德州仪器DRV5013AGQDBZR霍尔效应锁存器中文资料

德州仪器（Texas Instruments，简称TI）的DRV5013AGQDBZR是一款高性能的霍尔效应锁存器，属于TI的霍尔效应传感器系列。该器件通过利用霍尔效应原理来检测磁场的变化，并将其转换为数字信号输出，具有广泛的应用前景。DRV5013AGQDBZR以其高电压（高达38V）、高带宽（30kHz）的特性，在众多工业和消费电子领域中发挥着重要作用。

厂商名称：TI德州仪器

元件分类：霍尔效应锁存器

中文描述： 高电压(高达38V)、高带宽(30kHz)霍尔效应锁存器

英文描述： 2.5V to 38V Hall Effect Latch Sensor

数据手册：https://www.iczoom.com/data/k03-24330542-DRV5013AGQDBZR.html

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DRV5013AGQDBZR概述

DRV5013器件是一款斩波稳定霍尔效应传感器，可提供磁检测解决方案(在工作温度范围内具有出色的灵敏度稳定性和集成保护特性)。

磁场由数字双极锁存输出表示。该集成电路(IC)配有一个灌电流能力达30mA的漏极开路输出级。该器件具有2.5V至38V的宽工作电压范围，反极性保护高达–22V，因此适用于各种工业应用。

针对反向电源条件、负载突降和输出短路或过流，提供了内部保护功能。

DRV5013AGQDBZR中文参数

制造商:Texas Instruments

产品种类: 霍尔效应锁存器

类型:Hall Effect Latch

工作电源电流:2.7 mA

最大输出电流:30 mA

工作点最小值/最大值:3 mT,9 mT

最小/最大释放点(Brp):-9 mT,-3 mT

工作电源电压:38 V

最小工作温度:-40 C

最大工作温度:+125 C

安装风格:SMD/SMT

封装/箱体:SOT-23-3

系列:DRV5013

输出类型:Open Drain

电源电压-最大:38 V

电源电压-最小:2.5 V

DRV5013AGQDBZR引脚图

工作原理

DRV5013AGQDBZR的工作原理基于霍尔效应。当电流通过置于磁场中的导体时，磁场会在导体两侧产生电势差，这一现象称为霍尔效应。DRV5013AGQDBZR内部集成了霍尔元件和信号处理电路，能够感知外部磁场的变化，并通过内部的逻辑电路将这一变化转换为数字信号输出。

具体来说，当外部磁场达到一定强度（称为工作点BOP）时，DRV5013AGQDBZR的输出状态会发生变化，由高电平变为低电平（或相反，取决于具体配置），表示检测到了磁场。而当磁场强度降低到一定水平（称为释放点BRP）时，输出状态会恢复到原始状态。这种双极锁存机制确保了输出信号的稳定性和可靠性，能够有效抵御磁场噪声的干扰。

特点

1. 高电压范围：DRV5013AGQDBZR支持2.5V至38V的宽工作电压范围，使其能够适应不同电源条件的工业应用。

2. 高带宽：30kHz的带宽确保了器件能够快速响应磁场的变化，适用于需要高速检测的场合。

3. 反向极性保护：提供高达-22V的反极性保护，增强了器件的抗干扰能力和可靠性。

4. 内部保护功能：针对反向电源条件、负载突降、输出短路或过流等情况，提供了内部保护功能，进一步提高了器件的可靠性。

5. 数字双极锁存输出：通过数字双极锁存机制，确保了输出信号的稳定性和准确性，有效抵御了磁场噪声的干扰。

6. 温度补偿：器件具有出色的温度稳定性，在工作温度范围内（-40°C至+125°C）的BOP变化率仅为±10%，确保了测量结果的准确性。

7. 小型封装：采用SOT-23-3封装，具有小型化和轻量化的特点，便于在有限的空间内安装和使用。

应用

DRV5013AGQDBZR因其独特的性能和广泛的应用范围，在多个领域得到了广泛应用：

1. 电动工具：在电动工具中，DRV5013AGQDBZR可用于检测电机的转速和位置，实现精确的电机控制。

2. 流量计：在流量计中，该器件可用于检测流体的流量变化，通过测量磁场的变化来推算出流量值。

3. 阀和电磁阀状态检测：在工业自动化系统中，DRV5013AGQDBZR可用于检测阀和电磁阀的开关状态，确保系统的正常运行。

4. 无刷直流电机（BLDC）：在无刷直流电机中，该器件可用于实现电机的位置检测、转速控制和换向控制，提高电机的运行效率和稳定性。

5. 接近传感：在接近传感应用中，DRV5013AGQDBZR可用于检测物体的接近距离，实现非接触式测量和开关控制。

6. 转速计：在转速计中，该器件可用于测量旋转物体的转速，为系统提供实时、准确的转速信息。

参数

以下是DRV5013AGQDBZR的主要参数：

• 制造商：Texas Instruments

• 产品种类：霍尔效应锁存器

• 工作电源电流：2.7mA（最大值）

• 最大输出电流：30mA

• 工作点最小值/最大值：3mT, 9mT

• 最小/最大释放点(Brp)：-9mT, -3mT

• 工作电源电压：2.5V至38V

• 最小/最大工作温度：-40°C至+125°C

• 安装风格：SMD/SMT

• 封装/箱体：SOT-23-3

• 输出类型：Open Drain

• 电源电压-最大：38V

• 电源电压-最小：2.5V

• 引脚数：3

• 外形尺寸：2.92mm × 2.37mm（SOT-23-3封装）

结语

德州仪器DRV5013AGQDBZR作为一款高性能的霍尔效应锁存器，DRV5013AGQDBZR不仅以其卓越的性能参数满足了多样化的应用需求，还通过其独特的设计和优化，进一步提升了系统的整体性能和可靠性。

精准的磁场检测能力

DRV5013AGQDBZR的磁场检测能力尤为出色。其工作点（BOP）和释放点（BRP）的精确控制，使得该器件能够准确区分磁场的微小变化，从而在各种复杂环境中提供稳定的信号输出。这种高灵敏度和低误差的磁场检测特性，使得DRV5013AGQDBZR成为需要精确位置控制或速度测量的应用领域的理想选择。

高效的电源管理

在电源管理方面，DRV5013AGQDBZR同样表现出色。其宽工作电压范围（2.5V至38V）不仅支持多种电源系统，还降低了对电源稳压电路的需求，简化了系统设计。同时，该器件的低功耗特性（工作电源电流仅为2.7mA最大值）有助于减少系统整体的能耗，延长电池寿命，尤其适用于便携式或移动设备。

强大的抗干扰能力

为了应对实际应用中可能遇到的复杂电磁环境，DRV5013AGQDBZR采用了多种抗干扰措施。除了内部集成的数字双极锁存机制外，该器件还具备反向极性保护、过流保护等安全特性，确保了在极端工作条件下的稳定性和可靠性。此外，DRV5013AGQDBZR的温度补偿功能也进一步提升了其在不同温度条件下的测量精度和稳定性。

易于集成与使用

DRV5013AGQDBZR的SOT-23-3封装设计紧凑且易于集成，使得该器件在有限的空间内也能轻松安装和使用。同时，TI提供了详尽的数据手册和应用指南，帮助开发者快速了解器件特性和使用方法，降低了设计门槛和成本。此外，该器件的引脚布局合理且易于焊接，进一步简化了生产流程。

环保与可持续性

作为一款面向未来的电子产品，DRV5013AGQDBZR在设计和生产过程中充分考虑了环保和可持续性要求。该器件符合RoHS标准（关于限制在电子电气设备中使用某些有害物质的指令），减少了对环境的潜在危害。同时，其低功耗特性和高可靠性也有助于降低产品的整体能耗和维修成本，符合绿色、低碳的发展趋势。

展望与总结

随着物联网、工业自动化和消费电子等领域的快速发展，对高性能、高可靠性和低功耗的传感器需求日益增长。DRV5013AGQDBZR作为一款集高性能、宽电压范围、高带宽和强抗干扰能力于一体的霍尔效应锁存器，无疑将在这些领域发挥重要作用。未来，随着技术的不断进步和应用场景的不断拓展，DRV5013AGQDBZR有望在更多领域实现广泛应用，为智能化、自动化和绿色化的发展贡献力量。

总之，德州仪器DRV5013AGQDBZR是一款功能强大、性能卓越的霍尔效应锁存器。其独特的设计和优化不仅满足了多样化的应用需求，还通过提升系统的整体性能和可靠性，为用户带来了更加优质的使用体验。在未来，我们期待看到更多基于DRV5013AGQDBZR的创新应用和产品诞生，共同推动电子技术的进步和发展。