通状态，允许电流从源极流向漏极。当栅极电压高于源极电压时，MOSFET处于截止状态，阻止电流流动。

在IRF4905STRLPBF中，当栅极电压为零或正值时，MOSFET处于关闭状态。当施加负栅极电压时，P型半导体中的空穴在栅极电压的作用下被吸引，从而在源极和漏极之间形成导电通道，使电流能够从源极流向漏极。这一过程称为增强模式（Enhancement Mode）。

3. 特点

IRF4905STRLPBF 具有以下主要特点：

• 低导通电阻（R_DS(on)）：该MOSFET在导通状态下具有极低的导通电阻，通常在0.02Ω以下。这意味着在高电流条件下，MOSFET产生的功率损耗较小，有助于提高电路的效率。

• 高电流处理能力：该器件能够处理高达74A的连续漏极电流（I_D），适用于大电流应用。

• 低栅极电荷（Q_g）：IRF4905STRLPBF具有较低的栅极电荷，使其能够以较高的频率进行开关操作，同时减少驱动电路的能耗。

• 宽广的工作电压范围：该MOSFET的漏源击穿电压（V_DS）为-55V，使其能够在各种电源电压条件下可靠工作。

• 高可靠性和耐用性：采用TO-252封装，具有良好的散热性能和机械强度，能够在恶劣的工作环境中稳定运行。

4. 应用

IRF4905STRLPBF 广泛应用于各种需要高效功率开关的领域，主要包括：

• 电源管理系统：用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）等电源管理电路中，实现高效的电能转换和分配。

• 电机控制：在电动机驱动和控制电路中，MOSFET用于调节电流和电压，实现精确的速度和方向控制。

• 电池管理系统：用于电池充电和放电控制，确保电池的高效充电和安全使用。

• 汽车电子：在汽车电子系统中，IRF4905STRLPBF可用于控制灯光、座椅加热器、空调等负载。

• 工业自动化：用于工业自动化设备的控制电路中，实现高效的电机驱动和负载控制。

5. 参数

IRF4905STRLPBF 的主要技术参数如下：

• 漏源击穿电压（V_DS）：-55V

• 连续漏极电流（I_D）：74A（在25°C环境温度下）

• 导通电阻（R_DS(on)）：0.02Ω（最大值，在V_GS=-10V时）

• 栅极电荷（Q_g）：160nC（在V_GS=-10V时）

• 栅极阈值电压（V_GS(th)）：-2V至-4V

• 总功耗（P_D）：200W（在25°C环境温度下）

• 封装类型：TO-252

这些参数显示了IRF4905STRLPBF在各种应用中的高效性能和可靠性，使其成为各种高效电源管理和控制系统中的理想选择。

总结： IRF4905STRLPBF是英飞凌公司推出的一款高效P沟道MOSFET，具备低导通电阻、高电流处理能力、低栅极电荷和宽广的工作电压范围等优点。广泛应用于电源管理系统、电机控制、电池管理系统、汽车电子和工业自动化等领域。其主要技术参数如漏源击穿电压、连续漏极电流、导通电阻和栅极电荷等表明该器件在高效功率开关应用中的卓越性能和可靠性。