ON安森美NTF2955T1G MOS管中文资料

一、型号及类型

NTF2955T1G是ON Semiconductor（安森美半导体）生产的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具体为P沟道增强型MOSFET。这类器件在电子电路中广泛应用，特别是在电源管理、电机控制和开关应用中。

厂商名称：ON安森美

元件分类：MOS管

中文描述： 功率场效应管，MOSFET，P沟道，60 V，2.6 A，0.17 ohm，SOT-223，表面安装

英文描述： Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab)SOT-223 T/R

数据手册：https://www.iczoom.com/data/k02-36654083-NTF2955T1G.html

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NTF2955T1G中文参数

NTF2955T1G概述

NTF2955T1G是一款P沟道功率MOSFET，可在雪崩模式和通信模式下承受高能量。

±20V栅源电压

应用

电源管理，电机驱动与控制，工业

NTF2955T1G引脚图

二、工作原理

MOSFET的工作原理基于金属-氧化物-半导体结构。其主要由源极（Source）、漏极（Drain）、栅极（Gate）和体（Body）组成。在P沟道MOSFET中，栅极电压控制着源极和漏极之间的电流流动。

• 开启状态：当栅极电压低于源极电压时（对P沟道来说，栅极电压为负），MOSFET处于开启状态，电流可以从源极流向漏极。

• 关断状态：当栅极电压高于源极电压时（栅极电压为正），MOSFET处于关断状态，源极和漏极之间没有电流流动。

NTF2955T1G利用了这些基本原理，通过在栅极施加不同电压，实现电流的开关和控制。

三、特点

NTF2955T1G MOSFET具有以下显著特点：

1. 低导通电阻：这种MOSFET具有较低的导通电阻（R $_{DS(on)}$DS(on)），这意味着在导通状态下，源极和漏极之间的电阻很小，从而减少了功率损耗，提高了效率。

2. 高输入阻抗：MOSFET的栅极输入阻抗极高，这使得它对控制信号的要求较低，能够被微弱的电压信号控制。

3. 高速开关：由于MOSFET没有像双极型晶体管（BJT）那样的载流子存储问题，它的开关速度非常快，适合高频应用。

4. 耐高压：NTF2955T1G能够承受较高的漏源电压（V $_{DS}$DS），这使得它适用于高压应用场合。

四、应用

NTF2955T1G MOSFET广泛应用于各种电子电路中，具体应用包括但不限于：

1. 电源管理：包括开关电源、DC-DC转换器等，通过高效控制电流，实现电能的转换和调节。

2. 电机控制：用于电动机驱动电路，通过快速开关控制电流，调节电机速度和方向。

3. 电池管理系统：用于电池充放电管理，保障电池的高效、安全运行。

4. 负载开关：作为电子负载开关使用，控制不同电路模块的通断。

5. 音频放大器：在音频功放电路中，MOSFET作为功率放大元件，提高音频信号的驱动能力。

五、参数

以下是NTF2955T1G的一些关键参数：

• 最大漏源电压（V $_{DS}$DS）：-60V

• 最大栅源电压（V $_{GS}$GS）：±20V

• 最大漏极电流（I $_{D}$D）：-12A（连续）

• 最大功耗（P $_{D}$D）：2.0W（在 $T_{A}=25°C$TA=25°C）

• 导通电阻（R $_{DS(on)}$DS(on)）：0.047Ω（典型值，在 $V_{GS}=-10V$VGS=−10V， $I_{D}=-7A$ID=−7A）

• 栅极电荷（Q $_{g}$g）：23nC（典型值，在 $V_{GS}=-10V$VGS=−10V， $V_{DS}=-30V$VDS=−30V）

• 跨导（g $_{fs}$fs）：9.0S（典型值，在 $I_{D}=-7A$ID=−7A， $V_{DS}=-15V$VDS=−15V）

• 结到环境热阻（R $_{θJA}$θJA）：62.5°C/W

六、详细分析

1. 最大漏源电压（V $_{DS}$DS）：这一参数表示NTF2955T1G能够承受的最大漏源电压为-60V。这意味着在实际应用中，该MOSFET可以应用于最大电压为60V的电路中而不会损坏。

2. 最大栅源电压（V $_{GS}$GS）：±20V的最大栅源电压表示该器件在工作时，栅极与源极之间的电压不能超过这个范围，否则可能会损坏栅极氧化层。

3. 最大漏极电流（I $_{D}$D）：-12A的漏极电流表明该MOSFET可以处理较大的电流，使其适合高功率应用。

4. 导通电阻（R $_{DS(on)}$DS(on)）：0.047Ω的低导通电阻表示当MOSFET导通时，其内阻很小，这有助于减少功率损耗，提高电路效率。

5. 栅极电荷（Q $_{g}$g）：23nC的栅极电荷表示栅极驱动所需的电荷量，较低的栅极电荷有助于提高开关速度，降低驱动功率。

七、实际应用实例

1. DC-DC转换器：在DC-DC转换器中，NTF2955T1G可以用作主开关管。其低导通电阻和快速开关特性能够显著提高转换器的效率和响应速度。例如，在降压转换器（Buck Converter）中，NTF2955T1G的导通电阻低意味着导通时损耗小，从而提高了整体效率。

2. 电动机驱动：在电动机驱动电路中，NTF2955T1G常用作H桥电路中的开关管。它的高电流处理能力和高速开关特性使得它能够有效控制电动机的启停、速度和方向。

3. 电池保护电路：在锂电池保护电路中，NTF2955T1G可以用作充放电控制开关。它的高耐压特性能够保障电池在高电压工作状态下的安全，低导通电阻减少了充放电过程中的功耗。

4. 音频功率放大器：在高保真音频功率放大器中，NTF2955T1G作为输出级放大元件，利用其低导通电阻和高速开关特性，实现高效率的音频信号放大，保证音质的纯净和清晰。

八、总结

ON安森美NTF2955T1G是一款性能优异的P沟道增强型MOSFET，凭借其低导通电阻、高输入阻抗、快速开关速度和高耐压等特点，在电源管理、电机控制、电池管理和音频放大等多个领域得到了广泛应用。其优异的性能参数和可靠性，使得它成为电子工程师在设计和开发高效电力电子系统时的重要选择。