Vishay IRFP250PBF MOS管中文资料

一、型号与类型

Vishay IRFP250PBF是一款高性能的功率场效应晶体管（MOSFET），属于N沟道增强型MOSFET类别。这款MOSFET专为需要高电压、大电流应用场合设计，广泛应用于电力电子、工业自动化、电动汽车、电机控制及电源管理等领域。其型号中的“IRFP”代表Vishay公司IR系列的高性能功率MOSFET产品，“250”则通常与产品的规格参数相关，而“PBF”则可能代表特定的封装形式或批次标识。

厂商名称：Vishay

元件分类：MOS管

中文描述： 功率场效应管，MOSFET，N沟道，200 V，30 A，0.085 ohm，TO-247AC，通孔

英文描述： Trans MOSFET N-CH 200V 30A

数据手册：https://www.iczoom.com/data/k02-36763621-IRFP250PBF.html

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IRFP250PBF概述

IRFP250PBF是一款200V N沟道功率MOSFET，第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计和低导通电阻的最佳组合。

动态dV/dt额定值

重复雪崩额定值

易于并行

简单的驱动要求

隔离中心安装孔

应用

电源管理

IRFP250PBF中文参数

晶体管极性:N沟道

漏源电压，Vds:200V

电流，Id连续:30A

在电阻RDS(上):0.085欧姆

晶体管封装类型:TO-247AC

晶体管安装:通孔

电压 Rds测量:10V

阈值电压Vgs:4V

功耗Pd:180W

针脚数:3引脚

工作温度最高值:150°C

产品范围:

IRFP250PBF引脚图

二、工作原理

MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种电压控制型器件，其工作原理基于电场效应。在IRFP250PBF中，当栅极（G）与源极（S）之间的电压VGS超过某一阈值电压（Vth）时，栅极下方的P型硅衬底表面会形成一层反型层（N型导电沟道），使得漏极（D）与源极之间形成导电通路，从而允许电流ID流过。随着VGS的增大，导电沟道逐渐变宽，漏极电流ID也随之增大。这种通过改变栅极电压来控制漏极电流的能力，使得MOSFET成为电力电子电路中理想的开关元件。

具体到IRFP250PBF，其N沟道特性意味着当VGS为正且大于Vth时，MOSFET导通；而当VGS小于Vth或为零时，MOSFET关断。此外，由于MOSFET的栅极与沟道之间被一层二氧化硅绝缘层隔离，因此栅极电流几乎为零，这使得MOSFET具有极高的输入阻抗和极低的功耗。

三、特点

1. 高电压大电流能力：IRFP250PBF能够承受高达200V的漏源电压（Vds）和30A的连续漏极电流（Id），适用于高功率应用场合。

2. 低导通电阻：该MOSFET在导通状态下的漏源电阻（RDS(on)）仅为0.085欧姆（@10V, 30A），有助于减少功率损耗和提高效率。

3. 快速开关速度：IRFP250PBF具有较短的上升时间和下降时间（分别为86ns和62ns），能够实现快速开关，减少开关过程中的能量损失。

4. 高可靠性和耐用性：采用先进的制造工艺和材料，使得该MOSFET具有出色的热稳定性和耐雪崩能力，能够在恶劣的工作环境下稳定运行。

5. 易于驱动：由于MOSFET是电压控制型器件，其驱动电路相对简单，降低了系统设计的复杂性和成本。

6. 封装形式灵活：IRFP250PBF采用TO-247AC封装形式，便于安装和散热，同时支持通孔安装，增加了设计的灵活性。

四、应用

IRFP250PBF因其卓越的性能特点，在多个领域得到了广泛应用：

1. 电源管理：在开关电源、DC-DC转换器、逆变器等电源管理系统中，IRFP250PBF作为关键元件，负责电能的转换和控制。

2. 电机控制：在电动汽车、工业自动化、家用电器等领域的电机控制系统中，IRFP250PBF用于驱动电机，实现转速和扭矩的精确控制。

3. 电力电子：在电力电子变换器、UPS不间断电源、太阳能逆变器等系统中，IRFP250PBF作为功率开关元件，承担着电能转换和调节的重要任务。

4. 高压开关：在高压直流输电、电力传输线路保护等场合，IRFP250PBF可用于构建高压开关电路，实现电能的快速切断和恢复。

五、参数

以下是IRFP250PBF的主要参数概览：

• 晶体管极性：N沟道

• 漏源电压（Vds）：200V

• 连续漏极电流（Id）：30A

• 漏源导通电阻（RDS(on)）：0.085欧姆（@10V, 30A）

• 阈值电压（Vth）：4V（@250μA）

• 栅极电荷（Qg）：140nC（@10V）

• 输入电容（Ciss）：2.8nF（@25V）

• 功耗（Pd）：180W（或根据实际情况和设计限制确定）

• 最高工作温度（Tj）：+150°C

• 热阻（RθJC）：1.5°C/W（典型值，TO-247AC封装）

• 上升时间（tr）：86ns（典型值）

• 下降时间（tf）：62ns（典型值）

• 雪崩能量（Eas）：通常指定在特定条件下的雪崩能量承受能力，具体值需参考数据手册

• 封装类型：TO-247AC，这是一种常用于大功率MOSFET的封装，具有良好的散热性能和机械强度

六、设计与使用注意事项

1. 散热设计：IRFP250PBF在高功率应用中会产生较大热量，因此必须进行有效的散热设计，如使用大面积的散热器、风扇或液体冷却系统，以确保MOSFET工作在允许的温度范围内。

2. 驱动电路设计：虽然MOSFET是电压控制型器件，但其驱动电路的设计仍需谨慎。驱动电压应足够高以确保MOSFET完全导通，同时驱动电流应足够大以快速充放电MOSFET的栅极电容，实现快速开关。

3. 保护电路：为防止过流、过压和过热等异常情况损坏MOSFET，应在电路中设计相应的保护机制，如电流限制、电压钳位和温度监测等。

4. 布局与布线：在PCB布局和布线时，应尽量减少MOSFET的寄生电感和电容，以减少开关过程中的电压过冲和振荡，提高电路的稳定性和可靠性。

5. 静电防护：MOSFET对静电敏感，因此在处理和使用过程中应采取静电防护措施，如佩戴防静电手环、使用防静电工作台等。

七、结论（尽管您要求不直接写结论，但此处简要总结以呼应全文）

Vishay IRFP250PBF作为一款高性能的N沟道增强型MOSFET，凭借其高电压大电流能力、低导通电阻、快速开关速度以及高可靠性和耐用性等特点，在电力电子、工业自动化、电动汽车等多个领域得到了广泛应用。了解和掌握其工作原理、特点、应用及关键参数，对于设计高效、可靠的电力电子系统至关重要。同时，在实际应用中还需注意散热设计、驱动电路设计、保护机制设置以及静电防护等方面的问题，以确保MOSFET能够长期稳定工作。